News Neue ReRAM-Prototypen von Crossbar und Micron

[shubfm]

ich glaube das ist memristor-technik, weiß das wer? die technik ist nun mal in den staaten entwickelt worden. das MIT steht nicht in deutschland..

 

[cl55amg]

ich glaube das ist memristor-technik, weiß das wer? die technik ist nun mal in den staaten entwickelt worden. das MIT steht nicht in deutschland..

Richtig! Weder die PCGH noch Computerbase schaffte es den Namen der Technologie zu nennen, auf die ReRAM aufbaut!

Was noch ähnlich ist, ist ein großer Teil des Textes:
Computerbase 22.12.2014 - 11:40 Uhr von Silvio Werner

ReRAM (Resistive Random-Access Memory) gilt neben STT-MRAM und Phase Change Memory als der Kandidat für den Speicher der Zukunft. Das bisher fortschrittlichste Design konnte nun Crossbar, ein US-Amerikanisches Start-up präsentieren – die bereits funktionierenden Entwürfe sollen sich in großen Fabriken produzieren lassen.

Crossbar wurde 2010 in Santa Clara gegründet und konnte sich eine Finanzierung von 50 Millionen Dollar sichern. Die Firma besteht aus 40-50 Mitarbeitern und hat sich der Entwicklung und Umsetzung neuer Speichertechniken, allen voran ReRAM, verschrieben.
ReRAM besteht aus einer aktiven Lage eines Metalloxid, mittels elektrischer Spannung kann dessen Widerstand stark verändert werden. Dieser „Durchgang“ kann ausgelesen werden, dies repräsentiert die Zustände „An“ und „Aus“. Die Veränderung im Material bleibt auch ohne Spannung erhalten.
Gegenüber konventionellen NAND-Speicherzellen bietet ReRAM sowohl eine gesteigerte Haltbarkeit als auch Geschwindigkeit.

PCGH 23.12.2014 - 10:15 Uhr von Benjamin Molitor
http://www.pcgameshardware.de/RAM-Hardware-154108/News/ReRAM-Prototypen-Crossbar-Micron-1146586/

Neben STT-MRAM und Phase Change Memory gilt ReRAM (Resistive Random-Access Memory) als vielversprechendster Kandidat für den Speicher der Zukunft.

Das 2010 in Santa Clara gegründete Unternehmen Crossbar konzentriert sich voll und ganz auf die Entwicklung und Umsetzung neuer Speichertechnologien – vor allem auf ReRAM. Dieser setzt sich aus einer aktiven Lage Metalloxid zusammen, dessen Widerstand durch elektrische Spannung stark verändert werden kann. Auf diese Weise lassen sich An- und Aus-Zustände erzielen, die für ein Binärsystem notwendig sind. Selbst ohne Spannung bleiben die Änderungen im Material bestehen. Verglichen mit handelsüblichen NAND-Speicherzellen punktet ReRAM einerseits mit einer besseren Haltbarkeit, andererseits auch mit einer besseren Performance.

Ich sag jetzt mal jetzt nichts dazu...