Kapazitätsausbau: Infineon baut die weltweit größte 200-Millimeter-SiC-Fab

Volker Rißka
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Kapazitätsausbau: Infineon baut die weltweit größte 200-Millimeter-SiC-Fab
Bild: Infineon

Im Februar 2022 bereits von Infineon angekündigt, wird der geplante Ausbau einer 200-Millimeter-SiC-Fab in Malaysia nun viel größer – die Nachfrage wächst markant. Und so wird der vorhandene Platz in Kulim direkt genutzt, um eine weitere Ausbaustufe an das Werk anzubauen.

Infineon wird in den kommenden fünf Jahren zusätzlich bis zu 5 Milliarden Euro in Kulim in eine zweite Phase des Baus von Modul 3 investieren. Zusammen mit der geplanten 200-Millimeter-SiC-Umrüstung der Werke in Villach (Österreich) und Kulim wird diese Investition bis zum Ende des Jahrzehnts zu einem jährlichen SiC-Umsatzpotenzial (Siliciumcarbid) von rund 7 Milliarden Euro führen.

200-Millimeter-SiC-Power-Fab in Kulim nach den Ausbauten
200-Millimeter-SiC-Power-Fab in Kulim nach den Ausbauten (Bild: Infineon)

Der geplante zusätzliche Ausbau wird durch Kundenzusagen in Höhe von rund 5 Milliarden Euro für neue Design-Wins in den Bereichen Automobil und Industrie sowie durch Vorauszahlungen in Höhe von rund einer Milliarde Euro unterstützt. Im Bereich Automotive zählen hierzu sechs OEM, drei davon aus China. Unter den Kunden sind Ford, SAIC und Chery. Im Bereich der erneuerbaren Energien gehören zu den Kunden SolarEdge sowie drei führende chinesische Unternehmen auf den Gebieten Photovoltaik sowie Energiespeichersysteme (ESS).

Darüber hinaus haben sich Infineon und Schneider Electric auf eine Kapazitätsreservierung inklusive Vorauszahlungen für Power-Produkte, die auf Silizium und SiC basieren, verständigt. Infineon und die jeweiligen Kunden werden in naher Zukunft in separaten Mitteilungen mehr Details veröffentlichen. Die Vorauszahlungen werden in den kommenden Jahren positiv zum Cashflow von Infineon beitragen und sollen in Verbindung mit den vereinbarten Absatzmengen bis spätestens 2030 vollständig zurückgezahlt werden.

Große Expansionspläne in der Umsetzung

Erst im Mai dieses Jahres erfolgte der Spatenstich für „eine der größten Halbleiterfabriken Europas“. In Dresden errichtet Infineon die Smart Power Fab, in der künftig 300-mm-Wafer für Analog/Mixed-Signal-Halbleiter gefertigt werden. Mit einem Volumen von 5 Milliarden Euro handelt es sich um die größte Investition der Unternehmensgeschichte. Parallel dazu kauft Infineon auch Schlüsseltechnologie hinzu, neben SiC ist das primär GaN (Galliumnitrid): Im März erklärten Infineon und GaN Systems, dass Infineon GaN Systems für 830 Millionen US-Dollar erwerben wird.

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