News X-NAND: Startup verspricht QLC-Kapazität mit SLC-Leistung

Rache Klos schrieb:
...QLC weniger haltbar ist...
Genau, daher werden die SSD`s mit dieser Technik zwar gut für "normale" Heimanwender sein,
mehr aber nicht. Wenn es um hohe Schreiblasten geht und die SSD dabei länger halten soll,
kommt man um MLC oder vieleicht noch TLC nicht rum. Mit QLC und den 4 Bit wird das nichts.
 
Die NAND-Artikel können bald den Batterie-Superduperdurchbruchsartikeln Konkurrenz machen.
 
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Rache Klos schrieb:
aber das macht meine Aussage die du ja auch bestätigt hast überhaupt nicht falsch, dass QLC weniger haltbar ist als SLC und entsprechend dieser Nachteil auch bei diesem vorgestellten Speichertyp bestehen bleibt. Im übrigen gibt es doch einen Zeitfaktor, der bedingt durch die Alterung entsteht. Die Oxydschicht zwischen Control Gat und Floating Gate wird durchlässig, so dass die Zelle die Ladung weniger lang halten kann und so ihren Zustand verändert, was die Zelle dann quasi für Speicherung unbrauchbar macht.
Und auch das das wurde im von mir verlinkten Text beschrieben. Deine Schlußfolgerung aus der Ladungsverlustthematik war aber "je älter die Zelle wird desto kürzer wird die Zeit in der die Zelle die Spannung hält" und das ist eben nicht richtig. Denn wenn Ladung verloren geht, kann der Controller kann die Zelle auffrischen ohne sie zu löschen. Daher geht es bei Endurance von aktiven SSDs allein um die Anzahl wie oft eine Zelle gelöscht und neu beschrieben werden kann und nicht um die Zeit, wie lange die Ladung gehalten wird, bevor sie verloren geht.
 
RonnyVillmar schrieb:
Genau, daher werden die SSD`s mit dieser Technik zwar gut für "normale" Heimanwender sein,
mehr aber nicht.
Sowas wäre dann Standardvariante für 99% der Heimanwender.

Natürlich wirds weiterhin Leute geben die ihren Bedarf komplett überschätzen und Panik bekommen wenn die SSD nach 2 Jahren 20% der Erase Cycle verbraucht hat, ohne zu verstehen das sie weitere 8 Jahre die SSD in der gleichen Art weiterbenutzen könnten. Und die Leute die wirklich wissen was sie brauchen, wählen ja heute schon die passende SSD zu ihren Anwendungsprofil. Und wer es richtig ernst meint (und bissle viel Geld übrig hat), lässt sich dann nicht von dem Geschwindigkeitswahn im Consumerbereich blenden sondern guckt bei den industrial SSDs welche wesentlich ausgereifter sind und Herstellerangaben auch der Wahrheit entsprechen :)
 
Und wer es richtig richtig ernst meint, verwendet ein Dateisystem mit (Meta-)Datenprüfsummen und selbstheilendem RAID1 und verwendet ECC-RAM, um Speicherfehler so gut wie möglich auszuschließen. Dann muss man auch keine Angst vor QLC-Flash haben.
 
Hier wäre ich erstmal vorsichtig. Mal sehen was daraus wird
 
Klingt wie wild zusammen geschustert... war auch nie ein Fan von SSHDs.. also ich weiß ja nicht..
 
Eine SSHD habe ich vor drei Jahren gekauft, wegen den 5 Jahren Garantie.
Die der Barracuda wäre schon seit einem Jahr abgelaufen.
Jetzt hoffe ich auf einen Defekt bis 2022. :rolleyes:
 
Artikel-Update: Wie jetzt bekannt wurde, hat NEO Semiconductor die beiden US-Patente 11056190 und 11049579 zum sogenannten X-NAND erteilt bekommen.

Nach wie vor ist aber nicht bekannt, ob einer der NAND-Flash-Hersteller die Technik lizenzieren und auf den Markt bringen wird.
 
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deo schrieb:
...
Jetzt hoffe ich auf einen Defekt bis 2022. :rolleyes:
Jo...um dann was zu bekommen? Ggf. die gleiche Platte oder eine vergleichbare im Austausch ohne das sich die Garantie verlängert. Auf einen Tausch in eine schicke, geile SSD sollteste nicht spekulieren.
 
Atkatla schrieb:
Du interpretierst "Haltbarkeit" falsch. Es geht bei der Endurance nicht darum, wie lange eine Zelle ihre Ladung hält. Sondern wie oft sie neu beschrieben werden kann. Daher ist die Endurance auch kein Zeitwert, sondern eine Menge von Schreibzyklen, die zugesichert wird.
gen war die geringere Schreibrate spürbar und da versucht das hier vorgestellte Produkt in die Nische zu springen.

Ist so auch nicht korrekt. Je öfter eine Speicherzelle beschrieben wird, desto weniger lang kann sie die Ladung halten. Je schneller die Ladung entweicht, desto schneller kommt es zum Bitflip. Je geringer die Ladungszustände beieinander liegen, desto schneller kommt es bei Abfall der Spannung zum Bitflip. Ab einem gewissen Alter wird die Zelle als "defekt" markiert, was nicht daran gemessen wird, ob sie überhaupt nicht mehr zu beschreiben ist, sondern dass sie die Ladung nur noch kurze Zeit halten kann, es also in kurzer Zeit immer wieder zu Bitflips kommt. Dieser Zustand tritt zB. bei PLC acht mal schneller ein als bei MLC.
 
Soweit so unspektakulär. Mal sehen ob da noch jemand einsteigt und versucht das ganze Marktreif zu machen.

Bisher ist es aber noch reine Theorie, existieren tun solche Chips noch nicht. Mal sehen was daraus wird.
 
Schön und gut, aber gleichzeitig nimmt die Lebensdauer dadurch ab, wenn mehrere Lanes jedesmal geschrieben werden.

Ok die Lebensdauer im Conumer-Bereich ist dann sicherlich noch immer hoch genug, aber im Serverbereich könnte man die Art von Speicher eher in Read-Only Umgebungen oder mit wenigen Schreibzugriffen verwenden.
 
Iapetos schrieb:
Verstehe ich richtig, dass auch die Haltbarkeit der Speicherzellen bei diesem Design derjenigen von SLC entspricht?
Unwahrscheinlich, es sind immernoch QLCs mit den damit verbundenen Nachteilen bei der Haltbarkeit.
 
Wenn ich das richtig sehe, dann erhöht man mit der Technik die Geschwindigkeit um die Steigerung der Anzahl der weiteren Parallelen zugriffe. SK Hynix verwendet stand jetzt 4 Planes im neuesten NAND.
Bei den gezeigten 16 Planes würde sich die Geschwindigkeit vervierfachen.

Wären also rein theoretisch statt 300 MB/s halt 1200MB/s.

Damit wäre der Weg frei für "gehobenen" QLC NAND.
Ebenso der Weg für Consumer PLC NAND.
Wenn der Preis nicht völlig abgehoben ist, schätze ich gibt es dort starkes Interesse der NAND Firmen.
 
Wenn etwas zu schön klingt, um wahr zu sein...
Unvorstellbar ist es nicht. Aber vermutlich wartet man darauf eben so lange wie auf die bahnbrechende Akku-Technologie für E-Fahrzeuge und Mobilgeräte. Oder es wird eine Technologie, die ihre Versprechen nicht wirklich einhalten kann.

Mal schauen was das wird. Wäre natürlich schön, wenn es klappt. Langfristig sollten SSDs eh immer größer, günstiger und besser werden und wir sind entwicklungstechnisch sicher noch nicht am Ende der Fahnenstange.
 
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Planes.. Back to the 80s? Das erinnert mich an VGA von 1987.
Da gab es auch mehrere Planes (vier), um Farben zu mischen.
https://wiki.osdev.org/VGA_Hardware

Im Ernst jetzt, es wird Zeit, dass sich die Chip-Branche mal zusammenreißt und gemeinsam die SRAM-Technik weiterentwickelt.
Der jetzige Zustand is unhaltbar und höchstens Laien freuen sich über solche Verschlimmbesserungen, wie sie bei FLASH alltäglich sind.
Das ist zumindest meine Sicht der Dinge.

SRAM ist extrem schnell in der Ansprache (µs) im Gegensatz zu FLASH (ms).
FLASH ist sowas von rückständig und nicht viel schneller als 27xxx EPROM-Technik aus den 70ern (50 bis 250ms).
Das einzige was man SRAM vorwerfen kann, ist, dass es eine Speicherbatterie braucht (Knopfzelle reicht 20 Jahre).
Dafür entfällt aber der ReFresh des DRAMs.
Außerdem kann SRAM (Static RAM) direkt angesprochen werden, nichtnur blockweise.
 
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joshy337 schrieb:
Das einzige was man SRAM vorwerfen kann, ist, dass es eine Speicherbatterie braucht (Knopfzelle reicht 20 Jahre).
Wo nimmst du die Laufzeit her? Für welche Speichermenge, für welchen hersteller?

Davon ab ist das andere Problem natürlich, dass es viel mehr Platz als SLC Flash braucht. SRAM ist doch schon im Einsatz (Caches) und ich denke es hat gute Gründe, warum sich das im KB-MB Bereich abspielt und nicht GB-TB.
 
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