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Samsung hat mit der Serienfertigung der weltweit ersten 4 GBit NAND-Flash Komponenten begonnen. Die Chips werden dabei in fortschrittlicher 73 nm-Fertigung hergestellt – dazu passend hat Infineon heute stolz verkündet, dass man als zweiter Speicherhersteller gut sechs Monate nach Samsung nun die Massenproduktion von DRAM in 90 nm-Strukturen begonnen habe.
Zur News: Samsung startet Massenproduktion in 73 nm
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