HBM3E 16-High: SK Hynix präsentiert Stapelspeicher mit 16 Lagen
Der aus übereinander gestapelten DRAM-Dies bestehende High Bandwidth Memory (HBM) erhält weitere Schichten. SK Hynix präsentierte erstmals HBM3E mit 16 Lagen (16-high), wodurch ein solcher Speicherbaustein 48 GB Daten speichern kann.
Das bedeutet umgerechnet 3 GB pro DRAM-Die der 24-Gbit-Klasse. Mit neuem 32-Gbit-DRAM wären sogar 64 GB machbar.
MR-MUF-Verfahren verbessert
Wie schon beim erst im September vorgestellten HBM3E mit 12 Ebenen und 36 GB kommt bei der Herstellung das sogenannte Advanced MR-MUF (Mass Reflow-Molded Underfill) zum Einsatz. Bei dieser Technik wird zwischen den Chips eine Flüssigkeit injiziert, die zum einen die Schaltkreise schützt und zum anderen für eine verbesserte Wärmeableitung sorgt.
Der 16-High-HBM soll gegenüber dem 12-High-Pendant zudem mehr Leistung bieten. SK Hynix spricht von 18 Prozent schnellerem Training und 32 Prozent schnellerem Inferencing bei nicht näher beschriebenen KI-Anwendungen. Zum eigentlichen Durchsatz macht das Unternehmen aber keine Angaben.
| Interface | max. Durchsatz pro Pin | max. Durchsatz pro Stack | |
|---|---|---|---|
| HBM1 (JEDEC) | 1.024 Bit | 1,0 Gb/s | 128 GB/s |
| HBM2 (JEDEC) | 2,0 Gb/s | 256 GB/s | |
| HBM2E | 3,6 Gb/s | 461 GB/s | |
| HBM3 (JEDEC) | 6,4 Gb/s | 819 GB/s | |
| HBM3E (Micron) | 9,2 Gb/s | 1.178 GB/s | |
| HBM3E (Samsung) | 9,8 Gb/s | 1.254 GB/s | |
| HBM3E (SK Hynix) | 10,0 Gb/s | 1.280 GB/s | |
| HBM4 (JEDEC) | 2.048 Bit | 6,4 Gb/s | 1.638 GB/s |
| HBM4E | ? | 2.000+ GB/s |
SK Hynix will mit dem 16-Hi HBM3E vor allem aufzeigen was möglich ist und Erfahrungen sammeln. Muster sollen Anfang des nächstens Jahres verteilt werden. Der eigentliche kommerzielle Start für 16-Hi-Produkte wird aber erst mit HBM4 erwartet.
Parallel forscht SK Hynix aber noch an einer Alternative zum MR-MUF-Prozess: Die „Hybrid Bonding Technology“ diene als Backup.
Erst einmal kommt HBM3E mit 12 Schichten
Während die 16-Hi-Serienproduktion noch auf sich warten lässt, ging der 12-Hi-HBM3E-Speicher Ende September in die Massenfertigung. Die HBM-Pakete mit der bisher größten Speicherkapazität von 36 GB stapeln ein Dutzend 3-GB-Dies. Damit der 12er Stapel genauso hoch wie die vorherigen 8-Hi-Produkte bleibt, mussten die DRAM-Dies 40 Prozent flacher ausfallen.
