3D-NAND von SK Hynix: 3D-V4 mit 256 Gbit auf 72 Layern ist fertig

SK Hynix liegt im Zeitplan: Die für das zweite Quartal angekündigte 4. Generation 3D-NAND (3D-V4) mit 72 Zellebenen (Layer) ist fertig. Die Chips mit der branchenweit höchsten Layer-Zahl bieten eine Speicherkapazität von 256 Gigabit (32 GByte). Die Massenproduktion soll im zweiten Halbjahr beginnen.

Bereits Ende Januar tauchten die ersten Chips der Generation 3D-V4 im Databook (PDF, Direktdownload) auf. Auch dort ist vom zweiten Quartal 2017 für die 256-Gb-Chips die Rede, die Daten im TLC-Prinzip mit drei Bit pro Zelle speichern. Ab dem vierten Quartal ist laut Databook mit dem nächsten Schritt mit doppelter Kapazität von 512 Gigabit pro Die zu rechnen. Der 3D-NAND wird unter anderem in Storage-Produkten wie SSDs, aber auch in Mobilgeräten eingesetzt werden.

Günstigere Herstellung und mehr Leistung

Gegenüber der dritten Generation (3D-V3) mit 48 Layern soll die Produktivität bei der Herstellung um 30 Prozent gesteigert worden sein – das Verfahren verspricht niedrigere Kosten. Zudem soll das „high-speed circuit design“ gleichzeitig für mehr Leistung sorgen. Intern sollen die Chips doppelt so schnell arbeiten. Am Ende seien dadurch lesend wie schreibend 20 Prozent höhere Transferraten als beim 48-Layer-3D-NAND möglich, so der Hersteller.

Die meisten Layer, nicht die meisten Bit

SK Hynix bietet zwar die höchste Anzahl der übereinander liegenden Ebenen mit Speicherzellen, liegt bei der Kapazität pro Die aber noch hinter Samsung und Toshiba/Western Digital zurück, die bereits 3D-NAND mit 512 Gigabit auf 64 Layern entwickelt haben. Im Februar hatten Toshiba und Western Digital den Start der Pilotfertigung verkündet.

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