News BiCS3: Toshiba und Western Digital fertigen 64-Layer-3D-NAND

[BlackWidowmaker]

Das sind die Platinen der 120 und 250 GB Variante. Sollte man schon bei der Wahrheit bleiben:

Sorry hab nur "Evo 4TB Innenleben" in der Bildsuche eingeben, und mir nicht die Mühe gemacht auch den Text zu lesen. Schande über mich.

 

[Rickmer]

Zur Not hätte man immer noch 3,5" Gehäuse. Also der Platz ist bei weitem nicht das Problem. Die Kapazität ebenfalls nicht.

Wenn du ein 3,5" Gehäuse mit SSD vollstopfen willst, wird das vom thermischen Design her eine Katastrophe^^

 

[Cool Master]

@Rickmer

Achwas... Das sind keine PCIe Karten die richtig heiß werden. Zudem hat man ja idR vor dem 3,5" Slot ein Lüfter.

 

[Holt]

HDD und SSD sind zwei völlig verschiedene Technologien. Du kannst nicht beide ausschließlich über den Preis miteinander vergleichen wie etwa identische Produkte zweier Hersteller und dann sagen: "Das ist zu teuer."

So ist es und wenn man die Diesize der NANDs nimmt und die Kosten von SSDs mit denen anderer Chips vergleich, so sind diese pro mm² Die um Längen günstiger als bei GPUs und CPUs, selbst wenn man sich dort die günstigsten raussucht.

In den letzten Jahren ging der NAND Preis massiv runter weil die Fertigung einiges gegenüber bspw. Prozessoren nachholen musste oder konnte.

Man kann die Fertigungsprozesse nicht vergleichen, während bei CPUs und GPUs kleinere Fertigungsstrukturen tendenziell zu besseren Eigenschaften führen, sind die bei NAND wegen der damit zumindest bei planaren NANDs meist auch kleineren Zellen und Zellabstände für die Eigenschaften negativ, spätestens wenn man unterhalb von 20nm geht.

Mittlerweile ist die Fertigung auf dem Stand der Zeit, ein weiteres Skalieren der Fertigungsgröße ist nicht mit einem Fingerschnippen erledigt.

Ein planaren NANDs wäre allenfalls noch ein Shrink mit viel Mühe machbar, daher setzen auch alle auf 3D NANDs als Ausweg.

Ist schon abzusehen wie viel Potenzial in der Technik steckt?

Derzeit gehen Experten davon aus, dass 128 Layer machbar sein sollten, darüber wird es aber problematisch und man würde dann wohl zu viel Ausschuss produzieren, also die Kosten nicht mehr wirklich senken können.

Na ja wird Samsung halt nachziehen müssen.

Es sollte mich wundern, wenn die nicht auch längst 3D NANDs mit 64 Layern haben, nur dürfte auch das noch nicht serienreif sein.

Warts doch mal ab. Wird schon nicht mehr lange dauern

Die Frage ist halt, was die anderen dann verkaufen, ob also nicht Samsung dann selbst die 4. Generation mit 64 Layern am Start hat und in realen Produkten verkauft, bevor die erste SSD mit dem 64 Layer NAND von Toshiba zu haben ist.

Samsung kann 3D-Nand derzeit einfach nicht günstiger produzieren als 2D-Nand.

Eben, man erwartet für die Samsung V-NANDs das diese bei 64 Layern die Kostenparität zu den planaren 16nm NANDs erreichen werden, erst dann dürfte auch die Fertigung von planaren NANDs so langsam auslaufen.

Jeder "normale" Hersteller fertigt neue Produkte mit neuen Technologien erst dann, wenn diese günstiger zu produzieren sind, als die "alte" Technologie. Nur Samsung hat's anders gemacht, da sie halt auch mal vorne sein wollten.

Die sind vorne, die waren schon bei TLC NANDs Jahre vor den Wettbewerbern und ebenso bei dem 3D NANDs, die seit nun fast genau 3 Jahren in der Massenfertigung sind, nach 10 Jahren Forschungs- und Entwicklungsarbeit. Der Unterschied zu den anderen ist aber eben auch, dass Samsung bei seinen 3D NANDs die Eigenschaften gegenüber den planaren NANDs deutlich verbessert hat und diese daher konsequenterweise zuerst in Enterprise SSDs anbot. Daher ist es für sie nie relevant gewesen sich zu überlegen die Technik erst dann einzusetzen, wenn die Kosten unter denen von planaren NANDs liegen.

Man sieht es ja z.B. im Vergleich zu den 3D NANDs von IMFT, die haben als TLC 1500 P/E Zyklen, die von Samsung in der 850 Evo dagegen 3000, also so viele wie bei dem MLC 3D NAND von IMFT, Samsung MLC V-NAND hat aber viel mehr, ich in der 850 Pro sind es mit 6000 doppelt so viele P/E Zyklen.

Lasst euch bei Samsung nicht zu sehr von Marketing-Geschwafel beeindrucken. So wahnsinnig toll und zuverlässig ist deren NAND leider nicht.

Hast Du dafür Belege? Wenn nicht, dann unterlasse solche dummen Aussagen lieber, denn erstens gibt es deren NANDs nur in deren SSDs mit deren SSD Controllern und damit kann man bei Ausfällen auch gar nicht entscheiden ob diese am NANDs oder dem Controller lagen und zweitens liegt und lag auch in der Vergangenheit immer bei in der Statistik bei Hardware.fr auf dem ersten oder zweiten Platz, also ganz vorne. Dort geht es um SSDs als Ganzes, was ja auch für den Anwender relavanter ist als nur die Frage wie zuverlässig einzelne Komponenten der SSD sind. Ich bin also gespannt Wie Du also eine Aussage bzgl. der Ausfällraten von Samsung NANDs belegen möchtest.

Rein technologisch ist Samsung dem Joint-Venture Toshiba & Sandisk so gut wie immer hinterher gelaufen.

Wenn Du meinst, nur sieht die Fachwelt das anderes und bezeichnet Samsung seit Jahren als technologisch frühenden Hersteller von NANDs. lag doch Samsung bei allen relevanten technischen Neuerungen wie TLC oder §D NANDs bei der Markteinführung Jahre vor allen seinen Wettbewerbern!

Die Botschaft von Toshiba & Sandisk war ja ziemlich eindeutig: 3D Nand gibt's erst, wenn dieser günstiger als 2D-Nand produziert werden kann, und das scheint ja nun ganz offensichtlich der Fall zu sein.

Dann muss man aber eben auch davon ausgehen, dass diese 3D NANDs technisch keine wesentlich besseren Eigenschaften als die planaren NANDs haben und daher alleine die Kosten im Fokus stehen, weil man über die Eigenschaften keinen Mehrwert realisiert der einen Mehrpreis rechtfertigen würde.

Sehe ich auch so. Würde mich nicht wundern, wenn Samsung der erste Hersteller einer SSD wäre, die einerseits 512GBit/Chip erreicht, andererseits 64 Layer oder mehr verwendet. Oder glaubt jemand, daß Samsung, aber auch Intel/Micron nicht schon längst auf der selben Schiene entwickeln?[/QOTE] Klar entwickeln die alle an der nächsten und übernächsten Generation und die werden mit Sicherheit mehr Layer haben. Bei Samsung waren es 24 in der ersten Generation, dann 32 in der zweiten (33% mehr) und nun 48 in der dritten, also 50% mehr als beim Vorgänger und wenn man nun noch einmal 50% drauf legt, wäre es sogar 72 Layer für die nächste Generation. Toshiba ist eben recht ambitioniert, wenn sie gleich bei den ersten NANDs schon 64 Layer realisieren wollen und bezahlen dann vielleicht mit einer längeren Anlaufphase für die Fertigung dafür.

Aber generell fände ich es toll, wenn mal aus der Ecke WD/Toshiba neue Produkte auf den Markt kämen, die es auch wert sind, empfohlen zu werden.

Mal sehen was WD nun bei SanDisk ändern wird, aber bisher waren vor allem die Controller die Schwachstelle der Produkte und bei guten Produkten wie der Extreme Pro war es der Preis.

Wenn du ein 3,5" Gehäuse mit SSD vollstopfen willst, wird das vom thermischen Design her eine Katastrophe^^

So warm werden die NANDs nicht, warm wird vor allem der Controller und dessen Wärme kann man an der Gehäuse abgeben. Außerdem ist es für die NANDs ja sogar besser wenn sie im Betrieb wärmer sind, so leidet dann die Isolierschicht weniger beim Schreiben und Löschen, die NANDs halten also mehr P/E Zyklen aus.

Übrigens zum Newsupdate: 64 Layer sind nur 33,3% mehr als 48, wenn man also 40% mehr Kapazität hat, so wurde irgend anderes auch noch Platz eingespart, vielleicht nur durch die Erhöhung der Diesize auf 512 Gbit, vielleicht durch Verkleinerung der Zellen, Zellabstände oder anderer Strukturen wie der Logik.

 

[ich_nicht]

Da bleibt nur noch die Flucht nach oben. Mal gucken wann das bei den CPUs/GPUs angekommen ist.

 

[Holt]

. So ist von einer gegenüber 48 Lagen um 40 Prozent erhöhten Kapazität pro Die die Rede.

In der Quelle steht was von 256Gbit/Die, damit wäre die Kapazität nicht höher und 40% wäre für den Diesize ungewöhnlich. Wie sollte man außerdem mehr Dies pro Wafer fertigen, wenn die Steigerung von 48 Layern auf 64 (33,3%) in für 40% mehr Kapazität verwendet würden? Dann müssten der Diesize ja auch etwas größer sein und damit würden weniger und nicht mehr Dies auf einen Wafer passen. Also bitte noch mal die Quelle richtig lesen und korrekt übersetzen:

The new device succeeds the 48-layer BiCS FLASH™, and its leading-edge 64-layer stacking process realizes a 40% larger capacity per unit chip size than 48-layer stacking process, reduces the cost per bit, and increases the manufacturability of memory capacity per one silicon wafer.

 

[MichaG]

Ja, das ergibt so keinen Sinn. Da fehlt ein Wort: "40 Prozent erhöhten Kapazität pro Die-Fläche". Nun passts

 

[Holt]

Pro Diefläche passt auch nur, wenn die sonstig Fläche kleiner geworden ist, denn von 48 auf 64 Layer sind ja nur 33% mehr. Was die genau mit "unit chip size" meinen, ist mir auch nicht ganz klar, aber die Chipfläche kann es eben nur sein, wenn man neben der Erhöhung der Anzahl der Layer zugleich den Anteil des Speicherarray an der Größe eines Dies verringern konnte, da Toshiba wohl anderes als IMFT die Beschaltung nicht unter sondern wie Samsung neben dem Speicherarray platziert haben dürfte.

 

[MichaG]

Toshibas Pressemitteilungen haben oft etwas seltsames Englisch. Aber ich denke schon, dass es so gemeint ist. Die größte Kapazitätssteigerung kommt durch die Layer und ein wenig noch durch eine kleinere Die-Size.