syfsyn schrieb:
Damit mehr tlc based ssm/d gekauft werden die dann früher ausfallen.
Ob sie früher ist gar nicht sicher, da die wenigsten Heimanwender und an solche richten sich diese SSDs, überhaupt einen Bruchteil der P/E Zyklen der NANDs aufbrauchen werden bevor sie die SSD gegen eine neuere, größere, schnellere ersetzen.
syfsyn schrieb:
Wer denkt das nur ~100tbw reichen nur erwähnt je größer die ssd /m desto mehr daten schreibt man auf dauer.
da je speicherzelle 4 mal soviel daten gespeichert werden
Wieso sollte das so sein?
syfsyn schrieb:
also je kleiner die daten desto mehr tbvw verliert man
Flash speicher lässt sich nur in blöcke Speichern und tlc sind 8 Speicherzustände
Das ist falsch wie der Rest den Du hier zum Besten gibt, denn NANDs können Blockweise nur gelöscht aber Pageweise gelesen und beschrieben werden und die Pages sind weitaus kleiner als die Blöcke.
syfsyn schrieb:
Der comntroler sorgt dafür das alle datenblöcke genutzt werden.also je mehr sequenziell gespeichert wird desto schneller altert die ssd/m
Genau umgekehrt ist es korrekt, kurze zufällig Schreibzugriffe erzeugen die höchste Write Amplification, weshalb die DWPD bei guten Enterprise SSDs auch auf der Basis des Worst Case, also zufälligen 4k Schreibzugriffen über den ganzen Adressraum einer komplett gefüllten SSD (Stady State) angegeben werden.
syfsyn schrieb:
Somit sind 100tbw in mlc deutlich länger haltbar als 100tbw in tlc
??? Wenn die NANDs einer SSD mit MLC 100TBW aushalten und die einer mit TLC NAND ebensoviele, dann ist da kein Unterschied ob es MLC oder TLC ist. Dies gibt es durchaus, für die 16nm MLC NANDs der Crucial BX100 waren sogar nur 2000 spezifizierte P/E Zyklen in den S.MA.R.T. Werten hinterlegt, während es für die TLC NANDs der 850Evo 3000 sind.
syfsyn schrieb:
man kann sagen 1 mlc zu 4 tlc mal schneller beschrieben
lediglich der controler vermeidet das dies auffällt
Ob viermal oder weniger hängt von vielen Faktoren ab, aber TLC ist beim Schreiben langsamer, sofern wirklich alle 3 Bits geschrieben werden als MLC. Dies wird durch Pseudo-SLC Schreibcaches vor allem bei SSDs mit TLC NAND aber zuweilen auch bei solchen mit MLC NAND aber zumindest für einige GB überdeckt und die wenigsten Heimanwender schreiben wirklich öfter viele GB am Stück auf ihre SSD. Wenn doch, sollten sie etwas mehr für ein entsprechendes Modell ausgeben.
syfsyn schrieb:
Das hat primär nichts mit den datenmengen an sich zutun sondern wie oft die speicherzellen beschrieben werden können.
So ein Unsinn.
syfsyn schrieb:
Es ist schlicht eine stappelung der chipebene und somit nicht besser als 2d tlc nur kleiner
Zumindest für die 3D NANDs von Samsung ist das definitiv falsch, da dort die Zellen ganz anders aufgebaut sind, zylindrisch statt flach. Das sieht man auch an der Datendichte, die ist bei Samsungs 32 Layer V-NAND nur doppelt so hoch wie sie bei Toshibas planaren 15nm NANDs ist, was bedeuitet das jede Zelle die 16 fache Grundfläche belegt!
Wie es bei den 3D NANDs der anderen Anbieter aussieht, kann man aber (noch) nicht sagen, zumindest bei dem von IMFT könnte sogar ungefähr so sein wie Du es beschreibst. Kleiner sind die Zellen aber auch dort nicht, denn auch deren 3D NAND hat als TLC mehr P/E Zyklen wie die planare Ausführung hatte.