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Ja, ich muss gestehen in der Elektrontechnik ist es irgendwie immer andersrum als ich es mir selber logisch erkläre, aber Robert Hallock (der es ja nun wirklich wissen muss) hatte ja angebeben, das ProcODT über 80 Ohm nur mit zusätzlicher Kühlung erfolgen sollte.
Ich kann nicht sagen was genau die Widerstandswerte im Bios(ProcODT, RTT und Cad Bus) genau machen, aber ich bezweifle stark, dass man wirklich irgendwelche Widerstände ändert.
Das ergibt in meinen Augen keinen Sinn und ich wüßte auch nicht, wie eine Mainboardeinstellung den Widerstand eines Ram Moduls ändern könnte.
Was in meiner Vorstellung passier ist eine von zwei Möglichkeiten:
In beiden Möglichkeiten sagt man über die Biosoptionen nur welche Widerstände der Speicherkontroller zu erwarten hat.
Also entweder wird z.B. ein hoher Ram-Widerstand erwartet und daher ein niedriges Ausgangssignal erwartet(eingespeiste Spannungssignale fallen über höheren Widerständen stärker ab).
Ist die Erwartung höher oder niedriger als der tatsächliche Wert, sucht der Speicherkontroller die herauskommenden Signale im falschen Bereich und nichts geht mehr.
Oder die angenommenen Widerstände verändern die Höhe der eingespeisten Signalspannungen. Und zwar so, dass die herauskommenden Signale im richtigen Bereich sind, in dem sie interpretiert werden können.
Wobei ich denke die Signalspannungen sind was anderes als die DRam Spannung, die wir direkt einstellen. Diese z.B. 1,35V werden die Versorgungsspannung sein, die Signalstärken werde da irgendwie mit zusammenhängen aber sicherlich in anderen Bereichen liegen.
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Die Frage nach den Ram-Widerständen ist sicherlich hoch komplex. Man hat eine Mischung aus Kupferleitungen und dotierten Halbleitern. Für die Kupferleitungen gilt grob U=R*I und höhere Temperaturen führen bei gleicher Spannung zu kleineren Strömen.
Und auch für Halbleiter ergibt sich aus höheren Temperaturen, mehr Gitterschwingungen und damit höhere Streuwahrscheinlichkeiten und bei jeder Streuung geht ein Teil der kinetische Energie als Abwärme verloren. Insgesammt sinkt aber der Widerstand, weil mehr Elektronen ins Leitungsband gelangen können( und Löcher im Valenzband übrigbleiben). Mehr Ladungsträger beeinflussen die Leitfähigkeit viel stärker als die höheren Streuwahrscheinlichkeiten und insgesamt sinkt der Widerstand....ich bin mir aber nicht sicher ob nicht trotzdem mehr Wärme freigesetzt wird....muss ich nochmal nachlesen . ich würde vermuten ja, aber nagelt mich da nicht fest^^.
Dann sind unsere Halbleiter aber dotiert....die Leitung sollte also in n und p Leitung unterteilt sein und das wirft die Überlegung zum klassischen Halbleiterwiderstand über den Haufen.
Zusätzlich haben wir eine ganze Reihe Schottky Kontakte an den Materialübergängen. Die sollten durch passende Dotierungen usw. minimiert sein, aber alles in allem kann ich nicht wirklich vorhersagen nach welcher Funktion sich die Ramwiderstände verändern.
Ich vermute aber den groben Zusammenhang von: Höhere Temperatur führt zu höheren Widerständen.
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Was das jetzt meiner Vorstellung nach für unsere Widerstandsoptionen im Bios bedeutet, ist folgendes.
Eigentlich sollten die Optionen auf Auto intelligent agieren. Sie müssten wissen, dass bei einem Kaltstart, alles kalt ist und weniger Widerstand hat(oder mehr wenn ich bei den Halbleitereinflüssen falsch liege), sie müssten sich daran anpassen und für verscheidene Lastzustände und Betriebsspannungen ebenfalls Anpassungen vornehmen.
Ich weiß nicht mehr von wem die Infos dazu kommen(irgendwas im Overcock.net Forum), aber scheinbar passiert das bei AM4 nicht oder ist zumindest in früheren Bios Versionen nicht passiert. Es wurde z.B. für alle Cad Bus Werte 24Ohm angenommen...das passte bei meinem Ram bis 2666MHz aber darüber musste ich es anpassen. Auch für die Rtt Werte habe ich gelesen auf was die bei Auto immer stehen....habe ich aber vergessen.
Die CPU Spannung/Takt hat auch einen Einfluss auf diese Werte.
Vier Module brauchen andere Werte als 2 und dual ranked braucht was anderes als SR und auch wenn die meisten 8GB SR Module mit 60Ohm hinkommen, so kommt es doch auf Hersteller usw an.
Das wir also überhaupt mit diesen Widerstandswerten spielen müssen liegt scheinbar daran, das AM4 auf Auto nichts automatisch macht sondern nur Mittelwerte nutzt, die für niedrigen Ram Takt mit möglichst vielen Ram Modulen funktioniert.
Tunen wir jetzt diese Werte, damit sie auch auf hohe Taktraten passen, können wir schnellen Ram zum laufen bringen und sogar übertakten(da noch niemand richtig schnellen Ram wie 4000MHz zum laufen gebracht haben scheint, hat entweder unser Tuning seine Grenzen, der Speicherkontroller seine Grenzen, der Infinity Fabric, den wir ja mit übertakten, seine Grenzen oder es wurden noch nicht die passenden Einstellungen gefunden)
Wir Tunen den Ram aber durch Neustarts und Stabilitätstests kurz hintereinander.....und setzen feste Werte. War der PC länger aus oder ändern wir andere Dinge, haben wir Kaltstartprobleme. Wir können scheinbar nicht auf beides(Kaltstarts und Stresstests) Tunen. War mein PC länger aus, schafft er die Ram Initialisierung nicht direkt....er braucht 2-3 Versuche, dann scheint die Betriebstemperatur ausreichend zu sein. Eventuell kann man das auch irgendwie anpassen aber da weiß ich nicht wie.
Alles in allem ist es ein großer Nachteil für AM4. Die Leute wissen nichts mit den Optionen anzufangen, Und 99% scheinen sich nicht daran zu trauen, sondern probieren das was sie verstehen.....mehr Spannung ist besser und wenn das nicht hilft versucht man halt noch mehr Spannung. Eventuell bringt man so die Signale auch in passende Bereiche aber es ist kein gesunder oder erstrebenswerter Weg.
Eventuell liege ich auch mit allen Überlegungen ganz falsch, aber in meinem Kopf ergibt das Sinn
Ergänzung ()
cvzone schrieb:
...... aber Robert Hallock (der es ja nun wirklich wissen muss) hatte ja angebeben, das ProcODT über 80 Ohm nur mit zusätzlicher Kühlung erfolgen sollte.
Sollte er wissen....ich kenne auch das Video wo er es sagt, aber ich bezweifle die Aussage trotzdem....Einfach weil ich mit dem 1001er Bios, wo ich den Weg mehr Spannung und mehr ProcODT mit mäßigem Erfolg versucht habe, 80 und 96Ohm versucht habe und beides keine spürbaren Einfluss auf die Ramtemperaturen hatte. Mag sein, dass ich das nicht ordentlich gemessen habe aber bei 96 Ohm brennt der Ram nicht durch....und auch jetzt mit 60Ohm bin ich im gleichen Temperaturbereich. Wobei ich, mir bei den neuen 60Ohm mit RTT Werten, nicht sicher bin, wo die ProcODT im endeffekt liegt....könnte sein, das die Rtt Werte die 60Ohm ProcODT auch in effektive 80Ohm ändern.
Will mich da aber nicht zu sehr aus dem Fenster lehnen, weil ich es nicht genau geteste habe sondern nur so Pi mal Daumen verglichen habe ....habe im Moment auch keine Lust es nochmal zu testen.
ich weiß ja nicht was ihr unter Proct versteht , aber ich verstehe darunter die Stärke de Wiederstands der benötigt wird um ein Signal zu " terminieren " . Je höher die Spannung , desto höher Proct ..
Eine Computer arbeitet binär = 0 + 1 = AN + Aus , wenn das Signal auf aus steht , verschwindet das Signal=elektrischer Strom nicht einfach , sondern muss irgendwo hin = muss terminiert werden , das ist es was ich unter PROCT verstehe , was Hallock vermutlich meinte ist , um 96 Ohm als Proct zu benötigen , muss die Speicher / SOC Spannung schon enorm hoch sein
ProcODT ist Processor on die termination. Das ist der Endwiderstand des Speichercontrollers in der CPU, um die Wellenreflektion des Signals auszulöschen. Am RAM selbst wird da nichts geändert.
sondern muss irgendwo hin = muss terminiert werden
Ein offenes Kabelende reflektiert das Signal zurück in die Leitung. Je größer der Versatz zum eigentlichen Signal ist, desdo größer die Störung bishin zum totalen Kollaps. Der Endwiderstand reduziert dies, abhängig von seiner Höhe.
Daher musste man bei den alten BNC Netzwerken auch immer einen Endwiderstand aufschrauben.
Danke für die Erklärung ....also falsche Vermutung bei gleichem Ergebnis .
Es muss der passende Endwiderstand(gleichgroß zum Leitungswellenwiderstand) im Speicherkontroller gefunden werden(wie auch immer man den anpasst) und nur dann funktioniert es.
Eigentlich sollte das Board diesen selbst finden aber wir müssen selber ran.
Es erklärt nicht wirklich den Kaltstartbug, wie ich angenommen hatte und auch nicht warum höhere Werte besser gekühlten Ram bräuchten aber als Thema sehr interessant
Oder die angenommenen Widerstände verändern die Höhe der eingespeisten Signalspannungen. Und zwar so, dass die herauskommenden Signale im richtigen Bereich sind, in dem sie interpretiert werden können.
Das klingt zumindest erstmal schlüssig! Das ganze ist halt deutlich jenseits Newtonscher und Ohmscher Physik und daher schwer zu verstehen.
Müssen bei gelegenheit mal 'The Stint' oder 'Dresdenboy' mit der Frage langweilen... die wissen es sicher.
Was wirklich bescheuert ist, ist das AMD jahrelang RAM unter der eigenen Marke rausbringt, und jetzt wo sie timing optimierten RAM raubringen könnten der ihre eigene Plattform auch pushed, kommt nix. Nen FlareX von AMD mit voroptimierten Timings im AMP ... wäre echt brauchbar.
@Ned Flanders.....naja wenn die ProcODT so funktioniert wie MK one und cvzone das geschrieben haben, dann ist meine Vermutung falsch. Die ProcODT ändert dann den Endwiderstand im Speicherkontroller, damit dieser die Signale "schluckt". Ist der Wert falsch, wird mehr des Signals am "Kabelende" reflektiert und stört das Auslesen des Signals.
Es kommt aufs Gleiche hinaus...der Wert muss passen sonst geht es nicht oder wird sehr schwer.
Warum hohe ProcODT Werte eine bessere Ramkühlung brauchen macht in dem Zusammenhang dann keinen Sinn mehr aber egal.
Und ich weiß nicht recht wie man auf IC Ebene einen Widerstand ändert....aber da gibt es bestimmt Wege, die mir nicht klar sind
Darauf würd ich Wetten und das geht mir genauso, aber das Problem ist, dass die Erklärung das der Endwiderstand geändert wird schlicht keinen Sinn im Zusammenhang macht. Ein hoher Widerstand wäre dann ungefährlich und ein niedriger ein Problem. Steigende RAM Temperaturen durch einen hohen Widerstand machen sehr wenig Sinn.
Bin auch mal dazu gekommen, mein Ryzen etwas durchzutesten
Ryzen R7 1700X
ASUS ROG Strix X370-F
G.Skill F4-3400C16D-16GTZ
Samsung EVO 960
Momentan offener Aufbau mit Custom WaKü
ProcODT 80Ohm
VRAM 1.35
VSOC 1.1
Der Speicher ist DualRank 4Gbit Samsung E-Die.
Speicher Timings entsprechen dem XMP-Profil für 3400MHz und sind Memtest/Windows Memory Diagnostic solide
Die Timings habe ich bis jetzt noch nicht optimiert, ein kurzer Test auf 16,16,16,35 funktionierte.
Mit höherem Takt (3333/3466) startet das Board, mit den selben Einstellung, es kommt nur zu Fehlern bei Memtests.
Leider spinnt mein Board scheinbar, die Spannungswerte sind ziemlich verrückt
Hier mal beim Prime95 auf Stock.
VCore 0.654!?!
Sowas schon mal gesehen? Jemand vieleicht ne Idee oder n Tipp, außer Board defekt. BIOS geflasht habe ich schon mehrfach, Resets ebenso.
Die Ram Leistung sieht doch ganz gut aus. Du könntest sicherlich noch einige Timings anpassen, aber da dauert das testen immer sehr lange und da ist die Frage ob sich das lohnt^^.
0,6V Vcore ist unrealistisch.....auf dem Screenshot ist die CPU auf 55°, was mit Wasserkühlung sicherlich einen Lastzustand darstellt. Da sollte die Spanung deutlich höher sein.
Eventuell ist der Sensor kaputt? Wenn du keine Probleme hast, wird die Spannung wohl in normalen Bereichen liegen und nur falsch ausgegeben werden,
Jo, der Screenshot war unter Prime95 Vollast.
Leider scheinen die anderen Spannungswerte zum Teil auch nicht richtig zu sein z.B. der VDD scheint der VCore zu sein (im Screenshot Szenario Stock Auto) das konnte ich im Aida Stresstest beim undervolten mit VCore Offset von -0,1 sehr schön sehen.
Nervt mich aber ziemlich, weil ich den Kram so nicht guten Gewissens in mein großes System einbauen kann.
Wäre normal auch kein Problem, sollte ja eigentlich noch Garantie drauf sein, ich hab das Board aber gebraucht geschossen und die Rechnung nicht vorliegen, was bei ASUS ein Problem ist, da die leider keine Direktabwicklung haben.
Das ist blöd.
VDD sieht wirklich nach Vcore aus.....das klingt also so als könnte es mit einem Biosupdate berichtigt werden....viel Hoffnung wüde ich mir aber nicht machen^^
Ich hab schon mehrfach geflasht, ohne Erfolg.
Das Board an sich, ist ziemlich cool, es bietet das ROG Bios vom Crosshair VI, eine hervorragende Schnittstellen Ausstattung u.a. 2x USB3.0 Header, was mir für mein Case wichtig war und das für einen guten Kurs.
Und selbst problematischen Speicher, wie meiner, bekommt man damit gut und stabil übertaktet.
Leider wirken sich diese merkwürdigen Spannungswerte auf das CPU OC aus, da läuft leider nix stabil, sonst könnte ich auf die richtigen Spannungswerte verzichten.
Was ich noch los werden wollte Baal und auch SKu, danke euch für diesen Thread. Wenn man sich hier aufmerksam durcharbeitet, bekommt man schnell, sehr gute Ergebnisse, beim Speicher OC.
Aida 64 liest teils schwachsinnige Werte aus , HWinfo ist da wesentlich besser
PS: CPU Z nimmt normalerweise den grade anliegenden Wert , dh. im IDLE kann der schon mal bei 0,654v liegen , musst mal drauf achten - er sollte sich des öfteren verändern
Ok kann ich bestätigen. In HWInfo stimmen die Werte von der CPU, die Boardsensoren sind aber auch da ziemlich daneben.
Hab gestern noch mal was rum gespielt und die Widerstandwerte angepasst, vorher liefen mein E-Dies nur mit 80Ohm:
Damit kann ich zudem bestätigen, dass ein niedriger Ohm Wert sich leicht positiv auf die Temperaturen auswirkt, ca. 1,5-2,5K je nach Last. (Meine G.Skills haben Temp Sensoren)
Zusätzlich konnte ich sowohl den Takt erhöhen, als auch die Timings anziehen.
Bis 2,5K beim Wechsel von 80 auf 68Ohm, ist jetzt nicht so dramatisch, dass der Speicher keine 96Ohm vertragen könnte ohne Wassergekühlt zu laufen....keine Ahnung was die Aussage von AMD sollte.
Vieleicht wars auch einfach nur ein Scherz... who knows.
Nachdem sowohl Corsair als auch G.Skill jetzt angekündigt haben 4600MHz Module auf Samsung B Basis mit !!1.5V!! Versorgungsspannung und Lebenslanger Garantie zu verkaufen hab ich jetzt meine Spannung auf 1.4V erhöht .... und weiter geht das Timing Wunder...
Ich berichte wenn ich meine Final settings gefunden habe.
Unterscheiden sich die Trident Z 3200 Mhz Cl 14 gegenüber den Flare X 3200 Mhz Cl 14 denn nun in keinster Weise (auch die untergeordnete Timings) ?
Sind beide identisch ?
Das Problem ist, das ich meine Trident Z auf Teufel komm raus nicht mit dem Takt von 3200 MHz stabil bekomme. Auch mit entschärften Timings Cl 16 oder 18 bringt nichts.
Memtest86 v7.4 läuft knapp 4 Stunden 4/4 Pass mit den 13 verschiedene RAM-Testalgorithmen ohne Fehler mit 3200 cl 14.14.14.34.72 per xmp komplett ohne einen einzigen Error durch.
Aber im Spiel Bf1 oder Wildlands immer wieder Abstürze.
(Standbild + Battlefield 1 funktioniert nicht mehr) . Daher muss ich runter auf 3066 Mhz und konnte somit keine Abstürze mehr feststellen.
Unter Last scheint es, als wäre die Kommunikation zwischen CPU und RAM intensiver und daher fehlerhaft. Wie oben erwähnt lief Memtest 86 ohne Fehler durch.
Mein System läuft Stock ohne OC mit XMP RAM 1,35 V; SOC 1,1 V und neuestes Bios Update ist eingepflegt.
Danke
Die Hardware an sich sollte komplett identisch sein, soweit ich weiß werden die Trident eben auf Intel CPUs für den Takt gebinnt und die Flare X auf Ryzen CPUs.
. ich würde vermuten ja, aber nagelt mich da nicht fest^^.
.
....also falsche Vermutung bei gleichem Ergebnis 
