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NewsEUV-Lithografie: ASML vermeldet Großauftrag mit US-Kunden
Die in der Halbleiterfertigung genutzte Fotolithografie stößt an ihre Grenzen. Zur weiteren Verkleinerung der Strukturen setzt die Branche Hoffnungen in die EUV-Lithografie. ASML als größter Hersteller entsprechender Maschinen vermeldet einen Großauftrag aus den USA erhalten zu haben.
Am Rande sei bemerkt, es geht bei Belichtungsverfahren noch viel weiter runter. Das hier beschriebene Verfahren ist nur das Beste für den Massenmarkt also für die Herstellung von Großserien-Chips.
Theoretisch lassen sich feinste Strukturen im am (Atometer) Bereich herstellen durch eine Belichtung mittels Elektronenstrahl. Diese Verfahren dauern allerdings extrem lange und würde dadurch die Herstellungskosten stark steigen lassen. Auch die Ausbeute ist wohl nicht serientauglich. Allerdings sind die Ausbeuten bei diesen Chips um die es geht eh oftmals sehr gering im Vergleich zu Prozessen in anderen Segmenten der Halbleiterherstellung wie bei Einfachen ASICs oder MEMs oder kleinen Sensoren. Hier gibt es durchaus Prozesse mit Ausbeuten im Bereich 98%. Welche jedoch oft auch "nur" auf 150mm (6") oder 200mm (8") Wafern gefertigt werden. Da die Notwendigkeit von 300mm (12") oder mehr nicht gegeben ist.
Die Maske ist ein großes Problem und einer der Gründe warum es immer wieder zu Verzögerungen kommt, da dort Fortschirtte nur sehr langsam gemacht werden.
Die Lithografiemaske ist als Mehrschichtspiegel ausgeführt. Die Defektfreiheit der Multilagen der Maske ist eine der größten technologischen Herausforderungen und die Maskeninspektion ist auch sehr aufwändig.
Theoretisch lassen sich feinste Strukturen im am (Atometer) Bereich herstellen durch eine Belichtung mittels Elektronenstrahl. Diese Verfahren dauern allerdings extrem lange und würde dadurch die Herstellungskosten stark steigen lassen. Auch die Ausbeute ist wohl nicht serientauglich.
Strukturen im Attometer-Bereich? Wie das funktioniert, hätte ich gern erklärt. Atomkerne haben einen Durchmesser im Bereich von 10000 Attometern, selbst die einzelnen Nukleonen liegen im Bereich von 1000 Attometern. Ohne Kernspaltung wird man da also nicht weit kommen
Strukturen im Attometer-Bereich? Wie das funktioniert, hätte ich gern erklärt. Atomkerne haben einen Durchmesser im Bereich von 10000 Attometern, selbst die einzelnen Nukleonen liegen im Bereich von 1000 Attometern. Ohne Kernspaltung wird man da also nicht weit kommen
Vor allem ist die Wellenlänge der Elektronen dafür auch noch ein paar Nummern zu groß. Das wird nix. Pikometer, möglicherweise bekommt man auch noch Wellenlängen im Femtometer Bereich hin, aber da ist dann Ende
Vor allem ist die Wellenlänge der Elektronen dafür auch noch ein paar Nummern zu groß. Das wird nix. Pikometer, möglicherweise bekommt man auch noch Wellenlängen im Femtometer Bereich hin, aber da ist dann Ende
Joa, aber selbst das hilft nix, wenn man Silizium oder irgendeinen anderen Festkörper strukturieren will, da limitiert dann doch eher der interatomare Abstand im Bereich einiger 100pm. Also abgesehen davon, dass sich für die Herstellung irgendwelcher Bauelemente wenigstens ein paar Atomlagen zwischen den Elektroden befinden sollten und man dann doch nicht zu kleineren Strukturen als ein paar Nanometer kommt.
Am Rande sei bemerkt, es geht bei Belichtungsverfahren noch viel weiter runter. Das hier beschriebene Verfahren ist nur das Beste für den Massenmarkt also für die Herstellung von Großserien-Chips.
Theoretisch lassen sich feinste Strukturen im am (Atometer) Bereich herstellen durch eine Belichtung mittels Elektronenstrahl. Diese Verfahren dauern allerdings extrem lange und würde dadurch die Herstellungskosten stark steigen lassen. Auch die Ausbeute ist wohl nicht serientauglich. Allerdings sind die Ausbeuten bei diesen Chips um die es geht eh oftmals sehr gering im Vergleich zu Prozessen in anderen Segmenten der Halbleiterherstellung wie bei Einfachen ASICs oder MEMs oder kleinen Sensoren. Hier gibt es durchaus Prozesse mit Ausbeuten im Bereich 98%. Welche jedoch oft auch "nur" auf 150mm (6") oder 200mm (8") Wafern gefertigt werden. Da die Notwendigkeit von 300mm (12") oder mehr nicht gegeben ist.
Naja, die Formulierung ist natürlich unglücklich. Eine aus Atomen aufgebaute Struktur lässt sich natürlich nicht kleiner als in dieser Dimension herstellen. Sollten die Optiken aber annahmsweise in gleichem Maße das elektromagnetische Feld des verwendeten Lichts räumlich fokusieren können, dann kann man sich Strukturen aus elektrischen oder magnetischen Feldern vorstellen, die eben so klein sind wie von Candy beschrieben. Vielleicht klappts ja mit einem masselosen Feldtransistor :-)
Rein theoretisch dürfte das Limit bei 10^-35m liegen (Plancklänge)
