peter.hahn schrieb:Es gibt Gründe warum man für NAND aktuell kein EUV nutzt.. da wird mehr Richtung mehr Layer gegangen.. und 3D und 4D, da werden noch länger keine 3-5nm Strukturen gebraucht..
Das Problem bei NAND ist wohl , das man eine minimale Zellengröße für die Speicherkondensatoren hat um genügend Elektronen für die Ladung darin unterzubringen. Und diese Zellengröße kann man auch ohne EUV erreichen.