Mortiss schrieb:
netburst ist also der fsb an sich, im vergleich zum A64 mit dem Hyper-Transport, der kein fsb mehr an sich ist, oder täusche ich mich da?
außerdem würde ich gerne wissen, was die Leute mit "Netburst-Philosophie (Hoher Prozessortakt, lange Pipeline)" meinen
Unter NetBurst versteht man beim Pentium 4 die ganze Architektur und der technische Leitfaden.
Da ist der quad-pumped FSB neben Rapid Execution, Hyper-Pipelining und SSE2(3) nur eins von vielen Eigenschaften, die zudem Gesamtkonzept "NetBurst"-Architektur dazuzählen.
Sie ist eben darauf ausgelegt, dass die Leistung pro Taktzyklus vergleichsweise gering ist, dafür man aber den Prozessortakt in schwindelerregende Höhen treiben kann. Wäre nicht das Desaster mit dem Prescott dazwischengekommen ständen wir nach alten Roadmaps im Jahre 2007 mit dem Nehalem-Core erstmals der 10 GHz Grenze gegenüber.
Andere Ansätze wie AMDs K7/K8 Architekur oder dem Pentium M von Intel (der vom Grundgedanken dem Pentium 3 entspricht) gehen in Richtung hoher Leistung pro Takt - im Gegenzug aber geringere Taktfrequenzen.
Momentan sind die letzten Ansätze leicht im Vorteil, lange Zeit hinweg hatte Intel mit der NetBurst Architektur aber die Nase vorn gehabt.
Die Netburst Architektur aufzugeben war nach den Problemen in letzter Zeit die einzig logische Konsequenz, wenn man keine Mittel und Wege gesehen hat, wie man aus ihr noch einiges hätte rausholen können.
Das man nun die Idee des Pentium M auf dem Desktop Markt in einer erweiterten Entwicklung weiterführt und keine komplett neue Lösung sucht war abzusehen, schließlich scheint des mit dem ja keine großen Probleme zu geben.
Kann man den Pentium M als Pentium 3 mit den Vorzügen des damaligen Pentium 4 erachten, schätze ich den Conroe als Pentium M mit den Erweiterungen des aktuellen Pentium 4s ein - sprich SSE3, 64-Bit und zukünftig auch Vanderpool.
Interessant wird auf jeden Fall der Whitefield. Quad-Core Xeon MP mit voraussichtlich unter 90 Watt. Der Woodcrest wird sicherlich nen DP fähig gemachter Merom sein und im Vergleich zum Yonah wegen 64-Bit und den anderen Features ein paar Watt mehr verbrauchen.
mfg Simon
das wird einfach mit neuen Produkten überdeckt als ob es nie dagewessen wäre. Macht aber jede Firma so. Würd ich ja auch machen 
- so weit ich aber sehe, wird der Avrill der Broadwater-Nachfolger sein.)
Wie stellt sich P1264 nun im Detail - soweit bekannt - dar? Kurz zusammengefasst, könnte es Intel damit gelingen, den Stromverbrauch seiner aktuellen Prozessoren - glaubt man den uns vorliegenden Materialien - deutlich zu senken und die Taktraten weiter anzuheben. Auch zum Herstellen von 65-nm-Strukturen setzt Intel wie angekündigt auf Lichtquellen mit einer Wellenlänge von 193 nm. Das Licht ist also „länger“ als die zu erstellenden Strukturen; dementsprechend muss sich Intel entsprechenden Tricks wie Optical Proximity Correction (OPC) oder alternating Phase Shift Masks (altPSM) bedienen. Die Breite der Transistor-Gates wurde von derzeitigen 50 nm (90-nm-Fertigung) auf nunmehr 35 nm verringert; die Dicke der Isolierschicht zwischen Gate und Source/Drain blieb dagegen mit 1,2 nm unverändert. Dadurch sollen sich die ungewünschten Kondensator-Effekte um 20 Prozent reduzieren. Sie haben linearen Einfluss auf den Stromverbrauch (Leistungsaufnahme = Kapazität aller Gates x Taktfrequenz x Betriebsspannung²) des Prozessors. Eine Taktsteigerung von 40 Prozent soll so möglich werden. Auch beim gestreckten Silizium (Strained Silicon) hat Intel weitere Verbesserungen vorgenommen. Bei konstanter Leakage, also konstantem Strom bei nicht leitenden Transistor, lässt sich der mögliche Source-Drain-Strom (Ion) um 10 bis 15 Prozent steigern. Soll dagegen der gleiche Source-Drain-Strom durchgeleitet werden, ist dies ganz und gar durch ein Viertel der bisherigen Leakage zu erreichen. Vielversprechende Zahlen wie wir meinen. Um der durch 65 nm höheren Transistordichte Herr zu werden und die Transistoren untereinander verbinden zu können, hat Intel die Anzahl der Verdrahtungsebenen von sieben (90 nm) auf nunmehr acht erhöht. Das Isolationsmaterial (Low-k carbon doped oxide dielectric) zwischen den Schichten wurde ebenfalls verbessert und soll zu einem stromsparenden Prozessor beitragen."
