ISSCC 2025
16.–20. Februar 2025 +++ Alle News des Events im Überblick.
Auf der International Solid-State Circuits Conference, kurz ISSCC 2025, werden technische Details zu neuen Halbleiterprodukten erwartet.
Aktuelle ISSCC 2025 News
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Ausblick auf BiCS10 3D-NAND Update SanDisk könnte Samsungs V10 bei Speicherdichte schlagen
SanDisk arbeitet zusammen mit Kioxia an den nächsten Generationen NAND. Mit BiCS10 steigt die Zahl der Layer von 218 auf über 300.
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Grafikspeicher Samsung und SK Hynix sprechen über GDDR7 mit 42 Gbit/s
Nächstes Jahr geht der neue GDDR7-Speicher an den Start. Anfangs mit rund 30 Gbit/s erwartet, sind auf der ISSCC schon 42 Gbit/s ein Thema.
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ISSCC 2025 Samsung bereitet 4xx Layer V10 TLC-NAND mit 5,6 Gb/s vor
Was Samsung, SK Hynix und Kioxia für den kommenden 3D-NAND so planen, liest sich im ISSCC-Programm zumindest eindrucksvoll.
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Zur ISSCC 2025 TSMC N2 und Intel 18A treffen im Februar aufeinander
Zur International Solid-State Circuits Conference im Februar 2025 gibt es das direkte Aufeinandertreffen von TSMC N2 und Intel 18A.
