BAR86 schrieb:
Naja Intel setzt derzeit ja auch noch auf ein DUV Verfahren, während TSMC seit 5 Jahren mit EUV herumspielt.
TSMC spielt nicht mit EUV herum.
Sie haben den höchsten Anteil an EUV-Maschinen. Und einen noch höheren Anteil an den Wafern die mit EUV produziert werden. Und diese Erfahrung macht ein großen Anteil des Vorsprungs aus. Es kommt auf die tatsächliche Fehlerrate an, und nicht darauf wer behauptet zuerst die HVM gestartet zu haben.
BAR86 schrieb:
Das Blatt könnte sich wieder zugunsten von Intel wenden, diese haben bereits Tests im High-NA Verfahren.
Natürlich kann sich das Blatt immer wenden.
Der Unterschied bei der Sache ist, dass Intel alles herumposaunt, während TSMC im Stillen arbeitet.
Beim letzten Technologie Tag hat sich TSMC erstmals konkreter zu 2 nm und GAA geäußert. Das mussten sie auch, weil Halbleiter ein langlebiges Geschäft ist und die Leute wissen müssen was für die nächsten 2 oder 3 Jahre geplant ist.
Intel trägt alles offen zur Schau und auch Samsung überschlägt sich mit Ankündigungen. Aber die können eben auch nicht liefern. Bei Intel ist es erforderlich, weil sie ja eine Foundry aufbauen wollen. Bei Samsung ist es pure Dummheit.
TSMC weiß es, dass sich ihre Kunden auf sie verlassen und dass es wenn TSMC mit Przessen nicht fertig wird ihre Kunden noch gewaltige Probleme bekommen. Dass bei TSMC 3 nm nicht alles wie gewünscht gelaufen ist, ist offensichtlich. Aber dies ist seit Jahren klar. Es gab bisher keine last Minute Überraschungen. Und Du kannst davon ausgehen, dass TSMC ebenfalls schon lange GAA-FETs in ihren Forschgungsanlagen produziert. Ob High-NA für 2nm erforderlich ist, werden wir sehen. Auch TSMC wird rechtzeitig eine bekommen.
Aber die Frage ist kann ASML bis 2024 genügend Hgh-NA-Maschinen ausliefern, dass man damit tatsächlich eine HVM starten kann. Mit der einen Maschine die Intel herumposaunt hat, kann man hervorragend Prozessentwicklung betreiben. Aber für HVM benötigt man erheblich mehr Maschinen.