Speichertechnologien (Seite 4)
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RAM-Bestmarken G.Skill DDR4-RAM mit 5,2 GHz, 384 GB Kit bei DDR4-4000
DDR4-RAM mit neuen Spitzenwerten bei Geschwindigkeit und Kapazität hat G.Skill enthüllt: 5.200 MHz für den Massenmarkt, 384-GB-Kit für HEDT.
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Crucial/Micron PCIe-4.0-x4-SSD mit eigenem Controller Ende des Jahres
Crucial und Micron stellen für Ende des Jahres eine PCI-4.0-x4-SSD in Aussicht. DDR5 steht für Ende 2020 sogar auf dem Gaming-Plan.
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Team Group zur Computex RGB-RAM, neue SSDs und USB-Sticks in T-Force-Familie
Die Computex 2019 wirft weite Schatten voraus und mit Team Group zeigt ein erster Aussteller seine Neuheiten umfassend schon vor der Messe.
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Phantom Gaming Edition (AMD) Flacher Evo-Spear-RAM von GeIL als Sonderedition
DDR4-RAM mit einer geringen Höhe wird von GeIL weiter gepflegt, weshalb nun die Evo-Spear-Serie um die Phantom Gaming Edition (AMD) wächst.
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Apacer NOX RGB DDR4 DDR4-RAM lässt LEDs in der Breite intensiver leuchten
Die neuesten Desktop-DIMMs von Apacer firmieren als NOX-RGB-DDR4-Serie mit einer mittels RGB-LEDs breit ausgeleuchteten Krone.
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T-Force T1 & T-Force Vulcan Z Update DDR4-DIMMs von Team Group ohne LEDs im Budget-Segment
Die neuen DDR4-RAM-Serien T-Force T1 und T-Force Vulcan Z adressiert Team Group mit vergleichsweise langsamen Geschwindigkeiten an Spieler.
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Kingston HyperX Predator DDR4-RAM taktet mit bis zu 4.600 MHz
Die Auswahl an schnellerem DDR4-RAM mit über 4.000 MHz wächst. Auch Kingston bietet die HyperX-Predator-Serie nun bis DDR4-4.600 an.
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Adata-DDR4-RAM Beim XPG Spectrix D60G leuchtet 60 % der Fläche bunt
Mehr bunte Lichteffekte in modernen PC-Systemen geht immer (noch). Adata demonstriert das mit der neuen DDR4-RAM-Serie XPG Spectrix D60G.
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Samsungs Next-Gen-DRAM Serienproduktion von 1z-Chips ab dem zweiten Halbjahr 2019
Samsung will im zweiten Halbjahr mit der Fertigung der fortschrittlichsten DRAM-Chips beginnen. 1z markiert so etwas wie den 12-nm-Prozess.
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33 Prozent schneller Samsung bringt HBM2E an den Start
33 Prozent schneller und eine verdoppelte Kapazität. Samsungs HBM2E markiert den nächsten Schritt in der Speicherentwicklung.
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Samsung LPDDR4X Chips für 12 GB RAM im Smartphone gehen in Serie
Im Handel seit einigen Tagen verfügbar, folgt nun der offizielle Startschuss für Samsungs teure 12-GByte-DRAM-Chips für Smartphones.
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Samsung eMRAM Serienfertigung des Nichtflüchtigen-Speichers gestartet
Samsung hat den Startschuss für die Serienfertigung des ersten eMRAM (Embedded Magnetic Random Access Memory) angekündigt.
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ISSCC Intel ist bereit für MRAM-Fertigung in 22 nm FinFET
Im Rahmen der ISSCC hat Intel über den Stand der Dinge beim Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) informiert.
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LPDDR5 Neuer Speicherstandard ist 50 Prozent schneller
Die JEDEC hat mit LPDDR5 eine neue Version des sparsamen Arbeitsspeichers für Mobilgeräte verabschiedet.
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DDR6 Findungsphase für den DDR5-Nachfolger
DDR6 folgt DDR5-RAM. Doch mit einer Entwicklungszeit von bis zu 6 Jahren soll dieser mehr können als lediglich „mehr Takt“.
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IM Flash ohne I Update 2 Micron will Intels Anteil am Joint Venture
Das 2006 gegründete Joint Venture IM Flash Technologies steht endgültig vor dem Aus. Micron will Intels Anteil für 1,5 Mrd. USD kaufen.
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MSI Alle Z390-Mainboards mit 128 GB RAM kompatibel
MSI hat bekannt gegeben, dass alle Z390-Mainboards mit den neuestem JEDEC-Standard für 32-GB-Module kompatibel sind.
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Synology Kritische Lücke im DSM 6.2 geschlossen
Synology hat für eine große Anzahl seiner Netzwerkspeicher ein sicherheitsrelevantes Systemupdate veröffentlicht.
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JEDEC-Spezifikation Maximale Speicherkapazität von HBM verdreifacht
Die neue JESD235B-Spezifikation hievt die maximale Speicherkapazität eines HBM-Packages auf 24 GB und die Datenrate pro Pin auf 2,4 Gbit/s.
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DDR5-5200 SK Hynix bringt ersten DDR5-Speicher nach JEDEC-Standard
Die neuen DDR5-5200-Speicherchips von SK Hynix sind fertig. Erste Partner erhalten sie bereits, ab 2020 stehen sie im Handel.
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3D XPoint Künftig entwickelt Intel den Speicher allein in New Mexico
Im Zuge der auslaufenden Partnerschaft mit Micron hat Intel nun angekündigt, die eigene 3D-XPoint-Sparte nach New Mexico zu verlegen.
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GDDR6 GeForce RTX mit Micron, Quadro RTX mit Samsung
Während sich Samsung als Lieferant von GDDR6-Speicher bei den Nvidia Quadro RTX gerühmt hat, tut dies Micron bei den Nvidia GeForce RTX.
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3D-NAND 500 Layer für 512‑TB‑SSDs und ein Generationenvergleich
Nachlese vom diesjährigen Flash Memory Summit. Ein kurzer Bericht über aktuelle und kommende 3D-NAND-Generationen.
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Arbeitsspeicher NRAM-Technologie geht in die Serienfertigung
Die Firma Nantero hat NRAM mit Kohlenstoff-Nanoröhrchen als Alternative zum DRAM-Standard für DDR4-Module angekündigt.
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GDDR6 Samsung stellt den Speicher der Nvidia Quadro RTX vor
Samsung hat die erste Generation seines GDDR6-Videospeichers im Detail vorgestellt und wirbt mit dem Einsatz auf den Nvidia Quadro RTX.
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XL-Flash Toshibas High-Speed-NAND erinnert an Samsungs Z-NAND
Toshibas XL-Flash verfolgt einen ähnlichen Ansatz wie Samsungs Z-NAND: auf niedrige Latenz und hohe Geschwindigkeit getrimmter NAND-Flash.
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IBM FlashCore SSD 19-TB-NVMe-SSD nutzt MRAM von Everspin als Zusatz-Cache
Der MRAM von Everspin findet seinen Weg in Enterprise-SSDs von IBM und zwar als nichtflüchtiger Zusatz-Cache zum Stromausfallschutz.
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Arbeitsspeicher Samsungs erster LPDDR5-RAM ist fertig
Parallel zu DDR5 wird auch LPDDR5 starten. Samsungs erste Chips sind noch vor den finalen Spezifikationen fertig.
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Umsatzprognose Samsung setzt wie erwartet weniger Smartphones ab
Samsung hat eine Umsatzprognose für die Ende Juli erwarteten Geschäftszahlen des zweiten Quartals 2018 veröffentlicht.
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Samsung Bedarf an HBM2 übersteigt Produktion bei weitem
Samsung hat auf der ISC bekannt gegeben, dass der Bedarf an modernem HBM2-Speicher die aktuellen Produktion bei weitem übersteigt.
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GDDR6 Micron startet Massenproduktion mit 14 Gb/s
Micron hat den Start der Massenfertigung von GDDR6-Speicherchips mit einer Kapazität von 8 Gigabit (1 GB) bekannt gegeben.
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Grafikspeicher Micron stellt GDDR6 mit 20 Gbps in Aussicht
Der kommende Standard bei Grafikkartenspeicher GDDR6 taktet nicht nur mit 14 und 16 Gbps, im Labor wird bereits 20 Gbps angepeilt.
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Speichertechnologien Micron jetzt mit HBM statt HMC, 3D XPoint erst 2019
Micron hat im Rahmen eines Analystenevents erklärt, nun auch auf HBM zu setzen – HMC dürfte damit Geschichte sein. 3D XPoint folgt 2019.
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Arbeitsspeicher Preise steigen weiter, Grafik-DRAM stark betroffen
Die Speicherpreise sinken auch im Frühjahr 2018 nicht, im Gegenteil. Grafikspeicher wird um 15 Prozent teurer, Server-DRAM sorgt für Umsatz.
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Roadmap 3D-NAND soll 2021 bereits über 140 Layer besitzen
Auf dem International Memory Workshop in Japan hat Sean Kang von Applied Materials über die kommenden 3D-NAND-Generationen gesprochen.
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Schnellerer RAM DDR5-Testchips erreichen bereits DDR4‑4400-Niveau
Cadence Design Systems hat einen ersten Testchip mit DDR5-PHY vorgestellt. Der Chip erreicht bereits höhere Transferraten als DDR4.
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Quartalszahlen Samsung macht das meiste Geld mit Speicher
Samsung verzeichnet im ersten Finanzquartal 2018 aufgrund der hohen Nachfrage nach Speicher erneut einen deutlich höheren Umsatz und Gewinn.
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Automotive Samsung fertigt LPDDR4X für Autos in der 10-nm-Klasse
Ab sofort fertigt Samsung LPDDR4X DRAM für Autos auch als Modul mit 16 Gigabit im aktuellen Produktionsverfahren der 10-nm-Klasse.
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„DDR is over“ HBM3/HBM4 bringt Bandbreite für High-End-Systeme
Arbeitsspeicher erweist sich in Großrechnern mehr und mehr als Flaschenhals. HBM ist eine schnelle Übergangslösung, aber kein Allheilmittel.
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ISSCC 2018 Samsungs Z-SSD nutzt 48-Layer-3D-NAND mit 64 Gigabit
Im Rahmen der ISSCC 2018 hat Samsung weitere Details zur Z-SSD und dem Z-NAND preisgegeben und weitere Benchmarks veröffentlicht.
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GDDR6 Rambus entwickelt Speicher-Interface für bis zu 16 Gbps
Rambus hat einen Speichercontroller angekündigt, der GDDR6-Speicher mit bis zu einer Geschwindigkeit von 16 Gbps unterstützt.
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Grafikspeicher GDDR6 ist auch von SK Hynix lieferbar
SK Hynix hat GDDR6 in Form von 1 GByte großen Chips mit bis zu 14 Gbps lieferbar. Alle drei Speicherhersteller starten nun durch.
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Samsung GDDR6 mit 2 GB und 18 Gbps für GPUs geht in Serie
Samsung hat die Massenproduktion von GDDR6 mit einer Kapazität von 2 GB und einer Geschwindigkeit von 18 Gbps gestartet.
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Aquabolt Samsung fertigt schnellsten HBM2 mit 2,4 Gbit/s in Serie
Samsung hat mit der Massenproduktion von schnellerem HBM2-Speicher der zweiten Generation „Aquabolt“ begonnen.
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SO-DIMM Schnelles RAM-Kit mit 64 GByte für Mini-ITX von G.Skill
Eine höhere Speicherdichte samt schneller Taktraten im SO-DIMM-Format bringt G.Skill für schnelle Mini-ITX-PCs Anfang des kommenden Jahres.
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DDR4-4600 Adata schließt mit XPG-Z1-RAM zu Corsair und G.Skill auf
Adata will bei hoch getaktetem DDR4-RAM für Desktop-PCs zur Spitzengruppe aufschließen. Q1/2018 soll die XPG-Z1-Serie mit DDR4-4600 starten.
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Micron-Grafikspeicher GDDR6 ist bereit für die Produktion im 1. Halbjahr 2018
Die Qualifizierung von GDDR6 als Next-Gen-Grafikspeicher ist abgeschlossen. Micron peilt einen Produktionsstart im ersten Halbjahr 2018 an.
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HBM3 und DDR5 Rambus will beim Next-Gen-Speicher mitmischen
Rambus will bei zukünftigen Speichertechnologien wie DDR5 aber auch HBM der dritten Generation wieder ganz vorn mit dabei sein.
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eUFS von Samsung Speicher-Chips für 512 GB im Smartphone gehen in Serie
Samsung beginnt mit der Massenfertigung von eUFS-Speicher mit 512 GB. Er soll in der nächsten Generation Smartphones genutzt werden.
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Grafikspeicher Auch Samsung wird GDDR6 mit 16 Gbit/s zur CES 2018 zeigen
Samsung wird zur CES 2018 erste GDDR6-Bausteine mit 2 GB und 16 Gbit/s Transferrate pro Pin zeigen. Auch der Konkurrent steht bereit.
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Thecus N2350 & N4350 Einsteiger-NAS mit 2C-SoC kosten 116 und 196 Euro
Die für einfachste Speicherszenarien und einen niedrigen Preis hin konzipierten NAS N2350 und N4350 von Thecus sind ab sofort erhältlich.
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Western Digital MAMR überholt HAMR und ermöglicht 40‑TB‑HDDs
Western Digital kündigt mit MAMR einen Durchbruch bei der HDD-Technik an. MAMR-Festplatten sollen schon 2019 auf den Markt kommen.
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Samsung Foundry eMRAM feiert Tape-Out im 28FDS-Prozess
Neues von Samsung als Auftragsfertiger: Der Prozess 28nm FD-SOI (28FDS) steht künftig auch für Hochfrequenz-Chips und eMRAM zur Verfügung.
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DDR4-4.600 Schneller RAM von Corsair und G.Skill für 550 US-Dollar
Corsair und G.Skill bringen in Kürze erstmals DDR4-4.600-RAM für den Desktop in den Handel, der als Dual-Kit bis 1,5 Volt freigegeben ist.
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GeIL Super Luce RGB Sync Leuchtender DDR4-RAM mit RGB-LEDs und Aura Sync
Die neuen DDR4-RAM-Kits von GeIL sind auf Super Luce RGB Sync getauft und sollen kompatibel zu Aura Sync und via RGB-LEDs bunt leuchten.
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Ryzen Threadripper 128 GByte RAM-Kit mit DDR4-2.933 von G.Skill
G.Skill vermeldet neue Spitzenwerte bei DDR4-RAM für zu AMD Ryzen Threadripper kompatiblen Quadchannel-Kits. DDR4-3.600 ist möglich.
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Bandspeicher Sony und IBM ermöglichen Speicherkassetten mit 330 TB
Sony hat mit IBM Research eine Technik entwickelt, mit der die Datendichte von Bandspeicher auf 201 Gbit pro Quadratzoll steigt.
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QNAP TS-831X und TS-531X Schnellerer SoC und QM2-PCIe-Karten im Profi-NAS
Eine Taktsteigerung beim SoC und eine Unterstützung von QM2-PCIe-Karten sind das Rezept für QNAPs Refresh der Profi-NAS-Serie TS-x31X.
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8 GB pro Speicherstapel Samsung fährt HBM2-Produktion hoch
Samsung erhöht die Produktionsmenge des Speichertyps HBM2 mit 8 GByte pro Stapel (Stack), um die wachsende Nachfrage zu decken.
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BiCS Flash with TSV Durchkontaktierter 3D‑NAND als Prototyp verfügbar
Was Toshiba bereits bei 2D-NAND nutzte, hält nun auch beim 3D-NAND Einzug: Bis zu 16 Dies werden mittels TSV-Technik vertikal verbunden.
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DDR4-3.800 16-GB-DIMMs im 128-GByte-Kit für Intels X299-Plattform
Schnellen Desktop-RAM legt G.Skill auch für Intels X299-Plattform auf, der obendrein in Form von 16-GByte-Modulen als 128-GB-Kit erscheint.
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Synology DS1x17 Cloud-NAS mit Annapurna-SoC fehlt der PCIe-Slot
Die Desktop-NAS der DS1x17-Serie von Synology erhalten Zuwachs. Im Cloud-Speicher DS1517 und DS1817 ist ein SoC von Annapurna Labs verbaut.
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Grafikspeicher GDDR5X jetzt mit 16 Gbps, GDDR6 Anfang 2018 serienreif
Micron treibt GDDR5 weiter ans Limit: Eine Forschungsgruppe aus München hat die stabile Marke von 16 Gbps erreicht.
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Die-Size So groß sind 3D XPoint und der neue 3D-NAND von IMFT
TechInsights hat 3D XPoint analysiert und dessen Größe (Die-Size) bestimmt. Micron demonstriert wie klein der neue 3D-NAND ausfällt.
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Speichertechnik Samsung rüstet sich für mehr MRAM, 3D-DRAM und 3D-NAND
Neben Roadmaps für neue Fertigungsprozesse bis hin zur 4-nm-Fertigung hat Samsung kürzlich weitere Pläne für die Speichersparte enthüllt.
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Videospeicher SK Hynix stellt GDDR5 10 Gbps und GDDR6 in den Katalog
Der Speicherhersteller SK Hynix hat den Produktkatalog aktualisiert. Demnach ist mit GDDR6 und schnellem GDDR5 ab dem 4. Quartal zu rechnen.
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GDDR6 SK Hynix zeigt Grafikspeicher für Nvidias Volta-GPU
SK Hynix hat erste Prototypen des neuen Speicherstandards GDDR6 gezeigt, der ab 2018 für Grafikkarten zur Verfügung stehen wird.
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SK Hynix GDDR6 für neue High-End-Grafikkarte Anfang 2018
SK Hynix hat erste 8 Gigabit große GDDR6-Speicherchips vorgestellt, die bereits Anfang 2018 in einer High-End-Grafikkarte eingesetzt werden.
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P10 (Plus) Huawei bestätigt abweichende Speichergenerationen
Huawei reagiert auf Berichte aus dem asiatischen Raum, wonach im P10 (Plus) für RAM und ROM unterschiedliche Speicherarten verbaut werden.
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Trident-Z-DDR4-4.333 Schneller Desktop-RAM von G.Skill steht vor Marktstart
Trident-Z-RAM als DDR4-Kit mit zwei 8 GByte Modulen ist von G.Skill mit einer Geschwindigkeit von 4.333 MHz und CL19 final spezifiziert.
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DDR5 RAM DDR4-Nachfolger soll 2018 spezifiziert werden
DDR5 kommt. Bis 2018 soll der neue Speicherstandard als DDR4-Nachfolger stehen. Mit NVDIMM-P gibt es neuen Speicher für (mehr als) die Nische.
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Intel Optane Memory Update 2 Kleine Cache-Module mit 3D XPoint beschleunigen HDDs
Intel gibt den Startschuss für den Optane Memory. M.2-Module mit 16 oder 32 GByte 3D-XPoint-Speicher dienen als Cache.
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Intel DC P4800X Alle Details zur ersten Optane-SSD mit 3D XPoint
Die neue Speichertechnik 3D XPoint hält Einzug in Intels Portfolio schneller Enterprise-SSDs für Rechenzentren.
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Everspin nvNITRO Erste PCIe-NVMe-SSD mit MRAM vor Markteinführung
Everspin ist der größte kommerzielle Anbieter von MRAM-Chips. Jetzt folgt das erste eigene Produkt: Die PCIe-NVMe-SSD-Karte Everspin nvNITRO.
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NAND-Flash Foxconn will Toshibas Speicherchip-Sparte
Foxconn plant den Kauf von Toshibas Speicherchip-Abteilung. Der Zulieferer-Riese will damit Kunden wie Apple eine größere Angebotspalette bieten.
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Optane Memory Intel-Produktseite präzisiert Systemvoraussetzungen
Intel hat eine Produktseite für Optane Memory veröffentlicht. Dort werden die unterstützten Plattformen genannt.
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Micron Winziger 3D-NAND-Chip, GDDR6 und CEO-Abtritt
Im gleichen Zuge wie der bevorstehende Rücktritt von CEO Mark Durcan bekannt wird, gibt Micron einen Ausblick auf künftige Produkte.
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SK Hynix 3D-NAND-V4 mit 512 Gbit und HBM2 im Produktkatalog
Der Speicherhersteller SK Hynix hat den eigenen Produktkatalog aktualisiert, der diverse Neuigkeiten bereithält.
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G.Skill Trident Z 16-GB-DIMMs mit DDR4-3.600 im 64-GByte-Kit
Im Dezember plant G.Skill, DDR4-3.600-RAM als 64-GB-Kits bestehend aus vier DIMM-Modulen mit je 16 GByte unter dem Trident-Z-Brand auszuliefern.
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Intel Optane Memory 8000p Erste Produkte mit 3D XPoint spezifiziert
Die ersten Produkte mit Intels neuer Speichertechnik 3D XPoint sind enthüllt: Kleine M.2-Module mit 16 und 32 GByte und PCIe 3.0 x2.
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Nantero NRAM Fujitsu führt Nanoröhren-Speicher zum Produkt
Mit NRAM gibt es eine weitere Speichertechnik, die die Lücke zwischen NAND-Flash und DRAM schließen soll. Fujitsu hat die Technik lizenziert.
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Hot Chips 28 Samsung erwartet GDDR6 mit 14-16 Gbps ab 2018
Samsung hat neben DDR5, LPDDR4X und LPDDR5 auch GDDR6 als Next-Gen-Grafikspeicher auf der Roadmap. Das Ziel aller: Eine gesteigerte Effizienz.
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Hot Chips 28 SK Hynix und Samsung über HBM2 & HBM3
SK Hynix und Samsung geben bei Hot Chips 28 ihre Gedanken zu HBM zum Besten. Dieser soll schneller (HBM3), aber auch günstiger werden.
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Hot Chips 28 Micron über DRAM, Flash, 3D XPoint und HBM als HMC-Kopie
Micron eröffnet die Hot Chips 28 mit extrem ehrlichen Worten rund um DRAM, Flash, 3D XPoint und HBM als (schlechte) HMC-Kopie.
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NVDIMM-N Micron verdoppelt Kapazität auf 16 GByte pro Modul
Seit Juni bietet Micron unter der Marke Crucial NVDIMMs mit einer Speicherkapazität von 8 GByte an. Nun fertigt das Unternehmen Muster mit 16 GByte.
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3D XPoint Neue Benchmarks, Tests in der Cloud und Preishinweise
Nicht tausendfach schneller, aber deutlich schneller als herkömmliche SSDs sollen Intels Optane-SSDs mit 3D XPoint sein.
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Arbeitsspeicher Von DDR4-2.400 für Kaby Lake über 3D XPoint bis DDR5
Speicher-Sprechstunde beim IDF 2016: Von DDR4-2.400 für Kaby Lake über 3D XPoint für Xeons bis hin zu DDR5.
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Toshiba QLC-Flash und Die-Stacking mit TSV für 100-TB-SSDs
Auf dem Flash Memory Summit hat Toshiba neue Techniken für SSDs mit 100 TByte und mehr beschrieben: TSV-Die-Stacking und QLC-Flash machen es möglich.
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Micron QuantX mit 3D XPoint 1,8 Mio. IOPS deklassieren Flash-SSD-Flaggschiff
Auf dem Flash Memory Summit enthüllte Micron nicht nur den Markennamen für SSDs mit 3D XPoint, sondern gab auch eine beeindruckende Leistungs-Demo.
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Intel Optane Roadmap nennt erste SSDs mit 3D XPoint für Ende 2016
Die ersten SSDs mit der neuen Speichertechnik 3D XPoint sollen zum Jahresende auf den Markt kommen. Eine Roadmap liefert erste Details.
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Hall of Fame Galax bringt SSDs für U.2, M.2 und PCIe in HoF-Familie
Mit neuen SSDs unter der „Hall of Fame“-Flagge für U.2, M.2 und PCIe zeigt sich Galax auf der Computex 2016.
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Jetzt verfügbar Synology DS916+ mit Pentium N3710 kostet 585 Euro
Das mit vier Festplattenaufnahmen und für das professionelle Segment erweiterbar konzipierte NAS Synology DS916+ ist 540 Euro lieferbar.
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DDR4-SODIMM G.Skill Ripjaws ab Juni mit 1,35 Volt im DDR4-3.200-Kit
Ab Juni will G.Skill in der Ripjaws-Serie schnellen DDR4-RAM mit einer auf 1,35 Volt angehobenen Versorgungsspannung mit 3.200 MHz anbieten.
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Phase-Change Memory Funktionsfähiger TLC‑PCM mit 3 Bit von IBM Research
Die Forscher von IBM Research – Zürich verkünden einen neuen Meilenstein auf dem Weg zu einer höheren Datendichte für Phase-Change Memory.
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Micron GDDR5X Start der Massenfertigung rechtzeitig zur GTX 1080
Die Massenfertigung des in der neuen GeForce GTX 1080 eingesetzten GDDR5X-Grafikspeichers hat bereits begonnen, wie Micron verkündet.
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Toshiba L200 Neue Generation der 7-mm-HDD fasst bis zu 500 GByte
Als Portfolioerweiterung wird die für schlanke Notebooks ausgelegte L200-Serie von Toshiba ab Mai um ein 2,5-Zoll-Modell mit 500 GByte aufgestockt.
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Thecus N2810 Plus Mit vier Kernen und mehr RAM leistungsfähiger
Für eine höhere Multitasking-Leistung erweitert Thecus das NAS-Portfolio um das mit Celeron N3150 und 4 GByte RAM bestückte N2810 mit einem "Plus".
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3D XPoint Intel Optane SSD kopiert 25 GByte in unter 15 Sekunden
Auf dem Frühjahrs-IDF in China hat Intels Rob Crooke einen Prototypen der kommenden Optane SSDs mit der neuen Speichertechnik 3D XPoint demonstriert.
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10 nm Class Samsung fertigt DRAM mit weniger als 20 nm in Serie
Samsung kündigt die Serienfertigung der ersten DDR4-DRAM-Chips in einem Verfahren der 10-nm-Klasse an.
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DDR4-RAM SO-DIMM-Kits von G.Skill für bis zu 3.000 MHz kommen
G.Skill verkündet die Verfügbarkeit erster DDR4-RAM-Kits im SO-DIMM-Format mit Geschwindigkeiten von bis zu 3.000 MHz bei CL16 Timings und 1,2 Volt.
