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Speichercontroller ]
Speichercontroller Eigenschaften:
Fehlerkorrekturmethode 64-bit ECC
Fehlerkorrektur Keine
Unterstützter Speicher Interleave 1-Way
Aktueller Speicher Interleave 1-Way
Unterstützte Speichergeschwindigkeit 70ns, 60ns
Unterstützte Speichertypen SPM, EDO
Unterstützte Speicherspannung 3.3V
Maximale Speichermodulgröße 1024 MB
Speichersteckplätze 4
Speichercontroller ]
Speichercontroller Eigenschaften:
Fehlerkorrekturmethode 64-bit ECC
Fehlerkorrektur Keine
Unterstützter Speicher Interleave 1-Way
Aktueller Speicher Interleave 1-Way
Unterstützte Speichergeschwindigkeit 70ns, 60ns
Unterstützte Speichertypen SPM, EDO
Unterstützte Speicherspannung 3.3V
Maximale Speichermodulgröße 1024 MB
Speichersteckplätze 4
vom bericht:
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname Crucial Ballistix BL25664BN1337.16FF
Seriennummer A001657Fh (2137325984)
Modulgröße 2 GB (2 ranks, 8 banks)
Modulart Unbuffered DIMM
Speicherart DDR3 SDRAM
Speichergeschwindigkeit DDR3-1333 (667 MHz)
Modulbreite 64 bit
Fehlerkorrekturmethode Keine
DRAM Hersteller Micron
Speicher Timings:
@ 666 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-74-4-10-5-5 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 592 MHz 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-66-4-9-5-5 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 518 MHz 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-58-4-8-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 444 MHz 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-49-3-7-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Extreme Memory Profile:
Profil Name Enthusiast (Certified)
Speichergeschwindigkeit DDR3-1333 (667 MHz)
Spannung 1.65 V
@ 666 MHz 7-7-7-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-69-2-4-10-5-5 (RC-RFC-CR-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 571 MHz 6-6-6-21 (CL-RCD-RP-RAS) / 29-60-2-4-9-5-5 (RC-RFC-CR-RRD-WR-WTR-RTP)
Extreme Memory Profile:
Profil Name Extreme
Speichergeschwindigkeit DDR3-1333 (667 MHz)
Spannung 1.65 V
@ 666 MHz 6-6-6-20 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-69-2-4-10-5-5 (RC-RFC-CR-RRD-WR-WTR-RTP)
Speichermodulbesonderheiten:
Auto Self Refresh Unterstützt
Extended Temperature Range Unterstützt
Extended Temperature Refresh Rate Nicht unterstützt
On-Die Thermal Sensor Readout Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller:
Firmenname Micron Technology, Inc.
Produktinformation http://www.crucial.com
[ DIMM2: [ TRIAL VERSION ] ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname [ TRIAL VERSION ]
Seriennummer A0016464h (1684275616)
Modulgröße 2 GB (2 ranks, 8 banks)
Modulart [ TRIAL VERSION ]
Speicherart DDR3 SDRAM
Speichergeschwindigkeit DDR3-1333 (667 MHz)
Modulbreite 64 bit
Fehlerkorrekturmethode Keine
DRAM Hersteller Micron
Speicher Timings:
@ 666 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-74-4-10-5-5 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 592 MHz 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-66-4-9-5-5 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 518 MHz 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-58-4-8-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 444 MHz 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-49-3-7-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Extreme Memory Profile:
Profil Name Enthusiast (Certified)
Speichergeschwindigkeit DDR3-1333 (667 MHz)
Spannung 1.65 V
@ 666 MHz 7-7-7-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-69-2-4-10-5-5 (RC-RFC-CR-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 571 MHz 6-6-6-21 (CL-RCD-RP-RAS) / 29-60-2-4-9-5-5 (RC-RFC-CR-RRD-WR-WTR-RTP)
Extreme Memory Profile:
Profil Name Extreme
Speichergeschwindigkeit DDR3-1333 (667 MHz)
Spannung 1.65 V
@ 666 MHz 6-6-6-20 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-69-2-4-10-5-5 (RC-RFC-CR-RRD-WR-WTR-RTP)
Speichermodulbesonderheiten:
Auto Self Refresh Unterstützt
Extended Temperature Range Unterstützt
Extended Temperature Refresh Rate Nicht unterstützt
On-Die Thermal Sensor Readout Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller:
Firmenname Micron Technology, Inc.
Produktinformation http://www.crucial.com
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname Crucial Ballistix BL25664BN1337.16FF
Seriennummer A001657Fh (2137325984)
Modulgröße 2 GB (2 ranks, 8 banks)
Modulart Unbuffered DIMM
Speicherart DDR3 SDRAM
Speichergeschwindigkeit DDR3-1333 (667 MHz)
Modulbreite 64 bit
Fehlerkorrekturmethode Keine
DRAM Hersteller Micron
Speicher Timings:
@ 666 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-74-4-10-5-5 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 592 MHz 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-66-4-9-5-5 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
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Extreme Memory Profile:
Profil Name Enthusiast (Certified)
Speichergeschwindigkeit DDR3-1333 (667 MHz)
Spannung 1.65 V
@ 666 MHz 7-7-7-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-69-2-4-10-5-5 (RC-RFC-CR-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 571 MHz 6-6-6-21 (CL-RCD-RP-RAS) / 29-60-2-4-9-5-5 (RC-RFC-CR-RRD-WR-WTR-RTP)
Extreme Memory Profile:
Profil Name Extreme
Speichergeschwindigkeit DDR3-1333 (667 MHz)
Spannung 1.65 V
@ 666 MHz 6-6-6-20 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-69-2-4-10-5-5 (RC-RFC-CR-RRD-WR-WTR-RTP)
Speichermodulbesonderheiten:
Auto Self Refresh Unterstützt
Extended Temperature Range Unterstützt
Extended Temperature Refresh Rate Nicht unterstützt
On-Die Thermal Sensor Readout Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller:
Firmenname Micron Technology, Inc.
Produktinformation http://www.crucial.com
[ DIMM2: [ TRIAL VERSION ] ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname [ TRIAL VERSION ]
Seriennummer A0016464h (1684275616)
Modulgröße 2 GB (2 ranks, 8 banks)
Modulart [ TRIAL VERSION ]
Speicherart DDR3 SDRAM
Speichergeschwindigkeit DDR3-1333 (667 MHz)
Modulbreite 64 bit
Fehlerkorrekturmethode Keine
DRAM Hersteller Micron
Speicher Timings:
@ 666 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-74-4-10-5-5 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 592 MHz 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-66-4-9-5-5 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 518 MHz 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-58-4-8-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
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Extreme Memory Profile:
Profil Name Enthusiast (Certified)
Speichergeschwindigkeit DDR3-1333 (667 MHz)
Spannung 1.65 V
@ 666 MHz 7-7-7-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-69-2-4-10-5-5 (RC-RFC-CR-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 571 MHz 6-6-6-21 (CL-RCD-RP-RAS) / 29-60-2-4-9-5-5 (RC-RFC-CR-RRD-WR-WTR-RTP)
Extreme Memory Profile:
Profil Name Extreme
Speichergeschwindigkeit DDR3-1333 (667 MHz)
Spannung 1.65 V
@ 666 MHz 6-6-6-20 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-69-2-4-10-5-5 (RC-RFC-CR-RRD-WR-WTR-RTP)
Speichermodulbesonderheiten:
Auto Self Refresh Unterstützt
Extended Temperature Range Unterstützt
Extended Temperature Refresh Rate Nicht unterstützt
On-Die Thermal Sensor Readout Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller:
Firmenname Micron Technology, Inc.
Produktinformation http://www.crucial.com
hier zu bild 1
dram voltage control 1500v
nb voltage control 1100v
nb pcie voltage control 1800v
zu bild 2
trfc0 for dimm 1 110ns
trfc2 for dimm 2 90ns
trfc1 for dimm 3 110 ns
trfc3 for dimm4 90ns
write recovery time 10t
precharge time 5t
row cycle time 33t
ras to ras delay 4t
was muss ich hier noch ändern?
dram voltage control 1500v
nb voltage control 1100v
nb pcie voltage control 1800v
zu bild 2
trfc0 for dimm 1 110ns
trfc2 for dimm 2 90ns
trfc1 for dimm 3 110 ns
trfc3 for dimm4 90ns
write recovery time 10t
precharge time 5t
row cycle time 33t
ras to ras delay 4t
was muss ich hier noch ändern?
Casi030
Banned
- Registriert
- Feb. 2007
- Beiträge
- 15.687
zu Bild 1:
dram voltage control 1.650v
nb voltage control 1.100v
nb pcie voltage control 1.800v
zu Bild 2:
trfc0 for dimm 1 110ns
trfc2 for dimm 2 110ns
trfc1 for dimm 3 110 ns
trfc3 for dimm 4 110ns
write recovery time 8t
precharge time 5t
row cycle time 42t
ras to ras delay 4t
dram voltage control 1.650v
nb voltage control 1.100v
nb pcie voltage control 1.800v
zu Bild 2:
trfc0 for dimm 1 110ns
trfc2 for dimm 2 110ns
trfc1 for dimm 3 110 ns
trfc3 for dimm 4 110ns
write recovery time 8t
precharge time 5t
row cycle time 42t
ras to ras delay 4t
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