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NewsASML und TSMC belichten 1.022 Wafer in 24 Stunden mit EUV
ASML und TSMC haben einen weiteren Meilenstein auf dem Weg zur Serienfertigung mit der neuen EUV-Lithografie überschritten. Mit einer über 90 Watt starken Lichtquelle wurden bei TSMC 1.022 Wafer binnen 24 Stunden belichtet. Der bisherige Höchstsatz lag bei lediglich 637 Wafern, die von IBM mit ASML-Geräten belichtet wurden.
Hieß es nicht mal, dass man bei EUV >110 Wafer pro Stunde (>2640 Wafer pro Tag) braucht um wirtschaftlich zu sein?
Wie kommt es, dass jetzt 1500 Wafer pro Tag reichen sollen? Wird die Immersionslithografie bei kleinen Strukturen doch teurer als erwartet oder gibt es andere Gründe?
Wie kommt es, dass jetzt 1500 Wafer pro Tag reichen sollen? Wird die Immersionslithografie bei kleinen Strukturen doch teurer als erwartet oder gibt es andere Gründe?
Liegt es vielleicht daran, dass mittlerweile oder zumindest sehr bald auch mit "traditionellen" Methoden x-fach belichtet werden muss und die nötigen Optiken dafür abstrus kompliziert sind? Die Waferpreise sind ja ein wenig gestiegen, was daran liegen könnte, dass man die auch nicht mehr so schnell raushaut, wie früher.
Kostet ja nur mal rund 100mio $ in der Anschaffung so eine maschine ^^
Aber wenn der Laser selbst nur 90 Watt verbraucht, wie sieht es dann mit dem Stromverbrauch so einer maschine aus?
Die Betriebskösten dürften wohl nicht allzuhoch sein. Der Reinraum dazu wird wohl einiges mehr kosten im Unterhalt.
Die 90W sind die effektive Lichtleistung, die auch am Ziel ankommt. Ich habe keine aktuellen Wirkungsgrade, ich schätze die Eingangsleistung nur der Lichtquelle aber auf mindestens 10 kW, eher mehr.
@Krautmaster: Direkte Belichtung ist eine Methode die unabhängig von der Wellenlänge erforscht wird. Bisher wird bei EUV weiterhin über Masken belichtet.
Bei einer 300mm Wafer bekommt man rund 640 vollständige Chips (100mm²) raus. (Apple A7 ist z.B. 102mm² groß) Bei einer 450mm Wafer, die ja auch wie EUV irgendwann mal kommen soll, würden 1490 Chips drauf passen. Wobei davon natürlich nicht alle voll funktionsfähig sind.
Hier ein Bericht.
Große Chiphersteller wie Intel oder AMD, bringen es auf bis zu 1000 Wafer pro Tag. Und jede einzelne dieser Siliziumscheiben kann mit bis zu 10.000 Chips bestückt sein, sagt Martin von Ackeren vom Fraunhofer Institut.
Überschlagen wir mal schnell. Eine 300mm Wafer hat, wie der Name schon sagt, einen Durchmesser von 300mm. Das macht eine Fläche von 70685,8mm² (A=πd²/4). Um da überhaupt nur annähernd auf 10000 Chips zu kommen dürften diese nur 7mm² groß sein. Wobei man nur 9846 vollständige 7mm² Chips raus bekommen würde. Verschnitt gibt es halt immer.
Von 10.000 meine ich eher mal im Bezug zu Festplattenleseköpfen gelesen zu haben. Die sind winzig und es passen wohl Unmengen auf einen Wafer.
E:
Okay bei den Schreibköpfen habe ich mir arg vertan: Auf einen 200mm (!) Wafer gehen schon 70.000-80.000!
Das war 2012 - mittlerweile dürften es eher 90.000 sein. Ganz zu schweigen von den Unsummen, die auf einen 350mm Wafer passen würden.
Als Vergleich: von einem popeligen GPS-Receiver kann man über 12000 auf einen 300-mm-Wafer platzieren, ein SOC für's Smartphone ~1000 mal, 'ne aktuelle Desktop-CPU ~250 mal und einen Chip für eine XBOne oder PS4 ~150 mal.
Die 90W sind die effektive Lichtleistung, die auch am Ziel ankommt. Ich habe keine aktuellen Wirkungsgrade, ich schätze die Eingangsleistung nur der Lichtquelle aber auf mindestens 10 kW, eher mehr.
Ich weiß nicht, wie es bei den UV-Lasern ist. Diodengepumpte Nd-YAG Laser schaffen afaik sogar bis zu 70% Wirkunsggrad, wenn die Pumpstrahlung ordentlich eine Absorptionskante trifft.
Ich weiß nicht, wie es bei den UV-Lasern ist. Diodengepumpte Nd-YAG Laser schaffen afaik sogar bis zu 70% Wirkunsggrad, wenn die Pumpstrahlung ordentlich eine Absorptionskante trifft.
Auch das ist nur optischer Wirkungsgrad, nicht die Effizienz aus der Steckdose. Die CO2 Laser mit denen das UV-Licht (kein Laser) erzeugt wird liegen bei mehreren 10 kW, die Effizienz bei unter 20%. Verglichen mit dem Preis der Maschine sind die Stromkosten wohl trotzdem nicht schlimm.
Bei EUV kommt ein CO2-Laser zum Einsatz mit dem man aus Xe oder Sn ein Plasma erzeugt, welches als Lichtquelle dient. Wobei das Plasma selbst auch wieder einen großen Teil der EUV-Strahlung absorpiert. Somit liegt man in Sachen Energieverbrauch der Lichtquelle definitiv über der ArF-Immersionslithografie.
Hat zwar nicht viel mit Halbleiterfertigung zu tun, aber in diesem Bericht geht es um eine (etwas ältere) Laseranlage in einer Disco. 18W Lichtleistung gehen raus, 40kW gehen rein, darum ist eine aufwändige Kühlung notwendig.
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