HBM4 wird bemustert: Micron folgt SK Hynix und kommt Samsung zuvor

Knapp drei Monate nach SK Hynix verkündet Micron die Verfügbarkeit von Musterchips des neuen HBM4-Standards. Damit kommt der HBM-Neuling Micron dem DRAM-Marktführer Samsung zuvor. Microns HBM4 stapelt 12 DRAM-Dies zu einem Paket mit 36 GB Speicherplatz und 2 TB/s Durchsatz.

Am 19. März hatte SK Hynix, weiterhin Marktführer bei High-Bandwidth-Memory (HBM), als erstes Unternehmen die Verfügbarkeit erster HBM4-Musterchips verlauten lassen. Jetzt folgt Micron und kommt damit Samsung, dem dritten HBM-Hersteller, zuvor. Microns Aufholjagd ist rasant, denn erst bei HBM3 war das US-Unternehmen auf die HBM-Fertigung aufgesprungen, um auch ein Stück vom riesigen Nachfrage-Kuchen der wachsenden KI-Rechenzentren abzubekommen.

Eckdaten zu Microns HBM4

Die ersten HBM4-Muster von Micron stapeln jeweils 12 DRAM-Dies aus der 1-Beta-Fertigung übereinander. Das macht ein Dutzend 3-GB-Dies, die so zusammen ein Package mit 36 GB bilden. In puncto Speicherkapazität ist dies aber noch kein Fortschritt, denn den vorherigen HBM3E (bei Micron zunächst „HBM3 Gen2“ genannt) gab es ebenfalls mit 36 GB.

Die wesentliche Neuerung bei HBM4 betrifft den Datendurchsatz und dieser steigt immens. Da das Speicherinterface von 1.024 Bit auf 2.048 Bit erweitert wurde und so doppelt so breit ausfällt, verdoppelt sich bei gleichem Takt der Durchsatz. Wie schnell genau die HBM4-Chips von Micron sein werden, wird heute noch nicht verraten. Doch soll es ein Package auf mindestens 2,0 TB/s bringen. Im Vergleich zu den 1,2 TB/s bei HBM3E spricht Micron dementsprechend von einer um „über 60 Prozent“ erhöhten Leistung.

	Interface	max. Durchsatz pro Pin	max. Durchsatz pro Stack
HBM1 (JEDEC)	1.024 Bit	1,0 Gb/s	128 GB/s
HBM2 (JEDEC)		2,0 Gb/s	256 GB/s
HBM2E		3,6 Gb/s	461 GB/s
HBM3 (JEDEC)		6,4 Gb/s	819 GB/s
HBM3E (Micron)		9,2 Gb/s	1.178 GB/s
HBM3E (Samsung)		9,8 Gb/s	1.254 GB/s
HBM3E (SK Hynix)		10,0 Gb/s	1.280 GB/s
HBM4 (JEDEC)	2.048 Bit	8,0 Gb/s	2.048 GB/s
HBM4E		~10,0 Gb/s	~2.560 GB/s

Bei gleichem Takt von 9,2 Gbit/s pro Pin würde der HBM4-Stapel sogar 2,4 TB/s erreichen. Das ist für die Zukunft mit weiter abgestimmter Fertigung zu erwarten. HBM4E könnte sogar 10 Gbit/s pro Pin und so 2,5 TB/s pro Stapel erreichen.

Samsung

Wie BusinessKorea berichtet, will Samsung seinen HBM4-Speicher im dritten Quartal 2025 bemustern lassen und die Serienfertigung noch in diesem Jahr beginnen. Samsung werde dabei auf seinen 1c-DRAM setzen, der also in puncto Fertigung noch eine Stufe weiter als Microns 1-Beta ist.