Samsung startet Massenproduktion in 73 nm

Samsung hat mit der Serienfertigung der weltweit ersten 4 GBit NAND-Flash Komponenten begonnen. Die Chips werden dabei in fortschrittlicher 73 nm-Fertigung hergestellt – dazu passend hat Infineon heute stolz verkündet, dass man als zweiter Speicherhersteller gut sechs Monate nach Samsung nun die Massenproduktion von DRAM in 90 nm-Strukturen begonnen habe.

Samsung ist mit seinem neuen, in 73 nm gefertigten NAND-Chip, jedoch nicht nur Infineon voraus. Auch Intel ist noch mit der Optimierung seines 65 nm Prozesses „P1264“ beschäftigt, der gegen Ende des Jahres die Massenfertigung aufnehmen soll. Allerdings muss man zur Verteidigung Intels feststellen, dass die Fertigung von Speicher immer etwas einfacher ist, als die Verdrahtung von Logik-Schaltungen.

Entwickelt wurde Samsungs 4-Gbit-NAND-Flash-Speicher bereits im September 2003, wobei man der Öffentlichkeit bereits im Dezember 2003 eine (noch in 90 nm gefertigte) 8-Gbit-Variante präsentieren konnte. Ausgehend von 256 Mbit im Jahre 1999 hat sich die Speicherdichte etwa alle 12 Monate verdoppelt. Derzeit stehen als Muster sogar schon (gestapelte) NAND-Chips mit einer Gesamtkapazität von 16 Gbit zur Verfügung.

Durch den Einsatz der 73-nm-Technologie zur Herstellung von 4-GBit-NAND-Flash-Speichern kann Samsung die industrieweit kleinsten Speicherzellen mit einer Fläche von lediglich 0,025 µm² produzieren. Um die feineren Schaltkreise des 73-nm-Prozesses ätzen zu können, kommt eine Argon Fluorid Photolithografie Lichtquelle zum Einsatz. Samsungs neuer Speicher in 73-nm-Technologie bietet eine Schreibgeschwindigkeit von 16 MByte/s und ist somit nach eigenen Angaben 50 Prozent schneller als der mit dem 90-nm-Prozess hergestellte 2-GBit-Baustein.

Darüberhinaus hat Samsung zusammen mit dem 73-nm-Prozess auch die Produktion auf 300-mm-Wafer begonnen. Das Unternehmen hat damit seinen ursprünglichen Zeitplan um einen Monat übertroffen. Für die 300-mm-Waferlinie, Samsungs Line 14, sind zunächst 4.000 Wafer-Starts pro Monat vorgesehen. Bis Ende 2005 soll die Produktion sukzessive auf 15.000 Wafer-Starts erhöht werden. Auf der Line 14 werden 4-GBit-NAND-Fash-Speicher in 70-nm-Technologie sowie 2-GBit-NAND-Flash-Speicher in 90-nm-Technologie hergestellt.