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Vom Übereinanderstapeln mehrerer DRAM-Dies, die mittels Silizium-Durchkontaktierung miteinander verbunden werden, verspricht sich die Branche höhere Speicherdichten, mehr Leistung und weniger Energiebedarf. Samsung beginnt nun mit der Massenfertigung erster 64-GB-DDR4-Module mit „3D-TSV-Technik“.
Zur News: 64-GB-DDR4-Module mit 3D TSV von Samsung in Serie
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