News N2-Fertigung mit GAA: TSMCs modernste Fabrik soll ab Mai 2023 gebaut werden

aspro schrieb:
@fanaticmd
Natürlich ist das KnowHow das primäre Problem. Wenn das so einfach wäre und und man sich nur ne Belichtungsmaschine von ASML hinstellen müsste, um loszulegen, wäre TSMC nicht schon derart den Konkurrenten enteilt. Selbst Intel und Samsung mit fast unerschöpflichen Ressourcen schaffen es gerade so Schritt zu halten und da behauptet niemand, dass es an Bürokratie liegt. GloFo hängt seit Jahren beim 12 nm Node fest und das bestimmt nicht wegen laichenden Fröschen.
Naja Intel setzt derzeit ja auch noch auf ein DUV Verfahren, während TSMC seit 5 Jahren mit EUV herumspielt.
Das Blatt könnte sich wieder zugunsten von Intel wenden, diese haben bereits Tests im High-NA Verfahren. Ob sie dafür auch extra eine Fab hochziehen müssen entzieht sich derzeit meiner Kenntnis, aber zumindest läuft dort im Labor schon die Testproduktion AFAIR.
 
BAR86 schrieb:
Naja Intel setzt derzeit ja auch noch auf ein DUV Verfahren, während TSMC seit 5 Jahren mit EUV herumspielt.
TSMC spielt nicht mit EUV herum.

Sie haben den höchsten Anteil an EUV-Maschinen. Und einen noch höheren Anteil an den Wafern die mit EUV produziert werden. Und diese Erfahrung macht ein großen Anteil des Vorsprungs aus. Es kommt auf die tatsächliche Fehlerrate an, und nicht darauf wer behauptet zuerst die HVM gestartet zu haben.

BAR86 schrieb:
Das Blatt könnte sich wieder zugunsten von Intel wenden, diese haben bereits Tests im High-NA Verfahren.
Natürlich kann sich das Blatt immer wenden.

Der Unterschied bei der Sache ist, dass Intel alles herumposaunt, während TSMC im Stillen arbeitet.

Beim letzten Technologie Tag hat sich TSMC erstmals konkreter zu 2 nm und GAA geäußert. Das mussten sie auch, weil Halbleiter ein langlebiges Geschäft ist und die Leute wissen müssen was für die nächsten 2 oder 3 Jahre geplant ist.

Intel trägt alles offen zur Schau und auch Samsung überschlägt sich mit Ankündigungen. Aber die können eben auch nicht liefern. Bei Intel ist es erforderlich, weil sie ja eine Foundry aufbauen wollen. Bei Samsung ist es pure Dummheit.

TSMC weiß es, dass sich ihre Kunden auf sie verlassen und dass es wenn TSMC mit Przessen nicht fertig wird ihre Kunden noch gewaltige Probleme bekommen. Dass bei TSMC 3 nm nicht alles wie gewünscht gelaufen ist, ist offensichtlich. Aber dies ist seit Jahren klar. Es gab bisher keine last Minute Überraschungen. Und Du kannst davon ausgehen, dass TSMC ebenfalls schon lange GAA-FETs in ihren Forschgungsanlagen produziert. Ob High-NA für 2nm erforderlich ist, werden wir sehen. Auch TSMC wird rechtzeitig eine bekommen.

Aber die Frage ist kann ASML bis 2024 genügend Hgh-NA-Maschinen ausliefern, dass man damit tatsächlich eine HVM starten kann. Mit der einen Maschine die Intel herumposaunt hat, kann man hervorragend Prozessentwicklung betreiben. Aber für HVM benötigt man erheblich mehr Maschinen.
 
ETI1120 schrieb:
TSMC spielt nicht mit EUV herum.
beim nächsten Mal mach ich Anführungszeichen bei "spielt", versprochen...
Und hundert Zwinkersmileys, damits eindeutiger wird

ETI1120 schrieb:
Der Unterschied bei der Sache ist, dass Intel alles herumposaunt, während TSMC im Stillen arbeitet.
Ja? Ich kenne genug Artikel auf Semiwiki, Anandtech und co über TSMC...

ETI1120 schrieb:
Ob High-NA für 2nm erforderlich ist, werden wir sehen.
Ist es nicht, weil 2nm sowieso ein Fantasiename ist.
Intel selbst braucht für deren 20A/18A (+Ribbon-FET) Produktion keine High-NA Maschinen
https://www.anandtech.com/show/1734...on-moves-up-intel-18a-manufacturing-to-h22024
ETI1120 schrieb:
Auch TSMC wird rechtzeitig eine bekommen.
Ja wird man, was auch immer "rechtzeitig" ist. Es gibt halt einen Intel-Zeitexklusiven Deal, aber natürlich wird ASML abgesehen von den ersten paar Maschinen auch allen anderen welche zukommen lassen.

ETI1120 schrieb:
Aber die Frage ist kann ASML bis 2024 genügend Hgh-NA-Maschinen ausliefern, dass man damit tatsächlich eine HVM starten kann.
Mit etwas Glück ja, mit etwas Pech läufts wie bei EUV und verschiebt sich um Jahre.

ETI1120 schrieb:
Mit der einen Maschine die Intel herumposaunt hat, kann man hervorragend Prozessentwicklung betreiben. Aber für HVM benötigt man erheblich mehr Maschinen.
Ist mir bekannt.
 
BAR86 schrieb:
beim nächsten Mal mach ich Anführungszeichen bei "spielt", versprochen...
Und hundert Zwinkersmileys, damits eindeutiger wird
Die Smiley machen es nicht besser.

Intel kann sicher in der Prozesstechnologie aufholen. Die Daten für intel 4 sehen sehr gut aus.
Aber es kommt darauf an wie gut die Massenproduktion läuft. Und hier ist die Erfahrung mit EUV-Maschinen und Marken die TSMC ein wichtiger Faktor.

BAR86 schrieb:
Ja? Ich kenne genug Artikel auf Semiwiki, Anandtech und co über TSMC...
Und das hast Du auch gelesen, dass die semiwiki und andere diese Meldung über High NA als pure PR abgetan haben.

Natürlich schreiben alle über TSMC. Es geht nicht darum was Leute über TSMC schreiben, sondern was TSMC selbst verlautbart. Da ist TSMC deutlich verschlossener als Intel und Samsung.

BAR86 schrieb:
Ist es nicht, weil 2nm sowieso ein Fantasiename ist.
BTW. Die Zahlen für die Prozesse werden seit Jahren nach folgender Regel "definiert": n+1 = n * 0,7 (inkl. runden auf ganze Zahl)

Aber wir werden niemand dazu bringen GA48M24 und GA42M20 anstatt 3 nm und 2 nm zu verwenden. Und auch wenn diese Angaben sich auf die tatsächlich Gatelänge und den Pitch der Metalisierung beziehen, sie ermöglichen keinen Vergleich der Prozesse.

Auf dem Papier war intel 10 nm ein toller Prozess. Allerdings bekam Intel die Fehlerrate nicht in den Griff und musste 4 Schritte zurückgehen bis sie einen stabilen Prozess bekommen haben.
BAR86 schrieb:
Intel selbst braucht für deren 20A/18A (+Ribbon-FET) Produktion keine High-NA Maschinen
https://www.anandtech.com/show/1734...on-moves-up-intel-18a-manufacturing-to-h22024
Das ist auch so ein Punkt wo die verschiedenen Ankündigungen und Artikel nicht zusammen passen.
BAR86 schrieb:
Ja wird man, was auch immer "rechtzeitig" ist. Es gibt halt einen Intel-Zeitexklusiven Deal, aber natürlich wird ASML abgesehen von den ersten paar Maschinen auch allen anderen welche zukommen lassen.
Von exklusiv habe ich bei einigen Artikeln nichts gelesen. High NA hat einige Vorteile aber auch einen riesigen Pferdefuß, das Recticle-Limit schrumpft auf die Hälfte (16,5 x 26 mm²). Damit können nur kleine Chips hergestellt werden und die Wafer haben falls die Belichtungszeit gleich bleibt, die doppelte Durchlaufzeit.
 
ETI1120 schrieb:
Und das hast Du auch gelesen, dass die semiwiki und andere diese Meldung über High NA als pure PR abgetan haben.

Natürlich schreiben alle über TSMC. Es geht nicht darum was Leute über TSMC schreiben, sondern was TSMC selbst verlautbart. Da ist TSMC deutlich verschlossener als Intel und Samsung.
Ich rede aber nicht von "über sie schreiben" im Sinne von "hmm es ist Sommerloch, schreiben wir halt was über TSMC".
Es handelte sich da um stets offizielle Infos VON TSMC.
ETI1120 schrieb:
BTW. Die Zahlen für die Prozesse werden seit Jahren nach folgender Regel "definiert": n+1 = n * 0,7 (inkl. runden auf ganze Zahl)
Ja, aber ich meinte es gibt nur wenig Anhaltspunkte an der physikalischen Größe von Transistoren und Co.
Weshalb man den Prozess zwar N2 bennenn kann. Oder auch Saruman2000. Völlig irrelevant, weil man ihn eben auch so bezeichnen kann, wenn die Fortschritte und Änderungen sich in Grenzen halten. Und damit ist auch egal, "ob Prozessname XYZ High NA benötigt", weil im Prozessnamen ja keine tatsächlichen Größen stecken - so war das gemeint.
 
BAR86 schrieb:
Ich rede aber nicht von "über sie schreiben" im Sinne von "hmm es ist Sommerloch, schreiben wir halt was über TSMC".
Es handelte sich da um stets offizielle Infos VON TSMC.
So viele offizielle Statements von TSMC gibt es gar nicht.

BAR86 schrieb:
Ja, aber ich meinte es gibt nur wenig Anhaltspunkte an der physikalischen Größe von Transistoren und Co.
Weshalb man den Prozess zwar N2 bennenn kann. Oder auch Saruman2000.
Aber es fällt eben auf, dass Du die Anmerkung an das 2 nm dranhängst und im nächsten Satz die Intelprozessangaben verwendest, die sich auf Angstrom (10 Angstrom = 1 nm)

TSMC ist nun Mal Marktführer und deswegen verwende ich deren Bezeichnungen. Es sind halt Namen ohne Bedeutung. Und für mich bedeuten 7 nm, 5 nm, 3 nm und 2 nm Prozesse die den Prozessen von TSMC entsprechen. In den Knotennamen ist TSMC wenigstens konsistent (n+1 = n * 0,7 ...) Aber bei den Proessbezeichnungen eben nicht. Und deshalb sind Angaben wie N6 und N4 mit äußester Vorsicht zu genießen. Es sind halt Varianten von 7 nm bzw 6 nm.

Wie gesagt wird intel 4 tatsächlich besser Werte bieten als 5 nm bei TSMC. Aber schauen wir Mal was der Yield bringt. Nur als Anmerkung: Intel nennt in den aktuellen Quartalspräsentationen den Übergang von 14 nm auf intel 7 als Ursache des Margenrückgangs.

PS:
Es gibt einige Leute, die behaupten, dass man auch 5 nm ohne EUV produzieren kann
Aber bei Halbleiter bedeutet können IMO immer dass der Yield und damit Kosten stimmen. Der alte Grundsatz je Chip verlieren wir einen Dollar, aber die Masse machts, hat schon einige Unternehmen ruiniert.
 
ETI1120 schrieb:
So viele offizielle Statements von TSMC gibt es gar nicht.


Aber es fällt eben auf, dass Du die Anmerkung an das 2 nm dranhängst und im nächsten Satz die Intelprozessangaben verwendest, die sich auf Angstrom (10 Angstrom = 1 nm)

TSMC ist nun Mal Marktführer und deswegen verwende ich deren Bezeichnungen. Es sind halt Namen ohne Bedeutung. Und für mich bedeuten 7 nm, 5 nm, 3 nm und 2 nm Prozesse die den Prozessen von TSMC entsprechen. In den Knotennamen ist TSMC wenigstens konsistent (n+1 = n * 0,7 ...) Aber bei den Proessbezeichnungen eben nicht. Und deshalb sind Angaben wie N6 und N4 mit äußester Vorsicht zu genießen. Es sind halt Varianten von 7 nm bzw 6 nm.
Es sind und bleiben nunmal nur Bezeichnungen. Dass sie ein Schema haben, welches für bessere Vorhersagen für die Zukunft ist, ist ja eigentlich nicht relevant. Weil es eben nur NAMEN sind ohne echten Bezug zur physikalischen Größe
Und: Intel waren die letzten die keine Fantasienamen verwendet haben sondern sich auf tatsächliche Größen bezogen haben, bis sie auch auf die Marketingnamen umgestiegen sind.
ETI1120 schrieb:
Wie gesagt wird intel 4 tatsächlich besser Werte bieten als 5 nm bei TSMC.
Ja, in der Theorie. Mal schauen. Gibt ja viele Metriken. Laut diesen war Intel bis zu ihrem Rückfall sowieso immer "besser"
 
BAR86 schrieb:
Und: Intel waren die letzten die keine Fantasienamen verwendet haben sondern sich auf tatsächliche Größen bezogen haben, bis sie auch auf die Marketingnamen umgestiegen sind.
Viele glauben die Bezeichnungen haben etwas mit der Gatelänge zu tun.
Das war früher Mal so. Das trifft aber schon sehr lange nicht mehr zu. Bei den aktuellen Prozessen ist die Länge des Gates bei ungefähr 50 nm.
1664555764587.png

aus dem IRDS Excecutive Summary 2022, leider beginnt die Tabelle erst ab 2022.

Die Intel-Bezeichnungen waren bis 10 nm konsistent. TSMC hat den ersten FinFET-Prozess auf dem 20/22 nm Node mit 16 nm bezeichnet und Samsung parallel dazu mit 14 nm. Damit wollten beide ihren Rückstand zu Intel zu kaschieren. Diese Prozesse haben Intel 22 nm entsprochen.

AFAIK mussten sich die Fabs bis 28 nm an gemeinsame Bezeichnungen halten, weil die Masken ausgetauscht werden konnten. Mit den FinFET-Prozessen geht das nicht mehr.
BAR86 schrieb:
Ja, in der Theorie. Mal schauen. Gibt ja viele Metriken. Laut diesen war Intel bis zu ihrem Rückfall sowieso immer "besser"
Intel hatte bei der Einführung von 14 nm 1,5 Generationen Vorsprung.

Es gibt genug Leute, die die Angaben zu Gate und Metallisierung nachmessen können.
Da wird Intel sicher nicht heftig schummeln.

Was Du mit Theorie meinst, meine ich mit hoher Fehlerrate. Wenn die Fertigung das nicht stabil hinbekommt, hat man hohe Fehlerraten. Die äußern sich in defekten Schaltungen (niedrigem Yield) und/oder in schlechten Parameterwerten der Schaltungen (u. a. schlechter Effizienz, wie bei allen Samsungprozessen mit 5 und 4 im Namen).
 
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confuso schrieb:
Intel baut gerade eine State-of-the-Art Fab in Magdeburg. Geh mal davon aus, dass die keine 15 Jahre brauchen um die ersten Wafer rauszuhauen. Und damit haben wir dann das Know-How im Land. In deutlich unter 10 Jahren.
Und die FAB kann dann 3nm oder 5nm produzieren?
 
Nightmar17 schrieb:
Und die FAB kann dann 3nm oder 5nm produzieren?
So habe ich die Ankündigung verstanden:

https://www.pcgamer.com/intel-germany-foundry-fab/

"Intel has announced it will be building a brand new, leading-edge foundry in Magdeburg, Germany. The new facility will cost €17 billion to construct, but Intel hopes it will massively improve its ability to deliver on its next-gen process nodes (Angstrom-era) in Europe and abroad."
 
Naja was ich an AMD gut finde, die haben ja generell nur sehr kleinen Chip. Wenn nur die kleinen am besten gefertigt werden können, muss wohl AMD halt einfach noch kleinere cpus bauen. Dann geht auch bei der fertigung mit noch kleineren cpus. Ich frage mich nur, wie soll man diese noch am besten kühlen können weil je kleiner die chipfläche desto schlechter lässt es sich noch kühlen. Bin also gespannt wie es damit weiter gehen wird.
 
Novasun schrieb:
Bei dem Baustellen Video in USA... Meine Fresse Klotzen nicht kleckern. Welche Dimension das hat wird einem erst klar als die ranfliegen... Allein die Kräne... So was sieht man hier in DE einen Mal auf ner Baustelle - da fahren gleich mehrere von denen rum.
welches?
Ergänzung ()

Rickmer schrieb:
Egal welche Industrie, kühlt man mit Meerwasser extrem ungerne.

Nicht nur ist das Salzwasser extrem aggressiv gegenüber Rohren, Pumpen und Wärmetauschern, sondern man hat dann auch prompt Algen und Muscheln und sonstwas drin, das alles die Wärme mag.
ja gut, ich meine gefiltert... nicht direkt aus dem Meer ;)
 
DiamondDog schrieb:
ich meine gefiltert
Dann hast du den Schnodder im Filter hängen, da fließt nicht lange Wasser... und Einzeller gehen durch die meisten Filter trotzdem durch. Inklusive befruchtete Eier von diversen Organismen...
 
DiamondDog schrieb:

Das in der News. Von der Side in Phoenix. Das Video beiginnt mit einer Totalen - aber mit riesem Abstand... Später wird dann über einzelne Bauabschnitte geflogen - da wird einem erst mal klar was für Dimensionen da gezeigt werden...
In der Totalen wirkt alles noch so "klein" und übersichtlich...
Ergänzung ()

Rickmer schrieb:
Dann hast du den Schnodder im Filter hängen, da fließt nicht lange Wasser... und Einzeller gehen durch die meisten Filter trotzdem durch. Inklusive befruchtete Eier von diversen Organismen...
Da hilft UV :D
 
andi_sco schrieb:
Soweit ich mich erinnere, ist das gereinigte Wasser teilweise so aggressiv, das es selbst die Edelstahlrohre angreift
Dubai schafft es doch auch aus Salzwasser Süßwasser zu erzeugen.Das sollte klappen.ich weiß das Salzwasser in Süßwasser umzuwandeln ein sehr hohen Energieaufwand hat.Sicher durch Verdunstungsprozesse.
 
Artikel-Update: Laut taiwanischen Medien hat das Vorhaben mehrere Prüfungen hinsichtlich Umweltverträglichkeit, Wasser, Müllentsorgung und andere Punkte bestanden und sei nun bereit für die nächste Phase. Insgesamt geht es dabei um fast 90 Hektar Land von ehemals geplanten 95 Hektar, die für den Bau der „one trillion fab“, umgerechnet in europäische Maßeinheiten etwa 33 Milliarden US-Dollar, genutzt werden sollen.
 
Ich kann solche Nachrichten immer nicht 100% ernst nehmen… komme mir dann immer wie ein Verschwörungstheoretiker vor, aber als ob jemals so ein Bauvorhaben wegen umweltunverträglichkeit verneint werden würde… das würde sich doch keiner erlauben.
 
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Nitschi66 schrieb:
aber als ob jemals so ein Bauvorhaben wegen umweltunverträglichkeit verneint werden würde… das würde sich doch keiner erlauben.
Eben. Und selbst wenn, dann kommt das erst Jahre später raus und die Fab bleibt einfach stehen…

Ist doch hierzulande mit den oft getätigten Teilgenehmigungen auch so.
 
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Naja, TSMC ist nicht nur der wertvollste Konzern aus Taiwan, er ist auch die politisch-strategische Absicherung gegegen einen dauerhaften "Besuch" der Freunde vom Festland.

Insofern wird sicher im Zweifel immer für TSMC entschieden wenn es darum geht ob der Fisch schon immer 7 Augen hatte oder nicht :D
 
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