Speichertechnologien
Speichertechnologien News
Feed-
LPCAMM2 im Handel Update 64 GB LPCAMM2 LPDDR5X-7500 kosten bei Crucial 330 USD
LPCAMM2 als wechselbarer Notebook-RAM der Zukunft kommt in den Handel. Zum Start ist dieser erwartungsgemäß nicht günstig, aber einzigartig.
-
Technologie-Kooperation SK Hynix sucht TSMCs Hilfe bei HBM4 und Packaging
HBM schwimmt dank AI auf der Erfolgswelle. Marktführer SK Hynix sucht nun TSMCs Nähe, um auch in Zukunft vorne mitzuspielen.
-
Neuer Phase Change Memory Mit Nano-Filament statt Elektrode soll es diesmal klappen
Südkoreanische Forscher haben einen neuen Ansatz für Phasenwechselspeicher vorgestellt, der deutlich sparsamer und zugleich günstiger sei.
-
LPDDR5X-10666 in 32-GB-Chips Samsungs Speicher für Next-Gen-SoCs, Smartphones und AI
Der schnellste LPDDR5X kommt wieder von Samsung, und größer wird er auch: 32 GByte LPDDR5X-10666 sind das neue Aushängeschild.
-
Advanced Packaging SK Hynix bestätigt neue US-Fab für HBM in Indiana
Gefertigt werden soll am neuen Standort von SK Hynix unter anderem die nächste Generation High Bandwidth Memory (HBM) für neue AI-Systeme.
-
Erster HBM3E in Serie? SK Hynix ignoriert Micron einfach mal komplett
Wer ist denn nun erster bei der neuen Speichergeneration HBM3E? SK Hynix will das heute sein, doch war Microns Ankündigung schneller.
-
4 × 64 GB DDR5 per BIOS-Update ASRock, Asus und MSI bieten 256 GB RAM für Intel und AMD
ASRock, MSI und Asus haben neue BIOS-Versionen veröffentlicht, mit denen Mainboards mit Intels Sockel LGA 1700 256 GB DDR5 unterstützen.
-
LPDDR6 Neue Generation des Mobile-RAM im 3. Quartal abgesegnet
Die JEDEC hat angekündigt, dass die Spezifikationen für LPDDR6, die nächste Stufe des Low-Power-DRAM, im 3. Quartal erscheinen.
-
GDDR7 jetzt JEDEC-Standard Neuer Grafikspeicher mit bis zu 48 Gbit/s verabschiedet
Freie Fahrt für eine neue Generation Grafikspeicher: Die JEDEC hat die Spezifikationen für GDDR7 verabschiedet und veröffentlicht.
-
Schneller Speicher für AI 12-fach gestapelter HBM3E hat auch bei Samsung 36 GByte
Einen Tag nach Microns Ankündigung zur Serienfertigung von HBM3E schießt Samsung zurück: Der Wettlauf bei HBM geht nun erst richtig los.
-
Arbeitsspeicher GDDR7, HBM3E und LPDDR5X werden weiter beschleunigt
Zu den Themen der diesjährigen ISSCC gehören Neuheiten aus dem DRAM-Bereich. Bei GDDR7, LPDDR5 und HBM3E gibt es Fortschritte.
-
28,5 Gbit/mm² Samsungs 280-Layer-NAND schlägt bei Flächendichte alles
Auf der ISSCC 2024 wird Samsung neuen Flash-Speicher vorstellen, der mit 28,5 Gbit/mm² die mit Abstand größte Flächendichte bietet.
-
Neues Konzept Der Flash Memory Summit dreht sich nicht mehr nur um Flash
Die Fachkonferenz Flash Memory Summit (FMS) startet dieses Jahr ein neues Konzept, das auch andere Speichertypen umfasst.
-
Flüssiger RAM Forscher entwickeln Liquid Metal Memory
Inspiriert von Vorgängen im menschlichen Gehirn haben Forscher einen Flüssigmetallspeicher entwickelt.
-
SOT-MRAM TSMC hilft bei Entwicklung des möglichen SRAM-Nachfolgers
Bei der Entwicklung der nichtflüchtigen Speichertechnik SOT-MRAM will TSMC in Taiwan mitmischen. Auch in Europa wird daran geforscht.
-
HBM-Kapazitätsausbau Samsung will Investitionen um zwei Mal Faktor 2,5 steigern
Samsung entwickelt zwar schon länger HBM, aber nicht so fokussiert wie SK Hynix. Nun dreht der Branchenriese die Investitionshahn auf.
-
Neues RAM-Format Micron liefert potenziellen SO-DIMM-Nachfolger LPCAMM2 aus
Nach über einem Vierteljahrhundert der Ära des SO-DIMM-Formats für mobilen Arbeitsspeicher kommt 2024 die potenzielle Ablösung.
-
Krise vorbei Micron ist mit DRAM und HBM zurück im Geschäft
DRAM und HBM ziehen Micron aus dem Loch. Letztere Technologie ist bereits für das ganze Jahr 2024 ausverkauft. Bei NAND dauert es noch.
-
Starke Preissteigerungen Mobiler DRAM und NAND soll 2024 deutlich teurer werden
Bereits seit einiger Zeit ist es sichtbar: Die Talsohle der Preise für DRAM und NAND ist durchschritten. Nun geht es steil bergauf.
-
CAMM2 Neuer RAM-Standard ist nicht verlötet und dennoch flach
Die JEDEC hat die Spezifikation JESD 318 veröffentlicht, die den neuen Arbeitsspeicherstandard CAMM2 definiert. Ein Überblick.
-
Neues Design-Konzept SK Hynix will HBM und GPU zu einem Chip vereinen
Nicht mehr nur nahe am Prozessor, sondern direkt über diesem in einem Chipgehäuse vereint, soll HBM künftig eingesetzt werden.
-
Micron-Roadmap Pläne für HBM4, MRDIMMs, CXL3 und LPCAMM dargelegt
Micron hat eine neue Roadmap mit kommenden Speicherprodukten veröffentlicht. Darunter sind HBM4(e), MRDIMMs und LPCAMM2.
-
ChangXin Xinqiao China stampft neuen DRAM-Hersteller mit 20-Mrd.-Fab aus dem Boden
China braucht weiterhin eine eigene moderne Chip-Fertigung und wagt sich deshalb an ein weiteres DRAM-Projekt – mit viel Geld.
-
HBM-Speicherchips Das große Rennen um das hoffentlich lukrative Geschäft
Fast 60 Prozent Wachstum in diesem Jahr und 2024 noch einmal 30 Prozent: HBM liegt hoch im Kurs, aber was bringt es den Herstellern?
-
SK Hynix Quartalszahlen Ausverkauft bei HBM3e bis 2025 und dennoch hohe Verluste
HBM3e bekommt man als Kunde von SK Hynix frühestens 2025 wieder, doch diese Marktnische rettet den Konzern nicht über die Linie.
-
LPDDR5T-9600 SK Hynix und Micron treiben Snapdragon 8 Gen 3 an
Der Snapdragon 8 Gen 3 ist für die nächste Generation von Flaggschiff-Smartphones mit Next-Gen-Speicher von SK Hynix und Micron ausgelegt.
-
High Bandwidth Memory (HBM) Update Samsung bemustert HBM3E in Kürze, bis 2025 kommt HBM4
Schneller Speicher wie HBM gewinnt immer mehr an Bedeutung. Samsung weist nun auf die neuen Generationen hin.
-
Update zu Project Silica Update Microsofts Cloud-Speicher der Zukunft setzt auf Glas
Nach Jahren der Forschung liefert Microsoft Research wieder ein Lebenszeichen vom gläsernen „Superman-Speicher“ alias Project Silica.
-
RAM 20 Prozent teurer Preise für DDR4 und DDR5 steigen im deutschen Handel
Seit 3 Monaten in Aussicht gestellt, ist es nun eingetreten: Die Preise für RAM steigen wieder. Noch fällt der Anstieg nicht dramatisch aus.
-
Speicherkrise Micron sucht das Glück nach hohem Verlust bei HBM
Tief in den roten Zahlen und ein Ausblick, der ebenfalls weitere Verluste ankündigt, mochten Analysten nach den Quartalszahlen gar nicht.
-
LPCAMM als SO-DIMM-Nachfolger LPDDR-basierte Module für Notebooks, Desktops und Server
Der neue Standard „Low Power Compression Attached Memory Module“ (LPCAMM) setzt auf LPDDR auf und soll 2024 erscheinen.
-
MCR-DIMMs Schnellere RAM-Module zollen dem Netzteil Tribut
Schnelle MCR-DIMMs sind zur Innovation allgegenwärtig, aber immer nur zusammen mit Granite Rapids zu sehen. Das könnte am Verbrauch liegen.
-
In-Memory Processing SK Hynix demonstriert seinen GDDR6-AiM-Beschleuniger
SK Hynix hat den Prototypen seines AiM-Beschleunigers vorgeführt. Dabei werden bestimmte Berechnungen direkt im GDDR6-Speicher durchgeführt.
-
UltraRAM Entwickler erhalten Innovations-Award
Nicht nur aus Sicht der Erfinder ist die neue Speichertechnik UltraRAM vielversprechend. Auf der Speichermesse FMS 2023 gab es einen Award.
-
SK Hynix 24 GB LPDDR5X fürs Smartphone gehen in Serie
Nachdem bereits die ersten Smartphones mit 24 GB RAM in Aussicht gestellt wurden, liefert SK Hynix nun den passenden Speicher in Serie.
-
GH200 Grace Hopper Superchip Nvidia setzt als erster Anbieter auf HBM3e mit 5 TB/s
Zur SIGGRAPH hatte Nvidia eine aufgebohrte Variante des Grace Hopper Superchips mit jetzt 141 GB HBM3e anstelle von 96 GB HBM3 im Gepäck.
-
Micron-Roadmap 32 Gbit DDR5, GDDR7, HBM3 und sein Nachfolger
Parallel zur Vorstellung des ersten High Bandwidth Memory (HBM) hat Micron eine Roadmap inklusive weiterer Speicherneuheiten veröffentlicht.
-
HBM3 Gen2 Microns erster High Bandwidth Memory ist am schnellsten
Deutlich nach Samsung und SK Hynix steigt Micron in den Markt mit High Bandwidth Memory (HBM) ein, legt beim Durchsatz aber gleich vor.
-
Tiefpunkt überwunden SK Hynix klettert mit tiefroten Zahlen aus dem Speicherloch
44 Prozent mehr Umsatz als im ersten Quartal interpretiert SK Hynix als das Herausklettern der Speicherbranche aus dem tiefen Loch.
-
High-End-Speicher SK Hynix will HBM4 mit 32 GB pro Chip schon ab 2026 liefern
SK Hynix hat das Produktionsziel für HBM4 erneut auf das Jahr 2026 festgelegt. Im kommenden Jahr wird HBM3E an den Start gehen.
-
Samsung Entwicklung von GDDR7 mit 32 Gbps abgeschlossen
Schon lange vorbereitet, startet GDDR7 als nächste Generation Grafikspeicher nun auch offiziell. Samsung bietet GDDR7 mit 32 Gbps an.
-
DRAM-Preise erreichen Talsohle RAM-Module könnten bald wieder teurer werden
Darauf haben Hersteller, aber nicht Kunden gewartet: Der Preisverfall bei DRAM kommt zum Erliegen, RAM könnte bald wieder teurer werden.
-
Technologiediebstahl Foxconn plante 20-nm-DRAM-Fab mit Geheimnissen von Samsung
Es klingt wie ein Spionageroman und kommt dem wohl auch ganz nahe: Foxconn plante eine 20-nm-DRAM-Fab mit Geheimnissen von Samsung.
-
Micron Nächstes Jahr kommen GDDR7 und HBM3
Micron will 2024 sowohl den ersten GDDR7-Speicher für Grafikkarten präsentieren als auch in das HBM-Geschäft mit HBM3 einsteigen.
-
Hohe Nachfrage dank AI SK Hynix will HBM3-Produktion verdoppeln
Die neuen Beschleuniger von Nvidia und AMD brauchen HBM-Speicher, den modernsten seiner Art. SK Hynix will die Produktionslinien verdoppeln.
-
Next-Gen-DRAM-Fertigung Japan investiert in Microns EUV-RAM-Herstellung
Ein interessanter Schritt der Zusammenarbeit: Japan investiert in ein Micron-Werk in Hiroshima, in dem der EUV-1γ-Prozess entwickelt wird.
-
Samsung und AMD Update 12-nm-DDR5-DRAM für Zen mit bis zu 7.200 MT/s
Samsung schickt für das Jahr 2023 die nächste Speichergeneration auf Basis von DDR5 ins Rennen und wählt auch AMD als Partner.
-
Samsung CXL 2.0 Memory Expander Die zweite Generation bietet erst einmal 128 statt 512 GByte
Bereits vor zwei Jahren das erste Mal mit CXL 1.1 und 512 GB angekündigt nähert sich nun der erste CXL 2.0 DRAM mit 128 GB der Serienreife.
-
Speicherbranche im freien Fall DRAM-Preise geben noch einmal um bis zu 23 Prozent nach
Das Ende des Preisverfalls bei DRAM und NAND ist noch nicht erreicht, im aktuellen Quartal geht es weiterhin steil bergab.
-
3D-DRAM Konzepte für gestapelte Speicherzellen wie bei 3D-NAND
Wie bei 3D-NAND könnten bald auch die Speicherzellen von DRAM-Chips in mehreren Ebenen übereinander gestapelt werden.
-
SK Hynix HBM3 12 DRAM-Stapel liefern 24 GB in einem Package
Der auf schnelle Datentransfers ausgelegte High Bandwidth Memory (HBM) liefert bei SK Hynix jetzt noch mehr Speicherplatz.
-
Speicherkrise Update 4 Samsung verliert Milliarden im DRAM-Geschäft
Nun zieht es auch den Marktführer in den Abwärtsstrudel des Speichermarktes. Laut Insidern in Südkorea wird das erste Quartal vernichtend.
-
DDR5-Arbeitsspeicher G.Skills neue 24- und 48-GB-Modul-Kits gehen bis DDR5-8200
G.Skill hat neue Arbeitsspeicher-Kits mit Modulgrößen von 24 GB und 48 GB sowie einer Frequenz von bis zu DDR5-8200 angekündigt.
-
Quartalszahlen Micron schreibt größten Verlust der Firmengeschichte
Aus 2,3 Milliarden US-Dollar Gewinn vor einem Jahr wurden nun binnen 3 Monaten 2,3 Milliarden US-Dollar Verlust und markieren die Misere.
-
Speicherpreise 20 bis 40 Prozent Nachlass im ersten Halbjahr 2023 anvisiert
In einem abgekühlten Markt kollabieren die Preise für DDR4, DDR5 und Grafikspeicher weiter. Der prozentuale Rückgang ist deutlich.
-
3D-NAND Intel und SK Hynix setzen neue Maßstäbe bei der Flächendichte
Intel und SK Hynix stellen NAND-Chips in Aussicht, die erstmals eine Flächendichte von über 20 Gbit/mm² aufweisen sollen.
-
Absatz im freien Fall Update DRAM-Verkäufe geben um über 30 Prozent nach
Viele Zahlen deuteten es bereits an, nun gibt es die Bestätigung: Der DRAM-Markt ist im letzten Quartal um über 30 Prozent eingebrochen.
-
LPDDR5T SK Hynix zündet den Low-Power-DRAM-Turbo
Auf X folgt T. SK Hynix beschleunigt den LPDDR5-Speicher auf 9.600 MT/s und nennt diesen nicht mehr LPDDR5X sondern LPDDR5T.
-
Tape Embedded Drive Western Digital erwägt Bandspeicher im HDD-Format
In mehreren Patenten beschreibt Western Digital die Idee eines Laufwerks, das Bandspeicher (Tape) und Lese-/Schreibeinheit in sich vereint.
-
Neuer DDR5-Weltrekord Gigabyte erreicht mehr als 11.000 MT/s mit Aorus-RAM
Gigabyte und der Extrem-Overclocker „Hicookie“ haben mit 11.1136 MT/s einen neuen Weltrekord für DDR5-Arbeitsspeicher aufstellen können.
-
Arbeitsspeicher Dells CAMM wird JEDEC-Standard für Notebook-RAM
Das von Dell im letzten Jahr vorgestellte RAM-Riegel-Format CAMM soll jetzt ein offizieller JEDEC-Standard werden.
-
Polaris RGB und EVO V GeILs DDR5-8000CL38 setzt auf winzige Lüfter zur Kühlung
Die RAM-Kits der Serien GeIL Polaris RGB und EVO V RGB sind mit bis zu 64 GB DDR5-8000 erhältlich und werden teils aktiv gekühlt.
-
Galax HOF Extreme & HOF Pro SSDs mit bis zu 10 GB/s und DDR5 mit bis zu 8.000 MT/s
Galax hat im Vorfeld der CES 2023 neue SSDs und DDR5-Speicherkits vorgestellt, welche bis zu 10 GB/s respektive 8.000 MT/s erreichen sollen.
-
214 Tage Inventar Micron versinkt im Speicher und verschiebt EUV
Micron macht auch zum Jahresende nicht vor bösen Überraschungen halt. Der Hersteller versinkt im Speicher und korrigiert die Aussichten.
-
DDR5-8000 CL38 Netac Z-RGB-Serie erreicht 8.000 MT/s dank Hynix A-Dies
Der chinesische Speicherhersteller Netac erreicht mit seiner Speicherserie Z-RGB dank Hynix A-Dies bis zu DDR5-8000 CL38.
-
Regierungsauftrag Intel erforscht schnellen Speicher für Nuklearbehörde
Intel wird gemeinsam mit US-Forschungseinrichtungen eine neue Speichertechnik entwickeln, die erheblich schneller als DRAM sein soll.
-
DDR5 MCR DIMM SK Hynix bringt schnellsten Server-RAM mit Renesas und Intel
Eine Zusammenarbeit aus drei Unternehmen bringt DDR5-8000 als MCR-DIMM hervor. Der Trick hierbei sind Datenbuffer-Chips.
-
Grafikspeicher Samsungs GDDR7 nutzt PAM-3 für 36 Gbit/s
Samsung hat auf dem IEDM 2022 weitere Details zur kommenden Grafikspeichergeneration GDDR7 mit 36 Gbit/s verraten.
-
Düstere Prognose Update Micron senkt und verschiebt DRAM- und NAND-Produktion
Im Sommer schockte Micron die Börse, in der Nacht taten sie es wieder. Denn auf den ersten Schock folgt nun direkt der nächste.
-
DRAM-Fertigung Micron fertigt ohne EUV-Lithografie als erster 1β-Chips
Micron vermeldet den Start der Sampling-Phase für ersten Speicher der neuen 1-Beta-Generation. Los geht es in Smartphones.
-
Gigabyte erreicht Weltrekorde DDR5-8333 per XMP 3.0 und DDR5-9300 mit Overclocking
Gigabyte präsentiert DDR5-8333 Intel XMP 3.0 und demonstriert DDR5-9300 mittels Overclocking und stellt neue Weltrekorde auf.
-
Speicherbranche im freien Fall Update SK Hynix erwartet Einbruch wie niemals zuvor
Die Zahlen sind noch halbwegs in Ordnung, dennoch sieht SK Hynix eine noch nie dagewesene Herausforderung im Speichermarkt.
-
Fehlende Nachfrage DDR5-Speicherpreise könnten deutlich stärker fallen
Hohe Inventarbestände und die fehlende Nachfrage könnten zu einem deutlich stärkeren Preisverfall bei neuem DDR5-Speicher führen.
-
Speicher für Mobilgeräte Samsung beschleunigt LPDDR5X auf 8,5 Gbps
Samsung hat die Validierung von LPDDR5X-8500 für Snapdragon-Geräte abgeschlossen, neuen Smartphones steht nun nichts mehr im Weg.
-
Kürzung an allen Fronten DRAM-Fertiger Nanya mit 90 Prozent weniger Gewinn
Die Krise im Speichergeschäft könnte noch weitaus gravierender ausfallen als bisher gedacht. Nanya zeigt ganz klare Hinweise auf.
-
Europa-Ausgabe Samsung Foundry Forum gastiert in München
Auf der europäischen Ausgabe des diesjährigen Foundry Forums hat Samsung seine in dieser Woche genannten Ziele noch einmal untermauert.
-
Um bis zu 80 Prozent Update Speicherhersteller SK Hynix kürzt Ausgaben massiv
Die Krise hat die Speicherbranche voll erfasst. Nach Micron und Kioxia kürzt auch SK Hynix seine kurzfristigen Ausgaben massiv.
-
Samsung Tech Day Von GDDR7 über 1.000-Layer-NAND bis zum 5G-Modem
Den diesjährigen Tech Day hat Samsung genutzt, um unter anderem auf kommende Speicherprodukte aufmerksam zu machen.
-
100 Milliarden US-Dollar Micron baut riesige NAND/DRAM-Fabrik in den USA
Von Micron gibt es zuletzt vielfach Extreme: Ganz schlechte Aussichten hier, dann Mega-Investitionen auf der anderen Seite.
-
Arbeitsspeicher Preise für DDR4 und DDR5 fallen noch stärker
Die Preise für DRAM-Chips sind im Sinkflug. Vor allem DDR5 gibt nach, um bis zu 20 Prozent. In diesem Quartal sollen weitere folgen.
-
Forschung Seagate arbeitet mit am DNA-Datenspeicher von CATALOG
Das DNA-Storage-Startup CATALOG arbeitet nun mit Seagate zusammen, um seine Plattform für DNA-Datenspeicher weiterzuentwickeln.
-
Neue Halbleiterfabrik Update Microns 15-Mrd-USD-Neubau zieht nach Boise
Vor zwei Wochen kündigte Micron umfangreiche Investitionen an. Langsam wird klar wo es hingehen könnte: Man bleibt Boise treu.
-
UFS 4.0 JEDEC macht den schnellen Smartphone-Speicher offiziell
Die nächste Generation von Flash-Speicher für Smartphones heißt UFS 4.0. Jetzt hat die JEDEC den neuen Standard veröffentlicht.
-
ZenTimings 1.26 RAM-Werkzeug erhält Support für DDR5 und Rembrandt-APUs
ZenTimings kann neben Speichertimings auch Widerstände, den FCLK, MCLK und UCLK auslesen und unterstützt jetzt DDR5 und die Rembrandt-APUs.
-
Arbeitsspeicher Hohe Bestände sorgen für deutlicheren Preisrutsch
Micron hat es bereits angedeutet, jetzt ziehen Marktforscher nach: Die Preise für DRAM-Chips sollen in diesem Quartal deutlich fallen.
-
Für RTX 4000 und RX 7000 Samsung beschleunigt GDDR6-Speicher auf 24 Gbps
Neuer schneller Grafikspeicher aber auch Low-Power-Varianten bisher bereits bekannter Lösungen runden Samsungs neues GDDR6-Portfolio ab.
-
DRAM-Fertigung China investiert bis zu 45 Mrd. USD in neues Unternehmen
Während der Westen um kleinere Milliarden-Beträge für die Halbleiterindustrie streitet, investiert China mal eben 45 Mrd. US-Dollar.
-
Im Test vor 15 Jahren DDR3 feierte mit dem Intel P35 bei Asus Premiere
Vor 15 Jahren führte Intel mit dem P35 einen ersten Chipsatz ein, der den DDR3-Speicherstandard unterstützte – im Test brachte das wenig.
-
IMW 2022 Kioxia experimentiert mit 7 Bit pro NAND-Speicherzelle
Kioxia hatte bereits die Möglichkeit, 6 Bit in einer NAND-Flash-Zelle zu speichern (HLC), demonstriert, und legt jetzt noch ein Bit hinzu.
-
DDR5-Arbeitsspeicher Bandbreiten, Latenzen und Latenzzeiten im Überblick
Für die Einstufung der Geschwindigkeit von DDR5-SDRAM zählen neben dem Speichertakt auch Bandbreite, Latenz und Latenzzeit. Ein Überblick.
-
High-End-Speicher SK Hynix liefert HBM3 für Hopper an Nvidia aus
Nvidia hat die Nutzung von HBM3 für „Hopper“ bereits vor Monaten angekündigt, jetzt zieht dessen Hersteller nach: Es ist SK Hynix.
-
Arbeitsspeicherpreise DDR5-Preise geben deutlich nach, DDR4 fällt stetig weiter
Noch immer gibt DDR4-RAM im Preis leicht nach, bei DDR5 ist der Preisverfall – von sehr hohem Niveau kommend – hingegen gravierend.
-
CXL-Speichererweiterung Samsung enthüllt erste 512-GByte-Lösungen
Sie sehen aus wie eine SSD mit neuem EDSFF-Anschluss, doch sollen so viel mehr sein: die neuen CXL-Speicherlösungen von Samsung.
-
Phasenwechselspeicher 3DVXP von SK Hynix könnte Intels 3D XPoint beerben
Es wird berichtet, dass Intel noch auf einem Berg an 3D-XPoint-Speicher sitzt und keine Pläne mehr hegt, die Technik weiter zu entwickeln.
-
Smartphone-Speicher UFS 4.0 beschleunigt auf über 4 GB/s
Die nächste Generation von Flash-Speicher für Smartphones heißt UFS 4.0 mit doppelt so schneller Schnittstelle und höherer Effizienz.
-
Zoned Storage Update Samsung und WD treiben Speichertechnik vereint voran
Mit Samsung und Western Digital tun sich Schwergewichte der SSD-Branche zusammen, um Speichertechnologien wie Zoned Storage zu etablieren.
-
G.Skill Trident Z5 RGB DDR5-6000 erstmals mit einer CAS-Latency von 30 Taktzyklen
G.Skill hat das erste DDR5-Speicherkit mit 6.000 MT/s und einer niedrigen CAS-Latency von 30 Taktzyklen vorgestellt.
-
Quartalszahlen Micron verdient mit RAM und Flash prächtig
Mit 7,8 Milliarden US-Dollar Umsatz hat Micron knapp 2,3 Milliarden US-Dollar Gewinn erwirtschaftet. Das Geschäft mit DRAM und NAND boomt.
-
Optane-Speicher Update Intel widerspricht Spekulationen um Ausstieg
Immer weniger glauben daran, dass Intels Optane-Speicherprodukte eine Zukunft haben. Doch Intel will offenbar weiter daran festhalten.
-
Im Test vor 15 Jahren Wassergekühlter Arbeitsspeicher von OCZ
Im Test vor 15 Jahren zeigte der OCZ Flex XLC, dass eine Wasserkühlung auch für Arbeitsspeicher Sinn ergeben konnte.
