Speichertechnologien (Seite 5)
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Team Group Delta Auch DDR4-3.000 gibt es jetzt beleuchtet
Die von TeamGroup für Modder neu ins Sortiment aufgenommenen DDR4-RAM-Kits der Delta-Serie leuchten bis hinauf zu DDR4-3.000 über LEDs in drei Farben.
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Asustor AS3202T und AS3204T Einsteiger-NAS erhalten Braswell-SoC mit vier Kernen
Das AS3202T und AS3204T sind als Weiterentwicklung der Einsteiger-NAS-Serie AS3100T mit zwei und vier HDD-Bays nun mit Vierkern-SoC bestückt.
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Jetzt verfügbar Synology DS416 slim als kompaktes NAS für 2,5“-HDDs
Als jüngsten Neuzugang der auf Kompaktheit ausgelegten slim-Serie verkündet Synology die Verfügbarkeit des DS416 slim zu einer UVP von 308,20 Euro.
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GDDR5X Muster-Chips mit 8 Gigabit werden ausgeliefert
Bei Micron hat das sogenannte Sampling für den neuen Grafikspeicher GDDR5X begonnen. Unternehmen werden mit Mustern mit 8 Gigabit versorgt.
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Samsung UFS 2.0 mit 256 GB Smartphone-Speicher liest schneller als SATA-SSDs
Samsungs Smartphone-Speicher nach UFS-2.0-Standard geht nun mit doppelter Kapazität und mehr als doppelter Geschwindigkeit in die Massenfertigung.
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Jetzt verfügbar Einsteiger-NAS QNAP TAS-168 und TAS-268 ab 177 Euro
Die von QNAP bereits Ende das vergangenen Jahres für den Verkauf freigegebenen NAS-Modelle TAS-168 und TAS-268 sind nun ab 177 Euro lieferbar.
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5D Optical Storage Gläserne Scheiben für ewigen Datenerhalt und 360 TB
Gläserne Scheiben werden mit einem Laser mit bis zu 360 Terabyte Daten beschrieben und sollen diese nahezu unbegrenzt vorhalten: 5D Optical Storage.
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DRAM & 3D XPoint Micron gibt Statusbericht zu neuen Speichertechnologien
Neben 3D-NAND steht bei Micron weiterhin DRAM hoch im Kurs. Vor Analysten gab es ein Status-Update des Speicherherstellers – auch zu 3D XPoint.
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GDDR5X 8-Gigabit-Chips in 20 nm ab Sommer in Serie
Noch in diesem Jahr könnte GDDR5X als neuer Speichertyp für Grafikkarten zur Verfügung stehen. Micron kündigt die Massenfertigung für den Sommer an.
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NVM-X Xitore verspricht NVDIMMs mit 4 TByte und DRAM-Leistung
Die NVDIMM-Technik von Xitore verspricht hohe Speicherkapazitäten von Flash-Speicher mit Transferraten von DRAM zu kombinieren.
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GDDR5X Neuer Standard für Grafikspeicher verabschiedet
Der im Oktober von Micron angekündigte GDDR5X-Speicher ist nun ein offizieller JEDEC-Standard für Grafikspeicher.
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3D XPoint Intel widerspricht Berichten und hält an Zeitplan fest
Den Berichten um eine Verschiebung der Speichertechnik 3D XPoint auf 2017 widerspricht Intel: Am Zeitplan habe sich nichts geändert.
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DDR4-RAM G.Skill liefert 128-GB-Kits mit 3.000 MHz Ende Januar
G.Skill will ab Ende Januar erste DDR4-RAM-Kits bestehend aus 8 Einzelmodulen mit 128 GByte Kapazität für die X99-Plattform in den Handel bringen.
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„HBM2“ Spezifikationen für bis zu 32 GB Grafikspeicher veröffentlicht
Die JEDEC hat die Spezifikationen für die Speichertechnologie HBM aktualisiert. Sie umfassen jetzt maximal 32 GB bei doppelter Bandbreite.
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SuperMLC Transcend präsentiert Alternative zu SLC-SSDs
Transcend „verwandelt“ MLC-Flash-Speicher in SLC und nennt dies SuperMLC. SSDs sollen damit Eigenschaften wie echte SLC-Modelle bieten.
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GDDR5X Micron stellt jüngste GDDR6-Gerüchte klar
Microns neuer Grafikspeicher heißt GDDR5X und nicht GDDR6. Mit dieser Klarstellung reagierte der Hersteller auf jüngste Gerüchte.
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Intel Investment-Fokus auf Data Center, Speicher und IoT
Zum Auftakt des Intel Investor Meeting 2015 haben Chairman Andy Bryant und CEO Brian Krzanich die Investitionsziele von Intel umrissen.
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Synology DS716+ Prosumer-NAS setzt für 464 Euro auf Celeron N3150
Die DS716+ startet als 2-Bay-NAS mit dem Celeron N3150, 2 GB RAM und der Unterstützung für 4K-Transkodierung mit einem Preis von 464 Euro.
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DDR4 RAM SO-DIMM-Kits von G.Skill mit bis zu 2.800 MHz und 64 GB
DDR4-RAM-Kits mit bis zu 2.800 MHz und in Kapazitäten von bis zu 64 GByte kündigt G.Skill mit der Erweiterung der Ripjaws-Serie für Notebooks an.
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3D XPoint Intel zeigt weitere Benchmarks und DDR4‑DIMM
Benchmarks einer SSD mit 3D XPoint und erstmals einen Speicherriegel zeigte Intel auf der Oracle OpenWorld.
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Storage Class Memory HP und SanDisk machen 3D XPoint Konkurrenz
HP und SanDisk tun sich zusammen, um gemeinsam eine neue Speichertechik zu entwickeln, deren Eigenschaften den von 3D XPoint ähneln.
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Speichertechnologie Microns Geschäftsjahr 2015 und der Ausblick auf 2016
Das schwache PC-Geschäft drückt auf den Umsatz mit DRAM, dennoch verbuchte Micron im Geschäftsjahr 2015 einen Gewinn von 2,9 Milliarden Dollar.
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High Bandwidth Memory HBM2 für Nvidia Pascal von Samsung und SK Hynix
Sowohl Samsung als auch SK Hynix sollen Nvidia mit der zweiten Generation des HBM-Speichers versorgen.
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Synology DS716+ Braswell-SoC und 4K-Transkodierung im 2-Bay-NAS
Mit der DiskStation DS716+ hat Synology ein neues 2-Bay-NAS für die Transkodierung von 4K-Videomaterial vorgestellt.
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DDR4 GeIL Dragon in Neuauflage mit weißem PCB und weißen Chips
Die DDR4-RAM-Kits der GeIL-Dragon-Serie sind als DIMM-Module mit weißem PCB und in einigen Varianten zudem mit weißen RAM-Chips ab sofort erhältlich.
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IDF 2015 Samsung fertigt High Bandwidth Memory ab 2016
Auch wenn Samsung 3D XPoint derzeit nicht kontern kann, zeigt es, was es zu bieten hat. HBM, NVDIMM, STT-MRAM, PRAM und ReRAM sind auf dem Schirm.
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IDF 2015 Wo SSDs schwächeln, soll Intels 3D XPoint punkten
Zum IDF 2015 hat Intel weitere Details zur neuen Speichertechnik 3D XPoint preisgegeben, die bei SSDs schon im kommenden Jahr eingesetzt werden soll.
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Intel Optane Erste Benchmarks von 3D XPoint als SSD zum IDF 2015
Intel enthüllte zum IDF 2015 die Optane Technology, die 3D Xpoint in den Markt bringt. Eine erste Live-Demo zeigte beachtliche Leistungssteigerungen.
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Seagate HAMR-Prototypen Ende 2016 mit zunächst nur 4 TByte
Die HAMR-Technik verspricht mehr Speicherplatz für Festplatten. Durch dickere Schreibköpfe werden Prototypen aber zunächst nur wenig Speicher bieten.
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3D XPoint Intels Speicher-Novität als PCIe-Karte oder RAM-Modul
Die neue Speichertechnik soll zunächst Server-Plattformen bedienen und entweder als PCIe-Karte oder RAM-Riegel eingesetzt werden.
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Speichertechnologie Toshiba stapelt 16 NAND-Dies mit TSV übereinander
Toshiba nutzt die etwa von Stacked DRAM bekannte TSV-Technik, um 16 gestapelte NAND-Dies miteinander zu verbinden.
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Intel / Micron 3D Xpoint 1.000 Mal schneller und haltbarer als NAND
Die 3D-XPoint- oder auch Crosspoint-Technologie soll NAND-Flash bei Geschwindigkeit und Haltbarkeit um den Faktor 1.000 übertreffen.
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DDR4-RAM Patriot Viper 4 Kit mit bis zu 128 GByte für Haswell-E(P)
Mit Patriot kündigt ein weiterer RAM-Hersteller noch für dieses Jahr die Verfügbarkeit eines DDR4-RAM-Kits mit einer Kapazität von 128 GB an.
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Hybrid-Speichermodule JEDEC unterstützt nichtflüchtiges NVDIMM
Arbeitsspeicher war in der Vergangenheit immer flüchtiger Speicher, der ohne Strom keine Daten behielt. NVDIMMs sollen dies in Zukunft ändern.
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Samsung ePoP SoC, DRAM und Flash unter einem Dach
Samsungs ePoP-Speicher vereint 3 GB Arbeitsspeicher und 32 GB Flash-Speicher samt Controller in einem Chip, der direkt auf einen SoC aufsetzbar ist.
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Speicher der Zukunft Neue ReRAM-Prototypen von Crossbar und Micron
Crossbar und Micron zeigen zur Fachmesse IEDM 2014 neue Prototypen von ReRAM, einem Kandidaten des Speichers der Zukunft.
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Festplatten-Roadmap Die Branche träumt von 100 TB im Jahr 2025
Laut einer Roadmap wird sich die Datendichte von Festplatten im Jahr 2025 verzehnfacht haben – HDDs mit 100 TB wären somit denkbar.
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Grafikkartenspeicher 8 GHz GDDR5 und HBM von SK Hynix verfügbar
SK Hynix gibt die Verfügbarkeit der ersten Generation des High Bandwidth Memory (HBM) und von GDDR5-Speicher mit effektiv 8 GHz bekannt.
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NVDIMM von SK Hynix Erste DDR4-Module mit 16 GB ohne Datenverlust
NVDIMM vereint die Geschwindigkeit von flüchtigem DRAM mit der Datenbeständigkeit von Flash-Speicher. DDR4 mit 16 GB kommt im Jahr 2015.
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Samsung Massenfertigung von 3D-NAND mit 3 Bit gestartet
Samsung kündigt den Beginn der Massenproduktion von 3D-NAND mit 3 Bit pro Speicherzelle (TLC) an. Als erstes Produkt wird die 850 Evo vermutet.
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MRAM TDK stellt potentiellen Nachfolger von Flash vor
TDK präsentiert einen Prototyp des Speichers MRAM, der die guten Eigenschaften flüchtiger und nichtflüchtiger Speicher vereinen soll.
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High Bandwidth Memory Schnellerer Speicher für Grafikkarten noch 2014
High Bandwidth Memory (HBM) ist gestapelter DRAM-Speicher mit hoher Bandbreite. Eine Roadmap besagt, dass er noch dieses Jahr marktreif sein wird.
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3D-NAND Baubeginn der Fabrik von Toshiba und SanDisk
Im Laufe der Woche wurde mit dem Bau der „Fab 2“ in Toshibas NAND-Flash-Produktionsstätte Yokkaichi Operations für den Umstieg auf 3D-NAND begonnen.
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News Update HGST: Schnellste SSD der Welt mit Phasenwechselspeicher
Auch bei Western Digitals Tochterunternehmen HGST rückt Flash-Speicher immer mehr in den Fokus. Anlässlich des Flash Memory Summit stellt HGST neue …
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News DDR3-RAM-Module mit 16 GB für Consumer-PCs
Arbeitsspeicher mit einer Kapazität von 16 Gigabyte je Modul ist von Intelligent Memory erstmals für den Konsumentenmarkt vorgestellt worden. Somit …
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News Mehr SLC-NAND-Flash für den Automobileinsatz
Die in Taiwan ansässigen Halbleiterhersteller Macronix International und Winbond Electronics haben mit der Massenproduktion von exklusiven …
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News Synology stellt Patch für Heartbleed-Bug bereit
Zur Behebung der als Heartbleed-Bug bekannten folgenschwere Open-SSL-Sicherheitslücke hat Synology die Aktualisierung DSM 5.0-4458 Update 2 …
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News DDR4-RAM mit 128 Gigabyte bei SK Hynix in Arbeit
SK Hynix verkündet die Entwicklung erster DDR4-Speichermodule mit einer Kapazität von 128 Gigabyte. Durch die gegenüber den bisher größten …
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News Apacer drückt mit SSDs auf den europäischen Markt
Mit Apacer sucht ein weiterer Hersteller von NAND-Flashspeicher-Laufwerken den Expansionskurs in den europäischen Markt. Laut eigenen Angaben will …
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News Erste 20-nm-DDR3-DRAM-Chips von Samsung
Nach der jüngsten Verlautbarung, die 25-nm-DDR3-DRAM-Produktion deutlich steigern zu wollen, gibt Samsung nun einen weiteren „Meilenstein“ bekannt: …
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News Archival Disc soll künftig ein Terabyte an Daten archivieren
Das Zeitalter der optischen Datenträger ist längst nicht vorbei. Sony und Panasonic präsentieren mit der „Archival Disc“ einen neuen Standard, der …
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News JEDEC erweitert DDR3-DRAM-Spezifikationen
Die JEDEC-Kommission hat mit der Erweiterung 6 (SPD4_01_02_11) den DDR3-Standard ausgebaut. Dieser beinhaltet neue Serial-Presence-Detect-Profile …
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News Samsung kurbelt Speicherchip-Produktion in 25 nm an
Marktbeobachter in Asien gehen davon aus, dass Samsung die Fertigung von DRAM-Bausteinen in 25 nm deutlich hochfahren wird. Dies wird als Zeichen …
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News Forscher des KIT speichern ein Bit mit einem Atom
Forschern des Karlsruher Institut für Technologie (KIT) ist es gemeinsam mit Kollegen aus Halle gelungen, das magnetische Moment einzelner Atome …
