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News16-Milliarden-Investition: TSMC plant neue Gigafab für 5- und 3-nm-Chips
TSMC plant eine weitere Gigafab. Mit einer Investitionssumme von insgesamt 500 Milliarden New Taiwan Dollar (rund 15,7 Mrd. US-Dollar) soll damit die Vorherrschaft auch in Zukunft gesichert werden, denn der neue Komplex wird direkt auf die 5- und 3-nm-Chips zugeschnitten sein.
Und ich dachte immer bei 10nm ist schluss weil dann die leitende Schicht nur noch aus wenigen Atomen besteht. Für <5nm müsste es dann doch neues Material geben oder?
Ich würde das ganze gern mal physikalisch angehen.
Zwischen dem Silikat befindet sich doch, wenn ich nicht irre, weiterhin Kupfer, um die entsprechenden Signale weiterzuleiten. Kupfer hat einen Atomradius von etwa 140pm. Ein Nanometer entspricht wiederrum 1000 Picometer. Bei einer Strukturbreite von lediglich 3nm würden somit ja nur noch ca. 20 Kupferatome nebeneinander passen, bevor sie einen Kurzschluss verursachen.
Die Angeben sind schon lange keine realen Größen mehr. Sondern nur Namen für Technologien und "je kleiner desto besser" Marketing. Und Intel 14 nm ist anders als Samsungs 14 nm etc.
Jahrelang sind wir alle darauf reingefallen ... wie haben wir uns gefreut ... juhu 32nm ... Hurra 28nm ... wie haben wir uns über die LÜGEN gefreut!
Und jetzt dürfen wir alle umlernen ... die Zunge ist nicht in Geschmackszonen aufgeteilt, der Eisenanteil im Spinat war nurn Rechenfehler und Zahlen in der Halbleitertechnik entsprechen keinen reellen Größen.
Tolle neue Welt ... wenn wir endlich Zustände wie in Nordkorea haben, wander ich aus ... ins echte Nordkorea
Das ist doch rausgeschmissenes Geld. Die Investitionskosten stehen in keinem Verhältnis zu der Leistungsausbeute der Chips. Da werden 15 Mrd. Dollar investiert um im Vergleich zu jetzigen Chips 30-40% mehr Leistung zu bekommen bei gleichem Stromverbrauch. Wenn man sich mal vor Augen hält wieviel Geld das ist. Mir ist klar das sich das für TSMC lohnt aber trotzdem. Verstehe nicht warum man soviel Geld in etwas investiert das keine Zukunft mehr hat.
Echt nett wie manche Firmen von 5 oder 3nm reden als würden sie nicht genau wissen, dass diese Strukturen nie erreichbar wären. Sieht man ja gut am Beispiel von Intel wenn die angebliche Strukturgröße mit der realen Transistordichte vergleicht. 45nm war die letzte Stufe, die noch ehrlich war, ab 32nm ist alles nur noch Marketing. Seit Anfang 2010 hat es genau einen realen Fertigungsschritt gegeben (Verdopplung der Transistoranzahl). In Wahrheit ist Moores Law seit 2010 bereits tot.
Nur so als Vergleich: Die Durchschnittsgröße eines Skylake Transistors beträgt ca. 260 * 260nm.
In der Regel ist damit der im Produktionsprozess verwendete Lithografieprozess beschrieben. Also wenn der Hersteller angibt 14nm, dann können mit der verwendeten Lithografiemaske Strukturen in der Größe bis zu 14nm abgebildet werden. Die tatsächlichen Strukturen im fertig produzierten IC sind größer.
Bei einem Wechsel von z. B. 28 nm auf 14 nm erhöht sich die theoretisch mögliche Packdichte der Strukturen um den Faktor 2. Also könnten dann im 14 nm Verfahren auf 1 mm² Waferfläche 2x soviele Strukturen abgebildet werden wie im vorherigen 28 nm Lithografieprozess.
@ DJMadMax: die Strukturgröße bezieht sich auf die kleinste Struktur im Chip. Die Metallisierung zur Verdrahtung der Chips ist vor allem in den höheren Ebenen wesentlich größer.
Zudem muss sich die Strukturgröße nicht auf jeden in dieser Fab hergestellten Chip beziehen. Oft orientiert man sich an Strukturgrößen, die in Speicherchips (Flash) möglich wären.
