Hallo,
ich habe im Augenblick nur 512 MB Hauptspeicher und möchte möglichst viel (soweit sinnvoll) dazupacken.
Welche Karten kommen da in Frage und wo sind sie ggf. einzustecken (A0,A1,A2,A3) ?
Ich habe folgende Informationen (und hoffe,dass diese ausreichend sind für die Beurteilung):
Allgemeine Informationen :
A0 : Leer
A1 (RAS 2) : 256 (Single Bank)
A2 : Leer
A3 (RAS 6) : 256 (Single Bank)
Information SPD EEPROM (A1) :
Hersteller : Samsung
Part Number : M3 78T3354CZ3-CD5
Seriennummer : F60317BA
Type : DDR2-SDRAM PC2-4300 (266 MHz) - [DDR2-533]
Format : Regular UDIMM (133,35 x 3)
Größe : 256 MB (1 ranks, 4 banks)
Module Buffered : Nein
Module Registered : Nein
Module SLi Ready (EPP) : Nein
Breite : 64-bit
Fehlerbehebungs-Möglichkeit : No
Max. Burst Length : 8
Refresh : Reduced (.5x)7.8 µs, Self Refresh
Voltage : SSTL 1.8v
Prefetch Buffer : 4-bit
Hersteller : Woche 48 von 2005
Unterstützte Frequenzen : 200 MHz, 266 MHz, 266 MHz
CAS Wartezeit (tCL) : 3 clocks @200 MHz, 4 clocks @266 MHz, 5 clocks @266 MHz
RAS nach CAS (tRCD) : 3 clocks @200 MHz, 4 clocks @266 MHz, 4 clocks @266 MHz
RAS Vorladen (tRP) : 3 clocks @200 MHz, 4 clocks @266 MHz, 4 clocks @266 MHz
Taktzeit (tRAS) : 8 clocks @200 MHz, 11 clocks @266 MHz, 11 clocks @266 MHz
Min TRC : 11 clocks @200 MHz, 15 clocks @266 MHz, 15 clocks @266 MHz
Information SPD EEPROM (A3) :
Hersteller : Samsung
Part Number : M3 78T3354CZ3-CD5
Seriennummer : F603175C
Type : DDR2-SDRAM PC2-4300 (266 MHz) - [DDR2-533]
Format : Regular UDIMM (133,35 x 3)
Größe : 256 MB (1 ranks, 4 banks)
Module Buffered : Nein
Module Registered : Nein
Module SLi Ready (EPP) : Nein
Breite : 64-bit
Fehlerbehebungs-Möglichkeit : No
Max. Burst Length : 8
Refresh : Reduced (.5x)7.8 µs, Self Refresh
Voltage : SSTL 1.8v
Prefetch Buffer : 4-bit
Hersteller : Woche 48 von 2005
Unterstützte Frequenzen : 200 MHz, 266 MHz, 266 MHz
CAS Wartezeit (tCL) : 3 clocks @200 MHz, 4 clocks @266 MHz, 5 clocks @266 MHz
RAS nach CAS (tRCD) : 3 clocks @200 MHz, 4 clocks @266 MHz, 4 clocks @266 MHz
RAS Vorladen (tRP) : 3 clocks @200 MHz, 4 clocks @266 MHz, 4 clocks @266 MHz
Taktzeit (tRAS) : 8 clocks @200 MHz, 11 clocks @266 MHz, 11 clocks @266 MHz
Min TRC : 11 clocks @200 MHz, 15 clocks @266 MHz, 15 clocks @266 MHz
Speicherkontroller Information :
Speicher Controller : System Memory
Location : Mainboard
Fehlerbehebungs-Möglichkeit : Nein
Anzahl Verbinder : 4
Max. Modulgröße : 4096 KB
ich habe im Augenblick nur 512 MB Hauptspeicher und möchte möglichst viel (soweit sinnvoll) dazupacken.
Welche Karten kommen da in Frage und wo sind sie ggf. einzustecken (A0,A1,A2,A3) ?
Ich habe folgende Informationen (und hoffe,dass diese ausreichend sind für die Beurteilung):
Allgemeine Informationen :
A0 : Leer
A1 (RAS 2) : 256 (Single Bank)
A2 : Leer
A3 (RAS 6) : 256 (Single Bank)
Information SPD EEPROM (A1) :
Hersteller : Samsung
Part Number : M3 78T3354CZ3-CD5
Seriennummer : F60317BA
Type : DDR2-SDRAM PC2-4300 (266 MHz) - [DDR2-533]
Format : Regular UDIMM (133,35 x 3)
Größe : 256 MB (1 ranks, 4 banks)
Module Buffered : Nein
Module Registered : Nein
Module SLi Ready (EPP) : Nein
Breite : 64-bit
Fehlerbehebungs-Möglichkeit : No
Max. Burst Length : 8
Refresh : Reduced (.5x)7.8 µs, Self Refresh
Voltage : SSTL 1.8v
Prefetch Buffer : 4-bit
Hersteller : Woche 48 von 2005
Unterstützte Frequenzen : 200 MHz, 266 MHz, 266 MHz
CAS Wartezeit (tCL) : 3 clocks @200 MHz, 4 clocks @266 MHz, 5 clocks @266 MHz
RAS nach CAS (tRCD) : 3 clocks @200 MHz, 4 clocks @266 MHz, 4 clocks @266 MHz
RAS Vorladen (tRP) : 3 clocks @200 MHz, 4 clocks @266 MHz, 4 clocks @266 MHz
Taktzeit (tRAS) : 8 clocks @200 MHz, 11 clocks @266 MHz, 11 clocks @266 MHz
Min TRC : 11 clocks @200 MHz, 15 clocks @266 MHz, 15 clocks @266 MHz
Information SPD EEPROM (A3) :
Hersteller : Samsung
Part Number : M3 78T3354CZ3-CD5
Seriennummer : F603175C
Type : DDR2-SDRAM PC2-4300 (266 MHz) - [DDR2-533]
Format : Regular UDIMM (133,35 x 3)
Größe : 256 MB (1 ranks, 4 banks)
Module Buffered : Nein
Module Registered : Nein
Module SLi Ready (EPP) : Nein
Breite : 64-bit
Fehlerbehebungs-Möglichkeit : No
Max. Burst Length : 8
Refresh : Reduced (.5x)7.8 µs, Self Refresh
Voltage : SSTL 1.8v
Prefetch Buffer : 4-bit
Hersteller : Woche 48 von 2005
Unterstützte Frequenzen : 200 MHz, 266 MHz, 266 MHz
CAS Wartezeit (tCL) : 3 clocks @200 MHz, 4 clocks @266 MHz, 5 clocks @266 MHz
RAS nach CAS (tRCD) : 3 clocks @200 MHz, 4 clocks @266 MHz, 4 clocks @266 MHz
RAS Vorladen (tRP) : 3 clocks @200 MHz, 4 clocks @266 MHz, 4 clocks @266 MHz
Taktzeit (tRAS) : 8 clocks @200 MHz, 11 clocks @266 MHz, 11 clocks @266 MHz
Min TRC : 11 clocks @200 MHz, 15 clocks @266 MHz, 15 clocks @266 MHz
Speicherkontroller Information :
Speicher Controller : System Memory
Location : Mainboard
Fehlerbehebungs-Möglichkeit : Nein
Anzahl Verbinder : 4
Max. Modulgröße : 4096 KB