News Höhere Taktraten durch neuen physikalischen Effekt?

Den Artikel muss ich morgen nochmal lesen. nach 12 Stunden Dienst bin ich nicht mehr aufnahmefähig... ;)
 
Klingt nach Try and Error... die Materialwissenschafler können sicher noch andere Materialien bauen, die sich in Tranistoren einsetzen lassen.
Siehe die Entwicklung von IGBTs. Das war auch Try and Error und hat funktioniert.

Man muss also doch noch Experimentieren. Gut so :)
 
X-Ray8790 schrieb:
Für mich klingts eher so, als wenn die hohe Kapazität des Kanals hinderlich ist zur Steigerung der Taktrate, und der Vorteil viel mehr die geringe Betriebsspannung und damit Leistungsaufnahme ist?

genau so verstehe ich den Text eigentlich auch.
 
Hm, interessante Sache, leider fehlen sehr viele Kommata :(.
 
Das is sowas von Wayne. Interessanter wirds, wenn diese komische Kern-Rotationsgeschichte Reif wird und Chips sogut wie keinen Strom mehr brauchen, kaum Abwärme entwickeln und 10.000ghz Taktraten möglich sind.
 
Kern-Rotation? :watt:
 
Wenn an diesem "Science" Artikel maßgeblich auch Deutsche beteiligt sind, warum wird dann von diesen US-Lakaien als erstes das MIT-Logo angebracht?
 
Irgendwie passt die Überschrift nicht zum Text. Wenn ich mir schon komische Materialien anschaue, um hohe Kapazitäten in einem Transistor zu erreichen, was bekomme ich? Einen Transistor, der vielleicht eine deutlich gesenkte Betriebsspannung benötigt und ... vergleichsweise langsam schaltet. Hohe Kapazitäten sind Gift für die Taktflanken. Ich darf an das SoI-Debakel von damals AMD, nun GF bei der Prozesseinführung erinnern...
 
@LeChris
Genau das hab ich mir auch gedacht. Entweder muss da noch mehr dahinter stecken als der Artikel wiedergibt, oder höhere Taktraten is in dem Zusammenhang irgendwie falsch...
 
mo_ritzl schrieb:
Ziemlich kompliziert zu lesen wg. der vielen Fachbegriffe usw.
Ein gutes Vorwissen ist da schon vorausgestzt :freak:


es reicht wohl Elektroniker zu sein, um teilweise schon zu schmunzeln, das war doch wohl wirklich gut verständlich für jeden der eine halbwegs technische Ausbildung genossen hat.
vom Kaufmann erwarte ich das nicht ;)


Ps: rechtschreibfehler

"Die elektrische Kapazität gibt an,"
"Dadurch bildet sich an der Verbindungsstelle zum Strontium-Titanat ein leitender Kanal."
 
X-Ray8790 schrieb:
Für mich klingts eher so, als wenn die hohe Kapazität des Kanals hinderlich ist zur Steigerung der Taktrate, und der Vorteil viel mehr die geringe Betriebsspannung und damit Leistungsaufnahme ist?

Vielleicht argumentiert man so, dass für ein kleineres delta U weniger Zeit benötigt wird statt für ein großes. Und wenn sich der "Tunnel" dann noch durch eine höhere Reinheit des Materials schneller ausbildet, da der R.el geringer ist, dann steigert sich die Frequenz. Mutmaße ich jetzt mal. ^^

Vllt. geht man aber auch von geringeren Leckströmen bei hohen Frequenzen aus, was die Taktrate begünstigen könnte.
 
sry, aber mal wieder nur wissenschaftliche spielerei
das wird nie zur anwendung kommen, zumindest nicht so lange chips weiterhin aus silizium hergestellt werden..
schnellere schaltzeiten wären auch bei galliumarsenid oder graphen möglich, aber wafer von ersterem sind zu teuer und zweiteres lässt sich noch lange nich in den benötigen mengen und größeneinheiten herstellen.

P.S.: spin ist keine rotation, die rotation dient lediglich als anschauliches beispiel, tatsächlich ist der spin eine eigenschaft die in der makroskopischen welt kein gegenstück hat
 
Was eure Einwenden gegen die Formulierung "neuer Physikalischer Effekt " angeht,kann man sehr wohl so sagen, da die Physik nur die menschliche Beschreibung der Natur ist, aber nicht die Natur der Dinge selbst.
Man kann natürlich physikalische Effekte an sich nicht erfinden nicht erfinden, aber das wurde hier ja auch nicht behauptet.

@Siew
Es kann natürlich sein das es sich hier auch um Scharlatanerei handelt, aber das bleibt abzuwarten.
 
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