Zu viel Leistung beim Lüfter

gaym0r schrieb:
aber schreib doch gerne was genau ich falsch beschrieben habe,
Du hast geschrieben, daß das innere elektrische Feld im Halbleiter erst durch die Elektronen- / Löchererzeugung entsteht.
Das stimmt so nicht.

Das innere elektrische Feld entsteht durch die unterschiedliche Dotierung in den Bereichen des Siliziums mit Ausbildung der entsprechenden Raumladungszonen.
Es ist also schon vorhanden, gleich nach der Herstellung der Solarzellenhalbleiter.

gaym0r schrieb:
wie man es besser/einfacher/kürzer schreiben könnte,
Wozu einfach und kurz?

Manchmal ist eine ausführliche Beschreibung eben wesentlich besser zum Verständnis eines Vorganges geeignet, als ein grob und lückenhaft zusammengeschriebener Gedächtnisinhalt.

Halbleitertechnik ist nicht einfach.
 
wuselsurfer schrieb:
Du hast geschrieben, daß das innere elektrische Feld im Halbleiter erst durch die Elektronen- / Löchererzeugung entsteht.
Korrekt.
wuselsurfer schrieb:
Das innere elektrische Feld entsteht durch die unterschiedliche Dotierung in den Bereichen des Siliziums mit Ausbildung der entsprechenden Raumladungszonen.
Es ist also schon vorhanden, gleich nach der Herstellung der Solarzellenhalbleiter.
Wie entsteht denn ein elektrisches Feld ohne Spannung? Willst du mir sagen, dass auch bei vollständiger Dunkelheit ein elektrisches Feld vorhanden ist?
wuselsurfer schrieb:
Wozu einfach und kurz?
Weil es mehr off-topic war und nicht wirklich zum eigentlichen Thema beiträgt? Klar, ich hätte auch einfach sagen können: "Du hast unrecht, lies dir einfach diesen 20 Dina4 Seiten langen Wikipedia Artikel durch und komm wieder wenn du es verstanden hast" oder ich breche es kurz runter.
 
gaym0r schrieb:
Wie entsteht denn ein elektrisches Feld ohne Spannung?
Hab ich schon drei mal erklärt.
Es werden unterschiedliche Dotierungsatome eingebracht in hoher (+; 1 Dotierungsatom auf 10.000 Siliziumatome), mittlerer (1/ 106 (Donator) bis 107; (Akzeptor)) oder niederer (-) (weniger als 1 / 108 Si-Atome) Konzentration.

Je nach Wertigkeit (p; 3-wertig = Akzeptor, n; 5-wertig = Donator) entsteht an den Gitterplätzen Löcher- (p-Gebiet) oder Elektronenüberschuß (n-Gebiet).
https://de.wikipedia.org/wiki/Dotierung#Beispiel_Silicium

Aus den dotierten Gebieten formen sich dann Raumladungszonen mit unterschiedlichen Potentialen.
Treffen p- und N-Raumladungszonen aufeinander entsteht durch Rekombination eine neutrale Sperrschicht mit einem p-n-Übergang, auch Diode genannt.

gaym0r schrieb:
Willst du mir sagen, dass auch bei vollständiger Dunkelheit ein elektrisches Feld vorhanden ist?
Ja.

gaym0r schrieb:
Weil es mehr off-topic war und nicht wirklich zum eigentlichen Thema beiträgt?
Du kanzelst hier andere Helfer runter und hast dabei den p-n-Übergang nicht richtig begriffen, das geht gar nicht.

gaym0r schrieb:
Klar, ich hätte auch einfach sagen können: "Du hast unrecht, lies dir einfach diesen 20 Dina4 Seiten langen Wikipedia Artikel durch und komm wieder wenn du es verstanden hast" oder ich breche es kurz runter.
Wieso sollte ich das tun?

Erstens lernt man das ganz schnell in 6 Semestern Halbleitertechnologie und zweitens sind es nur 4 wichtige Seiten, die ich alle verlinkt habe.

Ob man es danach sofort begreift, weiß ich nicht, ich habe es auch ein paar mal lesen müssen beim Studium und dann noch ein paar mal später.
 
wuselsurfer schrieb:
Wieso sollte ich das tun?
Mich wundert diese Frage bei dir nicht mehr. Arrogantes Gehabe.

wuselsurfer schrieb:
Erstens lernt man das ganz schnell in 6 Semestern Halbleitertechnologie und zweitens sind es nur 4 wichtige Seiten, die ich alle verlinkt habe.
Ich hoffe dir wird jemand ähnliches antworten, wenn du irgendwo eine entsprechende Frage stellst. "Geh doch einfach 3 Jahre studieren!"

Schönen Abend noch ;)
 
@foofoobar Auf die Art und Weise kommt es an ;) "Wieso sollte ich euch einfach helfen lies doch einfach hier alles durch und fertig" bin ich sonst nur vom Microcontroller-Forum gewöhnt aber nicht von Computerbase.
Ich hab mich ja sogar zwischendurch bedankt für seinen Input, aber irgendwann kams halt nur noch so rüber als müsse er andere schlecht darstehen lassen, die eben nicht "schnell" studiert haben. Im Prinzip hab ich ja nichts falsches gesagt, es war ihm halt nur nicht detailiert genug - versteh ich halt auch Null diesen Einwand. Das könnte man dann nämlich zu 99% der Beiträge hier im Forum sagen, die nicht in die absolute Tiefe eines jeden Themas einsteigen.
 
Um das ganze mal wieder ein Stück zum Thema zurückzuführen, da ich den aktuell einen Testaufbau stehen habe:

Aufgrund mangelnder Leistung eines Panels habe ich (zugegebenermaßen auf der Schattenseite) nun 3 Panel an dem Lüfter hängen.
Kommt nun einigermaßen Licht höre ich am Motor auch, dass er versucht zu starten. Ich würde sagen er erzeugt eine Art Summen. Mit einem Schubser legt er dann auch los.

Hält der Lüfter nun aus mangelnder Leistung wieder an, Summt er nicht mehr. Auch mit Anschubsen will er nicht loslaufen, im Gegenteil: es fühlt sich an als wäre er "gebremst".

Stecke ich ihn einmal vom Strom ab und wieder an, geht das Summen wieder los und (wenn die Lichtverhältnisse passen) läuft er auch wieder.

Wie kommt das zustande ?
 
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