NAND-Flash: SK Hynix fertigt 238-Layer-Generation jetzt in Serie

Rund 10 Monate nach der Vorstellung auf dem letztjährigen Flash Memory Summit fertigt SK Hynix seinen neuen 238-Layer-NAND-Speicher nun in Serie. Gegenüber der vorherigen Generation steigen Speicherdichte und Leistung, die Kosten pro Bit sinken.

Auch wenn SK Hynix als einziger Hersteller von „4D NAND Flash“ spricht, handelt es sich um 3D-NAND, bei dem die Speicherzellen in mehreren Ebenen (Layer) übereinander liegen. Dass auch die I/O-Schaltkreise gestapelt sind, hat SK Hynix zum 4D-Begriff verleitet. Doch machen dies auch die anderen Hersteller, die aber weiterhin von 3D-NAND sprechen.

Mit 238 Schichten hat SK Hynix nun ähnlich viele Ebenen wie Micron und Samsung; Kioxia und Western Digital nutzen bei ihrem neuen BiCS 8 wiederum 218 Layer. Die Anzahl der Ebenen sagt allein aber wenig über die Eigenschaften und die Flächendichte aus und ist daher nicht der wichtigste Parameter.

Welche Variante darf es sein?

Unklar bleibt vorerst, welche Variante(n) des 238-Layer-NAND SK Hynix nun in die Massenproduktion schickt. Vor einem Jahr war es noch TLC-NAND mit 512 Gbit (64 GB), doch wurde auf der ISSCC 2022 auch eine Version mit 1.024 Gbit im Detail (siehe Tabelle) vorgestellt.

	Micron B58R	Kioxia/WD BiCS6	Samsung V8	Samsung V7	SK Hynix V9	SK Hynix V8	SK Hynix V7	YMTC
Typ (Bit/Zelle)	TLC (3 Bit)
Kapazität	1 Tbit		1 Tbit	512 Gbit	1 Tbit	1 Tbit/512 Gbit	512 Gbit	1 Tbit
Planes	6	4						6
Layer (WL)	232 (2×116)	162 (2×81)	238	176 (2×88)	300+	238 (2×119?)	176 (2×88)	232
Die-Fläche	~70 mm²	98 mm²	?	~60 mm²	?	?	~47 mm²	68 mm²
Dichte	14,6 Gb/mm²	10,4 Gb/mm²	11,5 Gb/mm²	8,5 Gb/mm²	>20 Gb/mm²	11,5 Gb/mm²	10,8 Gb/mm²	15 Gb/mm²
Read (tR)	?	50 µs	45 µs	40 µs	34 µs	45 µs	50 µs	?
Program	?	160 MB/s	164 MB/s	184 MB/s	194 MB/s	164 MB/s	168 MB/s	?
I/O	2,4 Gb/s	2,0 Gb/s	2,4 Gb/s	2,0 Gb/s	2,4 Gb/s		1,6 Gb/s	2,4 Gb/s

Da SK Hynix heute eine Verbesserung um 20 Prozent bei der Lese- und Schreibgeschwindigkeit gegenüber der vorherigen 176-Layer-Generation verspricht, dürfte es sich um die kleinere Version handeln, zu der noch keine Eckdaten vorliegen. Die „Fertigungseffizienz“ soll um 34 Prozent steigen und so zu einer „deutlichen Verbesserung der Kostenwettbewerbsfähigkeit“ führen. Die Anzahl der Layer ist passend dazu um 35 Prozent gestiegen.

Kompatibilitätstests bei Smartphone-Hersteller

Laut SK Hynix beginnen bald Kompatibilitätstest bei einem nicht genannten „globalen Smartphone-Hersteller“. Sind diese erfolgreich abgeschlossen, werden die Speicherchips zunächst in Smartphones eingesetzt. Doch auch für PCIe-5.0- und Server-SSDs mit hoher Speicherkapazität werden sie erwogen.

ComputerBase hat SK Hynix um nähere technische Details gebeten und wird diese nachreichen, sobald sie vorliegen.