Samsung folgt Intel: Rückseitige Stromversorgung in Chips bereits ab 2025 geplant
Das sogenannte Backside Power Delivery (BSPD) kommt auch bei Samsung, das war bereits bekannt. Laut neuesten Medienberichten aus Südkorea könnte der Hersteller nach Fortschritten direkt Intel folgen und vor TSMC liegen, denn nun ist eine Einführung bereits für das kommende Jahr geplant.
Von der Vorder- auf die Rückseite
Das Thema Backside Power Delivery (BPD), also die Stromversorgung nicht traditionell von der Vorderseite oder von „oben“ sondern von der Rückseite, rückte zuletzt stärker in den Fokus. Der Grund ist ziemlich naheliegend: Nahezu jeder Hersteller sucht sein Heil aktuell im Stapeln von Chips, also dem Gang von bisherigen Chips primär nebeneinander platziert hin zur dritten Dimension. Doch dort gibt es viele Limitierungen, unter anderem ist eine davon die Stromversorgung der Chips, mögliche Interferenzen sowie weitere Probleme, die daraus entstehen.
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Verschiedene Ansätze von Backside Power Delivery (Bild: Applied Materials)
Backside Power Delivery könnte einige dieser Probleme angehen und sogar Möglichkeiten für neue Konzepte auftun. Dabei wird auch an unterschiedliche Abstufungen gedacht von günstiger Variante bis hin zu den sehr komplexen und teuersten Lösungen – es gibt nicht nur eine Herangehensweise. Ein weiterer positiver Nebeneffekt ist, dass es der Skalierung hilfreich ist. Am Ende wird das Gesamtkonstrukt deutlich effizienter.
Intel wird mit der Einführung dieser Technologie in diesem Jahr mit Intel 20A in Führung gehen, PowerVia nennt sich das ganze dort. Intel 18A mit einer optimierten Variante folgt im Jahr 2025 und wurde so unter anderem bereits für Intel Clearwater Forest bestätigt. Testchips mit PowerVia hatte Intel auf Basis eines „halben Meteor Lake“ erstellt und erste vorzeigbare Ergebnisse vermittelt.
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Klassischer Aufbau und neuer mit BSPD/PowerVia (Bild: Intel)
Intel vor Samsung vor TSMC?
Aus Korea kommt nun die Nachricht, dass auch Samsung hier entsprechende Fortschritte erzielt hat. Ein wenig durch Intel unter Zugzwang gesetzt, die bereits im Jahr 2021 ankündigten, das ab 2024 liefern zu wollen, wurde die Forschung und Entwicklung forciert, um nicht in größeren Rückstand zu geraten. Auch TSMC wurde bei dem Thema BSPD ziemlich kalt erwischt, dort wird es frühestens 2026 Einzug halten.
Früh dran zu sein heißt aber nicht auch automatisch das beste Produkt zu liefern. Beim neuen Transistordesign mit Gate all around (GAA) war Samsung auf dem Papier sehr früh dran, es wurde bereits mit 3 nm vor zwei Jahren eingeführt. Doch noch immer kämpft man mit Problemen, eine geringe Ausbeute steht am Ende, die versprochen Boni des neuen Designs blieben zumeist auf der Strecke. Der zweite GAA-Prozess von Samsung ist deshalb auch erst in diesem Jahr geplant, Arm hatte zuletzt vermeldet, dass sie auch Samsung für zukünftige 2-nm-GAA-Chips nutzen wollen. Mit BSPD wären diese wohl noch besser geeignet.
