Samsung zeigt Flashbausteine in 2x nm

Samsung hat heute erstmals in einem 2x-nm-Prozess hergestellte NAND-Flash-Bausteine vorgestellt. Die MLC-Speicherchips haben eine Kapazität von 32 Gbit und sind für SD-Speicherkarten und Embedded-Lösungen vorgesehen. Die vorherige 3x-nm-Prozessgeneration hatte man erst vor einem Jahr vorgestellt und im Dezember erweitert.

Gegenüber den normalen 3x-nm-Speicherbausteinen sollen Karten mit den neuen Chips – neben Kosteneinsparungen durch einen geringeren Siliziumbedarf – eine 30 Prozent höhere Schreibgeschwindigkeit bieten und so ein „Class 10“-Rating erreichen, das eine minimale Schreibgeschwindigkeit von 10 MB/s garantiert. Die Lesegeschwindigkeit soll Samsung zufolge bei 20 MB/s liegen. Aktuell liefert Samsung erste Testsamples der SD-Karten an Kunden aus und plant die Produktion im Laufe des Jahres auszuweiten und Karten mit Kapazitäten zwischen 4 und 64 GB auszuliefern.