Buffalo rüstet SSDs mit ST-MRAM-Cache aus

Buffalo wird auf der vom 20. bis 22. November in Yokohama stattfindenden Konferenz Embedded Technology 2013 eine neue SSD-Serie vorstellen. Bei der SS6-Serie wird statt des üblichen DDR3-DRAMs das nicht flüchtige ST-MRAM von Everspin als Cache eingesetzt, das auch bei einem plötzlichen Stromausfall alle Daten vorhält.

Bei DRAM-Bausteinen ist eine ständige Spannungsversorgung notwendig, um die Daten vorzuhalten. Fällt der Strom unerwartet aus, sind alle noch im Cache befindlichen Daten verloren. Selbst wenn der Cache nicht für Nutzerdaten genutzt wird, kann es nach einem Stromausfall zu Fehlern kommen, wenn die im Cache vorgehaltene Version der Lookup-Tabelle mit Informationen zu den Datenblöcken durch den Stromausfall noch nicht mit jener im Flash-Speicher abgeglichen wurde. Aus diesem Grund werden Laufwerke für den Einsatz in Unternehmen und im industriellen Bereich meist mit Superkondensatoren oder einer Batterie ausgestattet, die dem Controller erlauben, auch bei einem plötzlichen Stromausfall noch die Cache-Inhalte in den Flash-Speicher zu schreiben.

Die für den Einsatz in Embedded-Systemen im industriellen Bereich vorgesehenen SSDs der SS6-Serie können auf eine solche Notstromversorgung verzichten, da das an Stelle von DDR3-DRAM eingesetzte Spin Torque MRAM von Everspin ebenso wie Flash-Speicher nicht flüchtig ist, die Daten also auch ohne anliegende Spannungsversorgung erhalten bleiben und nicht im Flash-Speicher gesichert werden müssen.

Auf die Geschwindigkeit des DRAMs muss dabei im Gegensatz zu Flash-Speicher aber nicht verzichtet werden. Das 64 Mbit DDR3 ST-MRAM ist funktionell mit dem von der JEDEC spezifizierten DDR3-Interface kompatibel und bietet die gleiche Geschwindigkeit. Darüber hinaus bietet das ST-MRAM aber noch zwei weitere Vorteile: Da die Daten der Speicherzellen im Gegensatz zu DRAM nicht ständig erneuert werden müssen (Refresh), nimmt ST-MRAM weniger Leistung auf. Zudem sind die Zugriffszeiten noch etwas niedriger als bei DRAM.

STT-MRAM (Spin Transfer Torque MRAM) gilt auch bei Intel als vielversprechender Nachfolger für DRAM, wobei auch Phase Change Memory (PCM) und Resistive Memory (ReRAM) als potenzielle Nachfolgetechnologien noch im Rennen sind.