Krethi & Plethi
Es ist vergleichbar mit "was ist ein echter Core".
Der Samsung Prozess scheint aber der beste zu sein im Vergleich zu IBM und GF, wenn man den Artikel glauben darf.
Denn der soll immerhin zu 20nm noch ein Shrink bewirken 7-15%. Sonst würde der Prozess die Eigenschaften eines 14nm Bulk Prozesses mit sich bringen.
Es ist also kein Prozess wie ein 14nm Bulk Prozess im Idealfalls, wir wissen aber dass eben FinFet ect nötig ist um eben parasitäre Eigenschaften entegenzuwirken. Man kann eben nicht zaubern.
Der 14nm Prozess wäre aber ein Fortschritt und Konkurrenz zu Intel. Deren 22nm basiert ja angeblich auch auf 26nm mit Finfet oder irsowas habe ich in Erinnerung.
The refrain in January was that 14nm would bring no die shrinks, but that isn’t quite the case at Samsung. While it is true that the 50% shrinks of processes past are not going to happen this time, there will be between a 7% and 15% shrink thanks to the poly and contact pitch work.
Ich habe ehrlich gesagt keine Ahnung wie gut der "22nm SoI " Prozess ist, einfach weil ich was den Power8 nicht einschätzten kann und vergleichen kann.
Vllt kann man bei den 22nm SoI Prozesso von einem "echten" 22nm Prozess sprechen, vllt aber auch nicht, darüber könnte man mal etwas nachforschen. Der 14nm Samsung Prozess sollte aber im Idealfall wie gesagt, Werte eines 14nm Bulk Prozess liefern. Der 22nm SoI Prozess könnte aber für Architekturen mit "höheren Taktraten" trotzdem interessanter sein, wenn man jetzt den 28nm Prozess mit den 32nm SoI Prozess vergleicht.
Aber vllt haben wir glück und hier im Forum hat sich damit schon beschäftigt und kann über den IBM Prozess und auch im Vergleich zu 14 "nm" was sagen.
Was ich auf die schnelle gefunden habe.
To an extent, this is an extension of the 32nm process, using epitaxial SiGe for the PMOS channels and stress, and dual-stress liners for both NMOS and PMOS strain.
http://www.chipworks.com/en/technic...blog/ibm-surprises-with-22nm-details-at-iedm/
Die Kernaussage ist also bei Samsungs 14nm Prozess :
In the end you will get a chip that looks like it was built on a 20nm process, is sized like it was built on a 20nm process, but has the dynamic range and power consumption of a 14nm chip
Im Endeffekt wird ja der Gateabstand ähnlich wie die TDP oft als Marketing verwendet, weil es Leute gibt, die davon gewisse Vorstellungen haben.
"nm" wird immer mit Bulk in Verbindung gebracht und somit bezeichnet Intel oder andere eben deren Prozess eher nach den "Eigenschaften" als dem shrinke.
Das heißt 14nm steht für einen "fiktiven idealen 14nm Bulk Prozess", obwohl es in Wirklichkeit vllt 20nm mit FinFet ist.