Omnicron
Lieutenant
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- März 2006
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Hallo zusammen,
vorab hier meine Systemspecs:
Da mir beim Alpha-Testen gerne mal der RAM vollläuft und die 32GB überschreitet, habe ich mir von dem RAM zwei weitere Module besorgt, ergo 4 x 16GB. Memtest zeigt an, dass alle RAM-Bausteine in Ordnung sind.
Phänomen aber: während Tests (Stresstests, 3DMark) lief das System stabil und performant. Unter Last ingame erhalte ich, insbesondere bei Partikelberechnungen, einen Systemcrash, d.h. der PC schaltet sich einfach aus. Nachdem ich diese Situation zum dritten Mal hatte, wollte der PC sich mit den vier Modulen gar nicht mehr mit den XMP-Specs booten lassen und akzeptierte nur noch 2133 MHz.
Lasse ich den PC aber mit nur zwei RAM-Modulen laufen, ist alles schick. System läuft stabil und mit den XMP-Specs (3.600 MHz, 14-14-14-34er Latenz). Ist das Phänomen bekannt, kann man keine 4 Module mit solchen timings laufen lassen? Habt ihr Lösungsansätze? Oder sollte ich die zwei RAM-Module zurücksenden?
vorab hier meine Systemspecs:
[Computer]
Computer-Markenname: MSI MS-7C91
[Motherboard]
Motherboard-Modell: MSI MAG B550 TOMAHAWK (MS-7C91)
Motherboard-Chipsatz: AMD B550 (Promontory PROM19 C)
BIOS ----------------------------------------------------------------------
BIOS-Hersteller: American Megatrends International, LLC.
BIOS-Version: A.90
BIOS-Veröffentlichungsdatum: 03/17/2022
BIOS-Startsegment: F000
BIOS-Größe: 32 MByte
System-BIOS-Version: 5.17
Prozessor -----------------------------------------------------------------
Prozessor-Hersteller: Advanced Micro Devices, Inc.
Processor Version: AMD Ryzen 9 5950X 16-Core Processor
Externe Frequenz: 100 MHz
Maximal unterstützte Frequenz: 5050 MHz
Aktuelle Frequenz: 3400 MHz
Prozessor-Spannung: 1.1 V
Sockel-Bezeichnung: AM4
Physisches Speicher-Array -------------------------------------------------
Array-Speicherort: System board
Array-Verwendung: System memory
Fehlererkennungsmethode: None
Speicherkapazität: 128 GByte
Speichergeräte: 4
Speichergerät -------------------------------------------------------------
Totale Breite: 64 bits
Datenbreite: 64 bits
Gerätegröße: 16384 MByte
Formfaktor des Geräts: DIMM
Gerätefinder: DIMM 1
Bank Locator: P0 CHANNEL A
Gerätetyp: DDR4
Details zum Gerätetyp: Synchronous
Speichergeschwindigkeit: 3600 MHz
Hersteller: Unknown
Seriennummer: 00000000
Artikelnummer: F4-3600C14-16GTZNA
Asset Tag:
Speichergerät -------------------------------------------------------------
Totale Breite: 64 bits
Datenbreite: 64 bits
Gerätegröße: 16384 MByte
Formfaktor des Geräts: DIMM
Gerätefinder: DIMM 1
Bank Locator: P0 CHANNEL B
Gerätetyp: DDR4
Details zum Gerätetyp: Synchronous
Speichergeschwindigkeit: 3600 MHz
Hersteller: Unknown
Seriennummer: 00000000
Artikelnummer: F4-3600C14-16GTZNA
Asset Tag:
Speicher ------------------------------------------------------------------
[Allgemeine Informationen]
Gesamtspeichergröße: 32 GBytes
Total Memory Size [MB]: 32768
[Aktuelle Leistungseinstellungen]
Maximal unterstützte Speicherfrequenz: Unbegrenzt
Aktuelle Speicherfrequenz: 1800.1 MHz
Aktuelles Timing (tCAS-tRCD-tRP-tRAS): 14-14-14-34
Unterstützte Speicherkanäle: 2
Aktive Speicherkanäle: 2
Befehlsrate (CR): 1T
Read to Read Delay (tRDRD_SC) Same Chipselect: 1T
Read to Read Delay (tRDRD_SG/TrdrdScL) Same Bank Group: 5T
Read to Read Delay (tRDRD_SD) Same DIMM: 5T
Read to Read Delay (tRDRD_DD) Different DIMM: 4T
Write to Write Delay (tWRWR_SC) Same Chipselect: 1T
Write to Write Delay (tWRWR_SG/TwrwrScL) Same Bank Group: 5T
Write to Write Delay (tWRWR_SD) Same DIMM: 9T
Write to Write Delay (tWRWR_DD) Different DIMM: 9T
Read to Write Delay (tRDWR): 12T
Write to Read Delay (tWRRD): 4T
Read to Precharge Delay (tRTP): 14T
Write to Precharge Delay (tWTP): 37T
Write Recovery Time (tWR): 26T
Row Cycle Time (tRC): 85T
Refresh Cycle Time (tRFC): 631T
Four Activate Window (tFAW): 38T
Row: 2 [P0 CHANNEL A/DIMM 1] - 16 GB PC4-28800 DDR4 SDRAM G.Skill F4-3600C14-16GTZNA
[Allgemeine Modulinformationen]
Modulnummer: 2
Modulgröße: 16 GBytes
Speichertyp: DDR4 SDRAM
Modultyp: Unbuffered DIMM (UDIMM)
Speichergeschwindigkeit: 1801.8 MHz (DDR4-3603 / PC4-28800)
Modulhersteller: G.Skill
Modul-Teilenummer: F4-3600C14-16GTZNA
Modulrevision: 0.0
Seriennummer des Moduls: N/A
Herstellungsdatum des Moduls: N/A
Standort der Modulherstellung: 0
SDRAM-Hersteller: Samsung
DRAM Steppping: 0.0
Fehlerprüfung/Korrektur: None
[Moduleigenschaften]
Zeilenadressenbits: 16
Spaltenadressenbits: 10
Moduldichte: 8192 Mb
Anzahl der Ränge: 2
Anzahl Bankgruppen: 4
Gerätebreite: 8 bits
Bus Width: 64 bits
Die Count: 1
Modulnennspannung (VDD): 1.2 V
Minimale SDRAM-Zykluszeit (tCKAVGmin): 0.93800 ns (1066 MHz)
Maximale SDRAM-Zykluszeit (tCKAVGmax): 1.50000 ns
Unterstützte CAS#-Latenzen: 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16
Minimale CAS#-Latenzzeit (tAAmin): 13.750 ns
Minimale Verzögerung von RAS# zu CAS# (tRCDmin): 13.750 ns
Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.750 ns
Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 33.000 ns
Unterstütztes Modul-Timing bei 1066.7 MHz: 15-15-15-36
Unterstütztes Modul-Timing bei 933.3 MHz: 13-13-13-31
Unterstütztes Modul-Timing bei 800.0 MHz: 11-11-11-27
Unterstütztes Modul-Timing bei 666.7 MHz: 10-10-10-22
Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 46.750 ns
Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC1min): 350.000 ns
Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC2min): 260.000 ns
Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC4min): 160.000 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 21.000 ns
Minimum Active to Active Delay Time - Different Bank Group (tRRD_Smin): 3.700 ns
Minimum Active to Active Delay Time - Same Bank Group (tRRD_Lmin): 5.300 ns
Minimum CAS to CAS Delay Time - Same Bank Group (tCCD_Lmin): 5.625 ns
Computer-Markenname: MSI MS-7C91
[Motherboard]
Motherboard-Modell: MSI MAG B550 TOMAHAWK (MS-7C91)
Motherboard-Chipsatz: AMD B550 (Promontory PROM19 C)
BIOS ----------------------------------------------------------------------
BIOS-Hersteller: American Megatrends International, LLC.
BIOS-Version: A.90
BIOS-Veröffentlichungsdatum: 03/17/2022
BIOS-Startsegment: F000
BIOS-Größe: 32 MByte
System-BIOS-Version: 5.17
Prozessor -----------------------------------------------------------------
Prozessor-Hersteller: Advanced Micro Devices, Inc.
Processor Version: AMD Ryzen 9 5950X 16-Core Processor
Externe Frequenz: 100 MHz
Maximal unterstützte Frequenz: 5050 MHz
Aktuelle Frequenz: 3400 MHz
Prozessor-Spannung: 1.1 V
Sockel-Bezeichnung: AM4
Physisches Speicher-Array -------------------------------------------------
Array-Speicherort: System board
Array-Verwendung: System memory
Fehlererkennungsmethode: None
Speicherkapazität: 128 GByte
Speichergeräte: 4
Speichergerät -------------------------------------------------------------
Totale Breite: 64 bits
Datenbreite: 64 bits
Gerätegröße: 16384 MByte
Formfaktor des Geräts: DIMM
Gerätefinder: DIMM 1
Bank Locator: P0 CHANNEL A
Gerätetyp: DDR4
Details zum Gerätetyp: Synchronous
Speichergeschwindigkeit: 3600 MHz
Hersteller: Unknown
Seriennummer: 00000000
Artikelnummer: F4-3600C14-16GTZNA
Asset Tag:
Speichergerät -------------------------------------------------------------
Totale Breite: 64 bits
Datenbreite: 64 bits
Gerätegröße: 16384 MByte
Formfaktor des Geräts: DIMM
Gerätefinder: DIMM 1
Bank Locator: P0 CHANNEL B
Gerätetyp: DDR4
Details zum Gerätetyp: Synchronous
Speichergeschwindigkeit: 3600 MHz
Hersteller: Unknown
Seriennummer: 00000000
Artikelnummer: F4-3600C14-16GTZNA
Asset Tag:
Speicher ------------------------------------------------------------------
[Allgemeine Informationen]
Gesamtspeichergröße: 32 GBytes
Total Memory Size [MB]: 32768
[Aktuelle Leistungseinstellungen]
Maximal unterstützte Speicherfrequenz: Unbegrenzt
Aktuelle Speicherfrequenz: 1800.1 MHz
Aktuelles Timing (tCAS-tRCD-tRP-tRAS): 14-14-14-34
Unterstützte Speicherkanäle: 2
Aktive Speicherkanäle: 2
Befehlsrate (CR): 1T
Read to Read Delay (tRDRD_SC) Same Chipselect: 1T
Read to Read Delay (tRDRD_SG/TrdrdScL) Same Bank Group: 5T
Read to Read Delay (tRDRD_SD) Same DIMM: 5T
Read to Read Delay (tRDRD_DD) Different DIMM: 4T
Write to Write Delay (tWRWR_SC) Same Chipselect: 1T
Write to Write Delay (tWRWR_SG/TwrwrScL) Same Bank Group: 5T
Write to Write Delay (tWRWR_SD) Same DIMM: 9T
Write to Write Delay (tWRWR_DD) Different DIMM: 9T
Read to Write Delay (tRDWR): 12T
Write to Read Delay (tWRRD): 4T
Read to Precharge Delay (tRTP): 14T
Write to Precharge Delay (tWTP): 37T
Write Recovery Time (tWR): 26T
Row Cycle Time (tRC): 85T
Refresh Cycle Time (tRFC): 631T
Four Activate Window (tFAW): 38T
Row: 2 [P0 CHANNEL A/DIMM 1] - 16 GB PC4-28800 DDR4 SDRAM G.Skill F4-3600C14-16GTZNA
[Allgemeine Modulinformationen]
Modulnummer: 2
Modulgröße: 16 GBytes
Speichertyp: DDR4 SDRAM
Modultyp: Unbuffered DIMM (UDIMM)
Speichergeschwindigkeit: 1801.8 MHz (DDR4-3603 / PC4-28800)
Modulhersteller: G.Skill
Modul-Teilenummer: F4-3600C14-16GTZNA
Modulrevision: 0.0
Seriennummer des Moduls: N/A
Herstellungsdatum des Moduls: N/A
Standort der Modulherstellung: 0
SDRAM-Hersteller: Samsung
DRAM Steppping: 0.0
Fehlerprüfung/Korrektur: None
[Moduleigenschaften]
Zeilenadressenbits: 16
Spaltenadressenbits: 10
Moduldichte: 8192 Mb
Anzahl der Ränge: 2
Anzahl Bankgruppen: 4
Gerätebreite: 8 bits
Bus Width: 64 bits
Die Count: 1
Modulnennspannung (VDD): 1.2 V
Minimale SDRAM-Zykluszeit (tCKAVGmin): 0.93800 ns (1066 MHz)
Maximale SDRAM-Zykluszeit (tCKAVGmax): 1.50000 ns
Unterstützte CAS#-Latenzen: 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16
Minimale CAS#-Latenzzeit (tAAmin): 13.750 ns
Minimale Verzögerung von RAS# zu CAS# (tRCDmin): 13.750 ns
Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.750 ns
Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 33.000 ns
Unterstütztes Modul-Timing bei 1066.7 MHz: 15-15-15-36
Unterstütztes Modul-Timing bei 933.3 MHz: 13-13-13-31
Unterstütztes Modul-Timing bei 800.0 MHz: 11-11-11-27
Unterstütztes Modul-Timing bei 666.7 MHz: 10-10-10-22
Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 46.750 ns
Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC1min): 350.000 ns
Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC2min): 260.000 ns
Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC4min): 160.000 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 21.000 ns
Minimum Active to Active Delay Time - Different Bank Group (tRRD_Smin): 3.700 ns
Minimum Active to Active Delay Time - Same Bank Group (tRRD_Lmin): 5.300 ns
Minimum CAS to CAS Delay Time - Same Bank Group (tCCD_Lmin): 5.625 ns
Da mir beim Alpha-Testen gerne mal der RAM vollläuft und die 32GB überschreitet, habe ich mir von dem RAM zwei weitere Module besorgt, ergo 4 x 16GB. Memtest zeigt an, dass alle RAM-Bausteine in Ordnung sind.
Phänomen aber: während Tests (Stresstests, 3DMark) lief das System stabil und performant. Unter Last ingame erhalte ich, insbesondere bei Partikelberechnungen, einen Systemcrash, d.h. der PC schaltet sich einfach aus. Nachdem ich diese Situation zum dritten Mal hatte, wollte der PC sich mit den vier Modulen gar nicht mehr mit den XMP-Specs booten lassen und akzeptierte nur noch 2133 MHz.
Lasse ich den PC aber mit nur zwei RAM-Modulen laufen, ist alles schick. System läuft stabil und mit den XMP-Specs (3.600 MHz, 14-14-14-34er Latenz). Ist das Phänomen bekannt, kann man keine 4 Module mit solchen timings laufen lassen? Habt ihr Lösungsansätze? Oder sollte ich die zwei RAM-Module zurücksenden?