News Intel: Tri-Gate-Transistor macht alles besser

Auf reiner "Atomebene" (also unter den bis jetzt geplanten Strukturen in der Zukunft) funktioniert das ganze System nicht wie bisher. Da dominieren quantenmechanische Effekte viel stärker als jetzt...

Da wird man sich was grundlegend neues einfallen lassen müssen. Bis dahin ist es aber noch etwas Zeit. Mal sehen, wie lange das Moorsche Gesetz noch seine Richtigkeit hat.

@nemo
Der Zeitplan wird nicht von Intel gemacht, sondern von einem Konsortium der Halbleiterhersteller. Vielmehr ist es als Route zu verstehen. Dieser wird immer wieder aktualisiert, mit dem was möglich ist, bzw. was erwartet wird, dann möglich zu sein. Die Entwicklung der Belichtungsanlagen ist so extrem teuer, dass auch Intel es nicht allein finanzieren könnte.
 
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@2: flach ...soll was heißen?
Ein Blatt Papier ist auch sehr Ffach, dennoch ist es eigentlich 3Dimensional da sich in dem blatt ein 3dimensionaler Raum befindet.

Nur weil sich dieser Raum in einem Bereich von unter 1 mm dicke/höhe befindet heißt es ja nicht, das er nicht da ist.
Der Mensch kann ihn nurnich in der Praxis nutzen.
Deshalb wird erst ab einer gewissen Größenordnung von 3Dimensional gesprochen, rein theoretisch ist es aber anders.
( Kleinstlebewesen können sich ja in so einem kleinen Raum 3dimensional bewegen als Beispiel )
 
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eindimensional is doch eine unendlich-dünne gerade. flach, kommt ja von fläche->flächeninhalt->m²->zweidimensional
 
zu Tri-Gate Transistoren hat AMD doch schon vor 2 Jahren was gezeigt. Ich erinnnere mich da an einen C'T-Artikel...

iLL
 
@Spik3

Vielmehr ist die Bezeichnung 1D/2D/3D auf die physikalische Beschreibung und dessen Verhalten in Realität zurückzuführen. 1D bezieht sich z.B. auf die Beschreibung mittels eines ein-dimensionalen Elektronengases usw. ... Normalerweise werden die Beschreibungen in gewissen Näherungen dargestellt. Hängt aber von den Umständen ab.

Natürlich hat alles seine 3 Dimensionen. Besser gesagt sind es ja vier.

@Stinger
Ich kann ja mal nachschauen, aber ich glaube, dass AMD es genausowenig Tri-Gates zuerst gezeigt hat. Wenn ich mich recht erinnere, ist das an sich keine neue Idee und wurde vor längerer Zeit schon demonstriert. Kann dir aber aus dem Stehgreif kein Paper nennen, da ich ein Laser-Futzi bin und nicht ein Dünnschichtmensch.
Viel wichtiger für uns End-User ist aber die Anwendung in der Massenproduktion und nicht im Labor.
 
@ Stinger
Bei AMD war zuerst die rede von Dual-Gates, wie es jetzt aussieht weiss ich leider nicht mehr.
Intel sprach schon im 2002 von Tri-Gates, in einer CT aus dem Jahre 2000 hatte ich das erste mal was über High-K gelesen - seither warte ich gespannt *fg*
 
Topic schrieb:
Wir sind bemüht solche Techniken so spät wie möglich einzuführen, sofern andere kostengünstigere Optimierungen die gewünschten Eigenschaften bringen. Insofern ist es als Erfolg zu werten, wenn wir Tri-Gate nicht so schnell brauchen.

Meine Meinung ist: Je eher die Technik eingeführt wird, desto eher könnten Grafikkartenentwickler auch in extremere Bereich vortreten und bessere Karten entwickeln. Wir kann man nur bewusst den Fortschritt zurückhalten wollen :(


Ansonsten ein super Bericht, der mir vom Inhalt her zwar sehr wenig sagt, aber mich doch periphär tangiert ;) (was auch immer das wieder bedeutet :rolleyes:)
 
wHiTeCaP schrieb:
Meine Meinung ist: Je eher die Technik eingeführt wird, desto eher könnten Grafikkartenentwickler auch in extremere Bereich vortreten und bessere Karten entwickeln. Wir kann man nur bewusst den Fortschritt zurückhalten wollen...

Ich lese daraus, das sie dadurch so viel Zeit wie möglich erhalten könnten, dass diese Technik für die Serienreife zu Ende entwickelt werden kann.
Noch steckt alles in den Kinderschuhen.
Du möchtest doch nichts kaufen, was zwar die neuesten Techniken enthält, aber noch nicht ganz ausgereift ist ?
 
Die um 35 Prozent geringere Schaltleistung (Switching Power) erlaubt einen 45 Prozent höheren Steuerstrom (Drive Current/Switching Speed) für einen schnelleren Einschaltvorgang und damit höhere Taktfrequenzen oder um den Faktor 50 geringere Ströme im ausgeschalteten Zustand (Off-Current) für niedrigen Stromverbrauch.

In der Tat scheint der in der zweiten Hälfte 2007 kommende Wechsel auf 45 nm-Strukturen auch ohne Tri-Gate gut auskommen zu können. So hat Mark Bohr im Rahmen der Ankündigung dieser Fertigungstechnologie bekannt gegeben, dass hier die Schaltleistung (Switching Power) im Vergleich zu 65 nm um über 30 Prozent, der Steuerstrom (Drive Current/Switching Speed) um 20 Prozent gesteigert und die Leakage-Power um den Faktor 5 reduziert werden konnten. Diese Werte sind vor allem auf den Einsatz von High-k zurückzuführen.

irgendwo ist der wurm drin, was ist jetzt besser, geringe oder hohe schaltleistung?
 
Götterwind schrieb:
Mal sehen, wie lange das Moore'sche Gesetz noch seine Richtigkeit hat.

Das ist das Heiligtum der Halbleiterindustrie... Das ist schon so in den Köpfen verinnerlicht, dass man echt damit plant. Deswegen ists ja auch gut (für die Industrie), noch neue Technologien in der Hinterhand zu haben, wenn man Gefahr läuft die Steigerung nicht weiter zu schaffen.
 
Donnerschlag, da ist man mal eine Woche im Urlaub und die Physik macht ein "Quantensprung" nach vorne (ob das viel oder wenig ist?! ;) )

e-Laurin schrieb:
Man nehme einfach ein Elektronenmikroskop und lasse den Computer anhand dessen Daten ein Bild generieren.
Ein Atom mit einem Elektronenmikroskop beobachten ... und dabei den Quarks dabei zuzusehen, wie sie durch die Strings hüpfen. Ein Wunschtrum meines ehemaligen Physikprofessors geht in Erfüllung.
 
Sollte Intels Vorsprung in der Fertigungstechnik weiter vergrößern und deren CPUs werden noch schneller und stromsparender als durch ein ganz normales shrink.
 
Bis die Tri-Gate-Transistoren in Serien gehen, wird es aber noch eine Weile dauern.


@Tunguska: Der "Quantensprung" in der Physik war, weil du im Urlaub warst. ;)
 
E.T. schrieb:
irgendwo ist der wurm drin, was ist jetzt besser, geringe oder hohe schaltleistung?

Die Zahlen stimmen so. Allerdings hat Intel nicht bekanntgegeben, in welchen Strukturgrößen die Tri-Gate-Transistoren gefertigt worden sind. Da ein Matel-Gate zum Einsatz kommt, könnte es natürlich 45 nm gewesen sein. Allerdings weiß ich das noch nicht (hab jedoch den Detail-Bericht von der Konferenz da und schau da noch mal rein)


Gut soweit getextet. Jetzt sehe ich, dass du beim zweiten Text meinst, dass die Schaltleistung gesenkt worden sein muss. Da hast du Recht. Wird umgehend korrigiert.
 
Für diese News hat CB endlich mal wieder ein richtig dickes :daumen: verdient. Das ist ein Newsniveau an das ich mich gewöhnen könnte.

(Nützlicher Nebeneffekt: vll bleiben durch solche gehobene News endlich nen Paar von den Spam-Kiddies weg :D )
 
Ich weis ja nicht, was ihr zu den Fußballspielen so trinkt, aber Quarks sind nicht zu beobachten. Schon gar nicht mit Elektronenmikroskopen, sei es ein Tunnelelektronenmikroskop oder ein Kraftmikroskop usw... Man kann ja nur die Wechselwirkung des Tasters (z.B. eine Spitze) mit der Elektronenhülle darstellen. Der Kern des Atoms (sehr viel kleiner als das Atom, das weis man ja schon seit Rutherford :) ) ist auch damit nicht sichtbar. Quarks schon gar nicht. Außerdem treten die normalerweise nicht allein auf. Es weis noch nicht mal einer, wie ein Elektron aussieht. Einer meiner Profs hat mal gesagt: "...Alle reden sie von Elektronen, aber keiner hat sie bis jetzt gesehen. Also weis auch keiner, wie sie aussehen..."

Naja, das schweift langsam doch dolle vom Thema ab
 
AMD wir dabei gar nicht so schwer am forschen sein, kleinere Firmen nutzen häufig den Windschatten der großen Konzerne zum entwickeln und durchsetzen von neuen Technologien. Denn das Durchsetzen neuer Technologien und Standards kann sich selbst für den martkbeherschenden Riesen Intel als schwierig erweisen. Außerdem kostet diese Forschung ein heiden Geld und deshalb wird AMD wohl gezwungen sein Intel den Vortritt zu lassen um dann auf dessen Forschung aufzubauen...
 
So noch ein kleines Update zu den Zahlen: Wenn ich das Whitepaper von Intel richtig verstehe, hatte der Tri-Gate-Transistor, mit dem die oben genannten Zahlen gewonnen wurden, ein 40 nm langes Gate. Das Gate vom aktuellen 65 nm-Prozess ist 35 nm lang. Die Tri-Gate-Transistor würden formuliert in Fertigungstechnologie damit irgendwo zwischen 90 nm und 65 nm liegen. Aber gänzlich versteh ich das Whitepaper noch nicht.
 
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