Halbleiterforschung und -entwicklung: Samsung will mit neuem R&D-Campus zurück an die Spitze

Rund 14,4 Milliarden US-Dollar lässt sich Samsung einen großen Campus kosten, der die Forschung und Entwicklung auf Jahrzehnte bestimmen und so Samsung in einigen Bereichen, in denen das Unternehmen zurückgefallen ist, wieder an die Spitze hieven soll. Nun wurde die Tool-in-Zeremonie abgehalten, ab 2025 wird geforscht.

Im August 2022 wurde das Vorhaben gestartet, schon damals hieß es, dass Samsung 15 Milliarden US-Dollar investieren wird.

Zuletzt überwogen die schlechten Nachrichten beim Thema HBM, Ausbeute bei modernsten Chips und anderen Dingen bei Samsung des Öfteren, die Tool-in-Zeremonie, also das Installieren hochmoderner Gerätschaften in den Fabrikgebäuden, ist ein passender Zeitpunkt für etwas positive Nachrichten. Denn vor allem bei der Halbleiterproduktion scheint das Unternehmen hier und da den Anschluss zu verlieren nachdem es viele Jahre eine Führungsrolle hatte, die es sich zuvor in rund 50 Jahren aufgebaut hatte. Nun heißt es entsprechend großspurig, dass der neue Forschungs- und Entwicklungskomplex in Giheung, in der Gyeonggi-Provinz in Südkorea, der Grundstein für die kommenden 100 Jahre sein soll.

Dabei soll NRD-K (New Research and Development) exakt die Felder adressieren, in denen Samsung aktuell Probleme hat: Speicher und Foundry zählen dort mit hinein ebenso wie die gesamte Gruppe System LSI, in der Samsung unzählige Technologien rund um SoCs, CMOS, 5G/6G und mehr zusammenfasst.

As a state-of-the-art facility, NRD-K broke ground in 2022 and is set to become a key research base for Samsung’s memory, system LSI and foundry semiconductor R&D. With its advanced infrastructure, research and product-level verification will be able to take place under one roof. Samsung plans to invest about KRW 20 trillion by 2030 for the complex in an area covering about 109,000 square meters (m2) within its Giheung campus. The complex will also include an R&D-dedicated line scheduled to begin operation in mid-2025.

Samsung

Bis zum Jahr 2030 soll der Komplex noch ausgebaut werden. Insgesamt wird das Projekt dann um die 20 Billionen Won gekostet haben, nach heutiger Umrechnung rund 14,4 Milliarden US-Dollar. Das ist vergleichsweise viel Geld, allerdings werden in diesen Einrichtungen auch Gerätschaften der neuesten Generationen getestet, die allein bereits hunderte Millionen US-Dollar kosten können, bevor diese dann in der Serienproduktion zum Einsatz kommen. Unter anderem wird dies direkt High-NA-Tools von ASML einschließen, mit einem Preisschild von knapp 400 Millionen US-Dollar. In den kommenden Jahren gilt das dann wahrscheinlich aber auch für den Nachfolger Hyper-NA, mit vermutlich noch einmal fast dem doppelten Preis.

Diese neuen Gerätschaften sollen genutzt werden, um die Entwicklung von Speicherhalbleitern der nächsten Generation wie 3D-DRAM und V-NAND mit mehr als 1.000 Schichten voranzutreiben, erklärt Samsung. Darüber hinaus ist auf dem Gelände auch passende Infrastruktur für Wafer-Bonding mit innovativen Wafer-zu-Wafer-Bonding-Fähigkeiten geplant, heißt es abschließend vom Unternehmen.