Samsung bemustert Low-Power-DDR2 in 30 nm

Samsung hat den Beginn der Fertigung erster Muster eines monolithischen LPDDR2-Speicherchips (Low-Power-DDR2) der 30-nm-Klasse mit einer Kapazität von vier Gigabit bekannt gegeben. Der neue Speicherchip soll in Mobilgeräten der oberen Leistungsklasse, darunter Smartphones und Tablet-PCs, zum Einsatz kommen.

Den Datendurchsatz gibt Samsung zwischen 667 und 1.066 Megabit pro Sekunde und Pin an. Neben dem monolithischen Speicherchip beginnt Samsung zudem mit der Bemusterung eines acht Gigabit großen Modells, für das zwei 4-Gigabit-Chips in einem Gehäuse übereinander gestapelt werden. Bisher sind zur Realisierung von einem Gigabyte noch vier 2-Gigabit-Chips nötig. Dank des neuen Chips soll sich die Gehäuse-Bauhöhe nun um 20 Prozent auf 0,8 Millimeter reduzieren lassen. Zudem soll die Leistungsaufnahme – für Low-Power-Speicher noch wichtiger – um 25 Prozent niedriger sein. Weiterhin plant Samsung auch mit dem neuen Speicherchip wieder einen Stack aus vier Chips mit einer Gesamtkapazität von dann zwei Gigabyte anzubieten, nennt allerdings noch keinen konkreten Zeitplan.