News 3 nm Gate-All-Around: Samsungs neue Chips bieten massives Leistungsplus

Volker

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Volker schrieb:
Erste Leistungsangaben versprechen nun nicht nur eine 45 Prozent kleinere Fläche als bei der noch sehr jungen 7-nm-Fertigung,
Da fehlen ein paar Buchstaben.
 
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Naja, ich sehe jetzt nicht die Sensationen. Das sind immerhin 2 Nodes bis dahin,. Erstmal kommt ja noch 5nm. Zumindest die Transistordichte ist nicht gerade riesig gewachsen.
Von 14 nm auf 7nm ist der Sprung größer.
Von 10 LPE auf 7LPP sind's ja schon 40% geringere Fläche und 50 % geringere Leistungsaufnahme.
 
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Ich vervollständige mal den Satz:

Sollte sich der Zeitplan für das Jahr 2021 als korrekt herausstellen, wird ...

... Intel weiterhin 14nm Refreshes anbieten ;)

Sorry, Intel, aber es ist ein Trauerspiel.

Das, was hier Samsung präsentiert, ist wirklich bemerkenswert. Insbesondere, dass sie neben dem Flächenvorteil auch die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch verbessern können - und zwar alles 3 gleichzeitig.
 
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ist schon irgendwie bemerkenswert wie man das zeug so klein bekommt.
Wenn man an die ersten Transistoren / Röhren denkt....
Was ist die nächste Stufe? als Träger Synthetischer Diamant statt Silizium? Leitet keinen Strom und super Wärmeleiter
 
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Faust2011 schrieb:
Insbesondere, dass sie neben dem Flächenvorteil auch die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch verbessern können - und zwar alles 3 gleichzeitig.
Ob sie es können, wird sich erst zeigen. Im Moment planen Sie es.
Alles zusammen wäre allerdings in der Tat beeindruckend.
 
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@Unnu
mit ziemlicher sicherheit wird die höhere leistung und der geringere stromvebrauch nicht gleichzeitig möglich sein
die geben das doch immer so an...
 
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ick freu ma wie ein schnitzel schon seit etwa 2 jahren.

bei den big boys lunschen ist halt schon ein wenig wie in die zukunft schauen. :heilig:

"Sollte sich der Zeitplan für das Jahr 2021 als korrekt herausstellen, " ← würde ich mittlerweile als gesichert ansehen. also 2022 chips für alle am markt. die 3nm von tsmc sollten 2022 auch so weit sein.

hoffentlich spielt in asien nicht irgend einer krieg, dass könnte den plan noch verhindern. :evillol:

2025 werden wir mit mitleid auf die 2020 generation von konsolen schauen, über veraltete technik jammern und uns beschweren, warum sie so miese technik überhaupt noch gebracht haben.....

mfg
 
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Ein wenig schade, dass von 7nm auf 3nm nur ein ganzer Node-Shrink stattfindet (45% reduzierte Fläche), obwohl es eigentlich zwei Nodes sein müssten. Ist jetzt also seit 10nm Standard, dass die relativen Beziehungen unter den Namen nicht mehr stimmen. Die Zahlen selber sind natürlich auch Humbug...
 
@Faust2011
Mit Geschwindigkeit hat das nichts zu tun. Samsung kann die Elektronen nicht beschleunigen.
Was du vielleicht meinst ist, dass es Produkte geben wird, die mit einem höheren Takt betrieben werden können.
Das kommt aber durch die geringere Leistungsaufnahme bzw. die geringeren Leckströme.
Der Halbleiter ist und bleibt der Halbleiter.

@[wege]mini
2025 werden wir mit mitleid auf die 2020 generation von konsolen schauen, über veraltete technik jammern und uns beschweren, warum sie so miese technik überhaupt noch gebracht haben.....

Der technische Aufwand wird immer größer und die "Sprünge" immer geringer. Vielleicht hast du ja die CPU-Entwicklung der letzten 10 Jahre verpasst, aber so richtig große Sprünge beim Leistungszuwachs gibt es nicht mehr. Ryzen 3000 soll laut ersten Tests knapp 12% mehr IPC bringen als Ryzen 2000er Serie. Da brechen heute schon Jubelschreie aus. Das hätte vor 10 Jahren keinen vom Hocker gehauen.

Ich finde es schade wie einige hier diesen immensen technischen Aufwand und die Ingenieursleistungen für eine absolute Selbstverständlichkeit halten, aber sich auch darüber beschweren, dass es nicht schnell genug geht. Wenn es so einfach ist, dann warte ich auf eure Halbleitertechnologien. Schein ja so einfach zu sein wie das Brezelbacken.
 
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Colindo schrieb:
Die Zahlen selber sind natürlich auch Humbug...


müssen sie doch.

was willst du denn 2025 verkaufen? ab 1nm wird es schwierig und da muss man dann die zahlen noch kreativer benutzen.

bei der physik müssen sie es doch auch. ein guter work around mit ein bisschen geschummel ist prima, wenn die leistung stimmt. am bau sagt man, guter fusch ist keine schlechte arbeit.

hier wird halt bei zahlen gefuscht um irgend wie zeigen zu können, wie viel man in den letzten jahren gemacht hat. die leistungssteigerung ist ja nicht von der hand zu weisen.

c2ash schrieb:
Das hätte vor 10 Jahren keinen vom Hocker gehauen.

es gibt nicht nur takt. die fläche ist hier der fortschritt. und natürlich die aufnahme von strom um die unfassbaren mengen von transistoren auf dieser winzigen fläche zu betreiben.

wenn man hier zu viel strom reinpumpen müsste, könnte man auf der winzigen fläche mit keinem kühlsystem der welt noch etwas brauchbar rechnen lassen. egal ob du es theoretisch bauen kannst, du bekommst die hitze nicht weg und verbrennst die halbleiter.

daher musste durch kleinere fertigung die aufnahme so weit runter, dass man 16 kerner mit drölf transistoren bauen kann, die bei normaltakt 200 watt verbrauchen.

vor 10 jahren hätten sie dich in die klapper gesteckt, wenn du da von epyc geredet hättest und erklärst, die brauchen keine 2kw aufnahme.

vor 30 jahren hätten sie overclocker von heute mit ihrer technik wie aliens angeschaut.

natürlich reden menschen, die solche zukünftigen dinge bauen wollen, ungern darüber. :evillol:


mfg
 
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c2ash schrieb:
Was du vielleicht meinst ist, dass es Produkte geben wird, die mit einem höheren Takt betrieben werden können.

Vollkommen richtig, war meinerseits etwas salopp ausgedrückt.
 
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Bei Samsung und TSMC gehts halt voran, während Intel in den nächsten Jahren versucht alten Wein in neuen Schläuchen zu verkaufen und das als Innovation preist..
 
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Wenn Intel schwächelt muss Samsung halt mit Tic-Toc weitermachen. :)

Rein rechnerisch müsste beim Wechsel von 7 auf 3 mindestens 400 % höhere Transistordichte rauskommen aber es sollen nur 45 % sein?

Andererseits, wenn man sich anschaut wie Intel auch ohne kleinere Strukturen noch Leistungssteigerungen rausquetscht, dann muss uns ja nicht bange sein wenn keine Verkleinerungen mehr möglich sind.
 
c2ash schrieb:
@Faust2011
Mit Geschwindigkeit hat das nichts zu tun. Samsung kann die Elektronen nicht beschleunigen.
Was du vielleicht meinst ist, dass es Produkte geben wird, die mit einem höheren Takt betrieben werden können.
Das kommt aber durch die geringere Leistungsaufnahme bzw. die geringeren Leckströme.
Der Halbleiter ist und bleibt der Halbleiter.
Haben Transistoren nicht auch Schlatzeiten? Da kann man mit Design, Material und Fertigungsgröße sicherlich auch immer etwas optimieren!?
 
Winder schrieb:
Nur um das Mal ein wenig einzuordnen.

Samsungs 3GAA ist nicht besser als TSCM 5FF oder Intels 7nm.
[...]
Intels was? Intel hat seit Jahren große Probleme einen funktionierenden 10nm Prozess auf die Beine zu stellen, wieso glaubst du, Intel wird irgendetwas hinbekommen?
 
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bensen schrieb:
Naja, ich sehe jetzt nicht die Sensationen. Das sind immerhin 2 Nodes bis dahin,. Erstmal kommt ja noch 5nm.
...
Von 10 LPE auf 7LPP sind's ja schon 40% geringere Fläche und 50 % geringere Leistungsaufnahme.

War 5nm ein Full Node?

Es wird ja auch von 50% geringerer Leistungsaufnahme und 35% höherer Leistung gesprochen!
 
w0mbat schrieb:
Intel wird irgendetwas hinbekommen?

es ist ja nicht so, dass intel chips meilenweit hinterher wären.

die 10nm läuft, leider nicht gut genug. bei 7nm muss man dann reagieren. aktuell sehe ich intel noch nicht "verloren"

alles natürlich intel zahlen. hier haben sie mit ihrem marketing halt das nachsehen gehabt. mal gewinnt man, mal verliert man.

bei den tdp angaben haben sie gewonnen^^

mfg
 
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