Elpida entwickelt 4 Gbit großen LPDDR2-Chip

Der japanische DRAM-Hersteller Elpida hat einen 4 Gbit großen Low-Power-DDR2-Chip in 30 Nanometer Strukturbreite entwickelt, der in mobilen Geräten wie Smartphones und Tablets zum Einsatz kommen soll. Der Speicherchip arbeitet mit einer Spannung von 1,2 Volt und erreicht pro Pin Transferraten von bis 1.066 Mbit/s.

Im Vergleich mit einem Stack aus zwei von Elpidas in 40 nm gefertigten 2-Gbit-Chips soll das neue Produkt einen um rund 30 Prozent geringeren Arbeitsstrom benötigen. Elpida wird die DRAM-Chips sowohl einzeln für Multi-Chip-Packages als auch als Package on Package (PoP) und FBGA-Package mit 8 und 16 Gbit Kapazität anbieten. Das dünnste, aus zwei 4-Gbit-Chips bestehende Package ist lediglich 0,8 Millimeter dick. Insgesamt sind die bekannten Informationen dem sehr ähnlich, was Samsung kürzlich für seine LPDDR2-Produkte bekanntgegeben hat.

Der große Unterschied ist, dass Samsung im März bereits mit der Massenproduktion begonnen hat, während Elpida in diesem Monat erst mit der Auslieferung von Samples beginnen wird. Die Massenproduktion in Elpidas Fabrik in Hiroshima soll im Juni beginnen. Um eine größere Produktionssicherheit zu gewährleisten, soll darüber hinaus auch bei Rexchip Electronics in Taiwan gefertigt werden, das Elpida und Powerchip gehört.