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Artikel-Update: Heute hat Samsung wie zuletzt erwartet offiziell die „initiale 3-nm-Produktion“ gestartet, heißt es in einer Presseaussendung. Dabei bewirbt der Hersteller noch einmal explizit die Vorteile des ersten GAA-Prozesses gegenüber FinFETs, wählt als Vergleichsbasis aber auch den letzten ursprünglichen Prozess in 5 nm und keine Verbesserung wie 4 nm. Gegenüber 5 nm sollen die neuen Chips bis zu 45 Prozent weniger Strom aufnehmen, oder die Leistung um 23 Prozent steigern und 16 Prozent weniger Fläche belegen.
Dass der erste Prozess in GAA aber noch längst nicht perfekt ist, schreibt Samsung bereits mit Blick auf die zweite Generation: 50 Prozent geringerer Energiebedarf oder ein Leistungsplus bei bis zu 30 Prozent (gegenüber 5 nm) sind noch verhältnismäßig kleine Anpassungen, vor allem nun soll jedoch die Fläche um bis zu 35 Prozent reduziert werden.
Als Zielgruppe nennt Samsung die ersten „chips for high performance, low power computing application and plans to expand to mobile processors“. Was genau produziert wird, nennen Foundries wie üblich nicht, das übernehmen später die Kunden in ihren Ankündigungen selbst.
Dass der erste Prozess in GAA aber noch längst nicht perfekt ist, schreibt Samsung bereits mit Blick auf die zweite Generation: 50 Prozent geringerer Energiebedarf oder ein Leistungsplus bei bis zu 30 Prozent (gegenüber 5 nm) sind noch verhältnismäßig kleine Anpassungen, vor allem nun soll jedoch die Fläche um bis zu 35 Prozent reduziert werden.
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Als Zielgruppe nennt Samsung die ersten „chips for high performance, low power computing application and plans to expand to mobile processors“. Was genau produziert wird, nennen Foundries wie üblich nicht, das übernehmen später die Kunden in ihren Ankündigungen selbst.