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NotizLangzeitverträge: Qualcomm bindet sich bis 2028 an Globalfoundries
Langzeitverträge (LTA) sichern Qualcomm viele Jahre in die Zukunft Chips aus den Halbleiterwerken des Auftragsfertigers Globalfoundries. Der Auftrag ist über 4 Milliarden US-Dollar schwer und folgt auf Vereinbarungen, die bisher schon Bestand haben. Qualcomm wird dabei auf nahezu alle Möglichkeiten von Globalfoundries setzen.
GF’s FinFET platforms provide a best-in-class combination of performance, power and area that are well-suited for high-end Mobile, Automotive and IoT applications.
Wie passt das damit zusammen, dass GloFo über ein 12nm-Verfahren nicht hinausgekommen sind? "Best in class" darin, in größeren Strukturbreiten besonders effizient zu sein oder wie ist das gemeint? Gerade "High-End Mobile" ist ja mal gar nicht deren Steckenpferd...
Wie passt das damit zusammen, dass GloFo über ein 12nm-Verfahren nicht hinausgekommen sind? "Best in class" darin, in größeren Strukturbreiten besonders effizient zu sein oder wie ist das gemeint? Gerade "High-End Mobile" ist ja mal gar nicht deren Steckenpferd...
Es kommt halt darauf an, was man damit produziert. Es geht nicht immer nur um den Soc alleine. Man kann nunmal nicht alles in dem kleinsten verfahren herstellen lassen.
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Qualcomm als engerer Partner
Die bestehende Kooperation mit dem Smartphone-Chip-Entwickler Qualcomm soll erweitert werden. Globalfoundries soll für diesen Kunden in größerem Umfang „5G RF Front-End Products“, also im weitesten Sinne Hochfrequenz-Schaltungen für 5G-Produkte, herstellen, die wiederum in den SOCs oder Modem-Chips von Qualcomm zu erwarten sind“
Wie passt das damit zusammen, dass GloFo über ein 12nm-Verfahren nicht hinausgekommen sind? "Best in class" darin, in größeren Strukturbreiten besonders effizient zu sein oder wie ist das gemeint? Gerade "High-End Mobile" ist ja mal gar nicht deren Steckenpferd...
Gibt ja nicht nur SoCs, CPUs und GPUs als "Chips". Wie im Artikel geschrieben stellen sie ja unter anderem Funkmodule für 5G her (für Qualcomm). Abhängig von Strömen, Störeinflüssen etc sind kleinere Prozesse sogar hinderlich. Du kannst - derzeit - keine Power ICs in 7nm fertigen. Ja, alle Anbieter bieten das mittlerweile in 28nm-nodes an (und der 22nm node hier dürfte ein Derivat der 28nm-Technologie sein) und wollen das die bisherigen 40nm- und 65nm-nodes für Power ICs nicht mehr genutzt werden, aber die modernste Technologie ist weder nötig noch, ohne übertriebenen Mehraufwand, möglich.
Globalfoundries hat übrigens nie gesagt dass sie keine modernen Verfahren anwenden - sie nehmen nur nicht an dem Rennen für SoCs teil. Sprich, EUV und Co kommen wenn es deutlich billiger ist. Als GF von AMD veräußert wurde waren sie auch bei 28nm und haben sich mittlerweile auf 22nm verbessert. GF scheint sich wohl zu fühlen einfach so 4-5 Jahre hinter der Spitze zu sein, dafür zuverlässige, ausgereifte Prozesse anzubieten. Die werden auch massig nachgefragt - siehe der Punkt "Automotive". Allein schon durch die geänderten Temperaturanforderungen braucht man da derzeit andere Prozesse um die Dauerlast gewährleisten zu können.
Steht doch im Artikel, das man nicht überall den besten 7nm etc. braucht, sondern auch mal 22nm und gröber
Ergänzung ()
Auch Qualcomms Technologie-Portfolio benötigt in vielen Fällen abseits der bekannten Snapdragon-SoCs nicht die fortschrittlichste Fertigung, sondern angepasste Produktionsketten.
Ich habe den Artikel auch gelesen
Nur wusste ich nicht, dass "High-End-"Modems noch in größeren Strukturbreiten hergestellt werden... für mich war das eher mid-end bzw. Massenware.
Globalfoundries hat übrigens nie gesagt dass sie keine modernen Verfahren anwenden - sie nehmen nur nicht an dem Rennen für SoCs teil. Sprich, EUV und Co kommen wenn es deutlich billiger ist. Als GF von AMD veräußert wurde waren sie auch bei 28nm und haben sich mittlerweile auf 22nm verbessert. GF scheint sich wohl zu fühlen einfach so 4-5 Jahre hinter der Spitze zu sein, dafür zuverlässige, ausgereifte Prozesse anzubieten. Die werden auch massig nachgefragt - siehe der Punkt "Automotive". Allein schon durch die geänderten Temperaturanforderungen braucht man da derzeit andere Prozesse um die Dauerlast gewährleisten zu können.
Das hat GF aber gesagt weil die US FAB damals einfach nichts auf die Reihe bekommen hat und GF einfach nicht mithalten konnte, technologisch wie finanziell. Die hatten auch schon EUV geplant (2017 7nm). Das war nicht wie dargestellt irgend eine smarte Erkenntnis, es war einfach nichts anderes drin mit dem know how und den Mitteln.
Bzgl. Robustheit gibt es diverse Einsatzgebiete, wo man bei >= 22nm produzieren muss (hohe Temperaturen, hohe Strahlung, starke EMV-Störungen etc.). Nicht umsonst produziert man bei Automotive, Bahntechnik, Luft-und Raumfahrt sowie Medizintechnik teilweise heute noch im 65 oder 45 nm Prozess.
Wie passt das damit zusammen, dass GloFo über ein 12nm-Verfahren nicht hinausgekommen sind? "Best in class" darin, in größeren Strukturbreiten besonders effizient zu sein oder wie ist das gemeint? Gerade "High-End Mobile" ist ja mal gar nicht deren Steckenpferd...
Bei den FDX Prozessen lässt sich im back bias mode eine sehr hohe Schwellenspannung mit niedrigem Overdrive implementieren. Damit bekommt man die statische Leistungsaufnahme auf ein sehr geringes Level. Für alles was nicht unglaublich schnell, aber kontinuierlich (kein race to finish) funktionieren muss ist 22nm FDX sehr effizient. Die SC library ist auch nicht mehr ganz so seltsam wie bei alten Glofo nodes.
Dazu ist 22FDX auch noch ziemlich günstig pro Wafer (der SOI Planar Bulk kommt wohl mit relativ wenigen Belichtungsschritten aus) und die Maskensätze sind verhältnismäßig günstig.
@Weyoun Das hat nur bedingt damit zu tun. Sowohl ein Aufweiten der Kanäle, als auch das Benutzen von Dummy Zellen und on Die Kapazitäten um EM Störungen auszugleichen unterstützen auch modernere nodes. Bei den Temperaturen ist eher die Frage, ob das Fanout sich so 1 zu 1 replizieren lässt. Ansonsten liegt es hauptsächlich an langen Entwicklungs und vor allem Zertifizierungsabläufen, sowie geringerem Mehrwert als in anderen Bereichen.
@andi_sco
14nm FinFet ist von Samsung lizensiert, während 22FDX und 14FDX Eigenentwicklungen sind.
@TenDance
22FDX ist kein Derivat des 28nm Nodes, sondern eine komplette eigenentwicklung. Die Zielgruppe ist auch ziemlich anders. Mit den FDX nodes sollte man keine designs mit vernünftiger Pipelinelänge und mehr als einem GHz erwarten. Der Performance KPI von den FDX nodes liegt weit hinter den klassischen Planar Bulks oder Finfets.
Ich denke er bezog sich darauf, dass Glofos eigene Marketing Abteilung 14nm LPP den neuen planaren FDX node durcheinander haut. Letzterer ist kein Finfet, aber in der SOI Nische Technologieführer.
5G wahrscheinlich alle, vielleicht welche in 7nm. 4G Modems dann in ältere FinFet nodes. Bei ganz einfachen Kram mag es auch noch was in 28 nm oder 40 nm. Das sind aber keine klassischen FD-SOI Anwendungen.
