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News Höhere Taktraten durch neuen physikalischen Effekt?
- Ersteller Parwez
- Erstellt am
- Zur News: Höhere Taktraten durch neuen physikalischen Effekt?
K
kaigue
Gast
Klingt nach Try and Error... die Materialwissenschafler können sicher noch andere Materialien bauen, die sich in Tranistoren einsetzen lassen.
Siehe die Entwicklung von IGBTs. Das war auch Try and Error und hat funktioniert.
Man muss also doch noch Experimentieren. Gut so
Siehe die Entwicklung von IGBTs. Das war auch Try and Error und hat funktioniert.
Man muss also doch noch Experimentieren. Gut so
X-Ray8790 schrieb:Für mich klingts eher so, als wenn die hohe Kapazität des Kanals hinderlich ist zur Steigerung der Taktrate, und der Vorteil viel mehr die geringe Betriebsspannung und damit Leistungsaufnahme ist?
genau so verstehe ich den Text eigentlich auch.
Spezialist
Cadet 2nd Year
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- Sep. 2007
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- 28
Ich möchte ja nicht trollen, aber seit wann sind physikalische Effekte "neu"? Die sind doch schon immer da, nur eben noch nicht entdeckt!Höhere Taktraten durch neuen physikalischen Effekt?
Er meint die Änderung des Kern-Spins bei dieser Technik: https://www.computerbase.de/2011-05/hamburger-forscher-bauen-logikbaustein-aus-atomen/Jenergy schrieb:Kern-Rotation?
Rechtschreibfehler 2Die elektrische Kapazität gib an,
Absatz 3
Siew
Cadet 3rd Year
- Registriert
- Okt. 2007
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- 42
mhhh kann es sein das es sich bei dem effekt um diesen hier handelt?
http://www.youtube.com/watch?v=wAtqPL_maeg
ist auch ein neuer quantenmechanischer effekt der nich die ladung selbst sondern nur deren information der ladungstrennung überträgt
http://www.youtube.com/watch?v=wAtqPL_maeg
ist auch ein neuer quantenmechanischer effekt der nich die ladung selbst sondern nur deren information der ladungstrennung überträgt
Eisenfaust
Banned
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- Feb. 2007
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- 1.212
Wenn an diesem "Science" Artikel maßgeblich auch Deutsche beteiligt sind, warum wird dann von diesen US-Lakaien als erstes das MIT-Logo angebracht?
Irgendwie passt die Überschrift nicht zum Text. Wenn ich mir schon komische Materialien anschaue, um hohe Kapazitäten in einem Transistor zu erreichen, was bekomme ich? Einen Transistor, der vielleicht eine deutlich gesenkte Betriebsspannung benötigt und ... vergleichsweise langsam schaltet. Hohe Kapazitäten sind Gift für die Taktflanken. Ich darf an das SoI-Debakel von damals AMD, nun GF bei der Prozesseinführung erinnern...
ExcaliburCasi
Lt. Commander
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- März 2008
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- 1.691
mo_ritzl schrieb:Ziemlich kompliziert zu lesen wg. der vielen Fachbegriffe usw.
Ein gutes Vorwissen ist da schon vorausgestzt
es reicht wohl Elektroniker zu sein, um teilweise schon zu schmunzeln, das war doch wohl wirklich gut verständlich für jeden der eine halbwegs technische Ausbildung genossen hat.
vom Kaufmann erwarte ich das nicht
Ps: rechtschreibfehler
"Die elektrische Kapazität gibt an,"
"Dadurch bildet sich an der Verbindungsstelle zum Strontium-Titanat ein leitender Kanal."
ITX
Commander
- Registriert
- Dez. 2008
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- 2.274
X-Ray8790 schrieb:Für mich klingts eher so, als wenn die hohe Kapazität des Kanals hinderlich ist zur Steigerung der Taktrate, und der Vorteil viel mehr die geringe Betriebsspannung und damit Leistungsaufnahme ist?
Vielleicht argumentiert man so, dass für ein kleineres delta U weniger Zeit benötigt wird statt für ein großes. Und wenn sich der "Tunnel" dann noch durch eine höhere Reinheit des Materials schneller ausbildet, da der R.el geringer ist, dann steigert sich die Frequenz. Mutmaße ich jetzt mal. ^^
Vllt. geht man aber auch von geringeren Leckströmen bei hohen Frequenzen aus, was die Taktrate begünstigen könnte.
sry, aber mal wieder nur wissenschaftliche spielerei
das wird nie zur anwendung kommen, zumindest nicht so lange chips weiterhin aus silizium hergestellt werden..
schnellere schaltzeiten wären auch bei galliumarsenid oder graphen möglich, aber wafer von ersterem sind zu teuer und zweiteres lässt sich noch lange nich in den benötigen mengen und größeneinheiten herstellen.
P.S.: spin ist keine rotation, die rotation dient lediglich als anschauliches beispiel, tatsächlich ist der spin eine eigenschaft die in der makroskopischen welt kein gegenstück hat
das wird nie zur anwendung kommen, zumindest nicht so lange chips weiterhin aus silizium hergestellt werden..
schnellere schaltzeiten wären auch bei galliumarsenid oder graphen möglich, aber wafer von ersterem sind zu teuer und zweiteres lässt sich noch lange nich in den benötigen mengen und größeneinheiten herstellen.
P.S.: spin ist keine rotation, die rotation dient lediglich als anschauliches beispiel, tatsächlich ist der spin eine eigenschaft die in der makroskopischen welt kein gegenstück hat
Dshing
Lt. Commander
- Registriert
- Nov. 2007
- Beiträge
- 1.436
Was eure Einwenden gegen die Formulierung "neuer Physikalischer Effekt " angeht,kann man sehr wohl so sagen, da die Physik nur die menschliche Beschreibung der Natur ist, aber nicht die Natur der Dinge selbst.
Man kann natürlich physikalische Effekte an sich nicht erfinden nicht erfinden, aber das wurde hier ja auch nicht behauptet.
@Siew
Es kann natürlich sein das es sich hier auch um Scharlatanerei handelt, aber das bleibt abzuwarten.
Man kann natürlich physikalische Effekte an sich nicht erfinden nicht erfinden, aber das wurde hier ja auch nicht behauptet.
@Siew
Es kann natürlich sein das es sich hier auch um Scharlatanerei handelt, aber das bleibt abzuwarten.