News Zweifel an 2-nm-Chips: Kritische Stimmen in Japan fordern einen Plan B für Rapidus

Volker

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Wäre schon zu begrüßen, wenn weltweit mehrere Unternehmen diese Ziele in der Fertigung anstreben und nicht vorschnell aufgeben. Am Anfang muss natürlich immer irgendwo Kapital herkommen. Risiken sind natürlich vorhanden.
 
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Und vorallem es braucht Konkurrenz. Das wäre auf Dauer gut. Ich mag Japan zwar aber ob das so ne gute Entscheidung war und wie es weiter gehen wird, das sieht man dann.
 
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Klingt einwenig wie die Story mit dem einen Blutstropfen der ausreichen soll 1000 Krankheiten nachweisen zu können.
Es laufen immer wieder Blender umher die das so sehr Erstrebte versprechen das der Verstand auf der Strecke bleibt. Im Großen wie im Kleinen.
Aber immerhin, man sucht nach einem Plan B, das ist doch mal ein Fortschritt.
 
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Und nur am Rande: einen Prototypen am 1. April vorzustellen ist nicht so gut für die PR.

Zum Knoten selbst hat man bis jetzt nicht allzu viele Details gehört oder gelesen. 2 nm ohne high NA EUV Scanner (AFAIK hat Rapidus bis jetzt keine installiert oder bestellt) ist schon an der Grenze des Machbaren, selbst TSMC arbeitet hier eher vorsichtig darauf hin.
 
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Whitehorse1979 schrieb:
Wäre schon zu begrüßen, wenn weltweit mehrere Unternehmen diese Ziele in der Fertigung anstreben und nicht vorschnell aufgeben.
Du hast den Artikel gelesen? Bei allem was schön ist, muss man realistisch bleiben und auch die Physik lässt sich nicht austricksen.
Dazu kommt, was ebenfalls im Artikel steht, ob der Ansatz überhaupt generell noch der Richtige ist.

Vll hat es einen sehr guten Grund, dass weltweit sonst keiner das machen will?
 
War es nicht schon bei TSMC so, dass die Nanometer-Angaben eher technische Bedeutung hatten und nichts mit der Praxis zu tun hatten? Ein Gate von einem nm Breite ist, glaube ich, mit Halbleitern nicht mehr realisierbar oder jedenfalls extrem aufwendig. Ich frage mich, wer da den Japanern so einen Bären aufbinden konnte, wenn selbst TSMC den Prozess nicht beherrscht.
 
In Japan steht derweil schon einmal das Gesetz auf dem Prüfstand, welches Subventionen dieser Art fördert, eine Revision wird angestrebt. Denn bisher setzt Rapidus nahezu ausschließlich auf die öffentliche Hand und Steuermittel, private Geldgeber werden auch nach Jahren weiterhin gesucht – und bisher nicht gefunden. Am 1. April soll die Prototypen-Linie den Betrieb aufnehmen, heißt es aus Japan. Wenn erfolgreich, finden sich danach eventuell Geldgeber.
Ist ja jetzt auch nicht das schlechteste Modell. Mit privaten Investoren von Beginn an im Boot könnte es mit Leichtigkeit geschehen, dass zwar die Gelder abgegriffen werden, aber am Ende doch jemand sonst die mit Mühe aufgebaute Fertigung abgreift...
 
Ich glaub schon, dass die Menschheit das mit den 2 nm hinbekommt, auch 1 nm. Dann brauchts eben noch ein paar Jahre. Ist doch nicht negativ. Niemand sagt, dass diese Forschung einfach ist und nichts kostet. Vielleicht muss man an einigen Stellen dann auch einfach neue Wege gehen, um das Ziel zu erreichen. Die Menschen werden irgendwann auch Fusionsenergie nutzen. Ganz sicher. Aber vorschnell aufgeben ist einfach keine Lösung. Jede Forschung zu begrüßen.
 
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Nein. Doch. Oh.

Einfach mal Milliarden Steuergeld ohne Sicherheit verbrennen. Der Grüne Wahnsinn wie Wasserstoff oder Batterien ist nichts anderes.
 
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joel schrieb:
Klingt einwenig wie die Story mit dem einen Blutstropfen der ausreichen soll 1000 Krankheiten nachweisen zu können.
Das ist alles eine Definitionssache. Wenn man den Tropfen als mehrere cm durchmessende Kugel mit 100 ml Volumen definiert, passt das schon. :hammer_alt:
joel schrieb:
Aber immerhin, man sucht nach einem Plan B, das ist doch mal ein Fortschritt.
Besser spät als nie.
Ergänzung ()

eastcoast_pete schrieb:
Und nur am Rande: einen Prototypen am 1. April vorzustellen ist nicht so gut für die PR.
Nicht in jeder Kultur kennt man Aprilscherze. ;)
Ergänzung ()

Boimler schrieb:
War es nicht schon bei TSMC so, dass die Nanometer-Angaben eher technische Bedeutung hatten und nichts mit der Praxis zu tun hatten?
Jein, die nm-Angaben kennzeichnen als Technologie-oder Prozessknoten lediglich die kleinste Abmessung in einem Feldeffekttransistor (z.B. die Gatelänge, also der kleinstmögliche Abstand zwischen Drain und Source), aber eben nicht die Größe des FET selber. Der ganze FET ist um Größenordnungen größer.
 
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Whitehorse1979 schrieb:
Vielleicht muss man an einigen Stellen dann auch einfach neue Wege gehen, um das Ziel zu erreichen.
Das betrifft dann aber nicht mehr die Größe des Transistors. Da ist quasi Ende der Fahnenstange, was die Größe angeht. Schon jetzt stimmen die Nanometer-Angaben nicht mehr zur tatsächlichen Größe des Bauteils an sich, sondern sind bezogen auf reale oder imaginäre Abstände innerhalb des Transistors. Man muss sich ja nur klarmachen, dass 1nm je nach Element lediglich ein paar Atome bedeutet. Deshalb ist das Vorhaben ja so extrem unrealistisch, denn ohne praktische Vorarbeit in anderen Fertigungsgrößen kann das eigentlich nicht gelingen.
 
Boimler schrieb:
Ein Gate von einem nm Breite ist, glaube ich, mit Halbleitern nicht mehr realisierbar oder jedenfalls extrem aufwendig.
Das hängt vom Halbleitermaterial ab. Bei Silizium ist eine Atomlage in etwa 220 pm "hoch" (der Atomradius beträgt 110 pm), man könnte also nur 5 Atomlagen nebeneinander / übereinander (je nach Bauart des FET) auftragen, um den einen Nanometer einzuhalten. Da bekommt man aber längst quantenmechanische Effekte (u.a. Tunneleffekt) um die Ohren gehauen.
 
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Whitehorse1979 schrieb:
Wäre schon zu begrüßen, wenn weltweit mehrere Unternehmen diese Ziele in der Fertigung anstreben und nicht vorschnell aufgeben. Am Anfang muss natürlich immer irgendwo Kapital herkommen. Risiken sind natürlich vorhanden.

Japan war mal führend in der Fertigung und hat dann in gewisser Weise schlicht aufgegeben, weil ASLM zu günstig war und vorallem schneller entwickelt hatte. Die kamen damals auch fast aus dem nichts, mal ein wenig übertrieben formuliert.
 
Boimler schrieb:
Ich frage mich, wer da den Japanern so einen Bären aufbinden konnte, wenn selbst TSMC den Prozess nicht beherrscht.
Indem dir das als Politiker egal ist. Du nimmt Steuergeld und wirfst es in ein tiefes Loch (wie wir es mit Northvolt gemacht haben, die Millionen sind weg). Ergebnis des Aktionismus sind dann tolle Schlagzeilen, da bleibt was beim Wähler hängen.

Wenn es später dann nicht so läuft, dann will man das alles sehr bedauern und nicht gesehen haben. Tja.
 
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Weyoun schrieb:
Da bekommt man aber längst quantenmechanische Effekte (u.a. Tunneleffekt) um die Ohren gehauen.
Würde mich interessieren, wie stark die Effekte da wirklich sind. Denn dass die Elektronen spontan durch die Bandlücke tunneln, ist eher unwahrscheinlich. Der Halbleiter an sich leitet ja erst beim Anlegen einer Spannung. Die kann man relativ gut regulieren und das Potential so niedrig halten, dass die Elektronen ins Leitungsband hüpfen und nicht spontane Übergänge machen. Problematisch sind eher die Rekombinationen, würde ich sagen, denn bei 4nm fließen auch kaum noch Elektronen durchs Band. Da zählt jedes, das zum E-Feld beiträgt.
Ich könnte mir aber vorstellen, dass Fremdatome oder Fehler in der Kristallstruktur des Siliziums Effekte auf Quantenebene haben, die sich negativ auswirken. Dann ist das Band gestört und der Transistor fällt bei den Strukturgrößen direkt aus.
 
Boimler schrieb:
War es nicht schon bei TSMC so, dass die Nanometer-Angaben eher technische Bedeutung hatten und nichts mit der Praxis zu tun hatten? Ein Gate von einem nm Breite ist, glaube ich, mit Halbleitern nicht mehr realisierbar oder jedenfalls extrem aufwendig. Ich frage mich, wer da den Japanern so einen Bären aufbinden konnte, wenn selbst TSMC den Prozess nicht beherrscht.
Wieso einen Bären aufgebunden? Es ist ja nicht so, dass hier der japanischen Regierung, dem japanischen Parlament, der japanischen Justiz oder der japanischen Bevölkerung vorgegaukelt wird, dass sie einen Node mit echten 2nm aufstellen könnten. Das, worum es ihnen hier geht, ist einen 2nm-Äquivalent-Node zu bieten.

Und ja, die nm-Angaben haben nicht die eigentlich physisch messbare Bedeutung. Die Namen orientieren sich hingegen daran, was einst Prozesse 180nm- und 130nm-Prozesse leisten konnte und vergleichen mit deren Leistungsfähigkeit in den unterschiedlichsten Dimensionen. Die ITRS hat sich früher um die Definition dieser Klassen gekümmert, heute macht es die IRDS.
https://de.wikipedia.org/wiki/International_Roadmap_for_Devices_and_Systems
 
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Botcruscher schrieb:
Nein. Doch. Oh.

Einfach mal Milliarden Steuergeld ohne Sicherheit verbrennen. Der Grüne Wahnsinn wie Wasserstoff oder Batterien ist nichts anderes.
Aaah, der obligatorische Grünen-Überleitungs-Generator-Beitrag. gähn Und, Habeck/Baerbock haste vergessen irgendwo einzubauen, mindestens.
 
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