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SOT-MRAM TSMC hilft bei Entwicklung des möglichen SRAM-Nachfolgers
Bei der Entwicklung der nichtflüchtigen Speichertechnik SOT-MRAM will TSMC in Taiwan mitmischen. Auch in Europa wird daran geforscht.
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Hot Chips 33 SOT-MRAM soll 2024 den Markt erreichen
SOT-MRAM als potenzieller Nachfolger von STT-MRAM soll mehr Leistung und Haltbarkeit bei geringerem Energiebedarf aufweisen.
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Schneller Schreibpuffer Phisons SSD-Controller unterstützen bald MRAM
Phisons kommende Controller für Enterprise-SSDs sollen Everspins neuen STT-MRAM mit 1 Gigabit unterstützen.
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Vierfache Speicherkapazität Everspin produziert MRAM‑Chips mit 1 Gigabit
Später als erwartet hat Everspin mit der Produktion von STT-MRAM-Chips mit 1 Gigabit begonnen, die nun in 28 nm gefertigt werden.
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ISSCC Intel ist bereit für MRAM-Fertigung in 22 nm FinFET
Im Rahmen der ISSCC hat Intel über den Stand der Dinge beim Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) informiert.
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IBM FlashCore SSD 19-TB-NVMe-SSD nutzt MRAM von Everspin als Zusatz-Cache
Der MRAM von Everspin findet seinen Weg in Enterprise-SSDs von IBM und zwar als nichtflüchtiger Zusatz-Cache zum Stromausfallschutz.
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Samsung Foundry eMRAM feiert Tape-Out im 28FDS-Prozess
Neues von Samsung als Auftragsfertiger: Der Prozess 28nm FD-SOI (28FDS) steht künftig auch für Hochfrequenz-Chips und eMRAM zur Verfügung.
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Speichertechnik Samsung rüstet sich für mehr MRAM, 3D-DRAM und 3D-NAND
Neben Roadmaps für neue Fertigungsprozesse bis hin zur 4-nm-Fertigung hat Samsung kürzlich weitere Pläne für die Speichersparte enthüllt.
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Everspin nvNITRO Erste PCIe-NVMe-SSD mit MRAM vor Markteinführung
Everspin ist der größte kommerzielle Anbieter von MRAM-Chips. Jetzt folgt das erste eigene Produkt: Die PCIe-NVMe-SSD-Karte Everspin nvNITRO.
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STT-MRAM Toshiba arbeitet an überlegener Alternative zu SRAM
Toshibas Forschungsabteilung arbeitet am Einsatz von STT-MRAM als Cache-Speicher für Prozessoren und SoCs.
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MRAM TDK stellt potentiellen Nachfolger von Flash vor
TDK präsentiert einen Prototyp des Speichers MRAM, der die guten Eigenschaften flüchtiger und nichtflüchtiger Speicher vereinen soll.
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News Branche will MRAM-Entwicklung vereint vorantreiben
Laut einem asiatischen Wirtschaftsmagazin schließen sich Branchengrößen aus Asien und den USA zusammen, um gemeinsam die Produktion von MRAM …
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News Buffalo rüstet SSDs mit ST-MRAM-Cache aus
Buffalo wird auf der vom 20. bis 22. November in Yokohama stattfindenden Konferenz Embedded Technology 2013 eine neue SSD-Serie vorstellen. Bei der …
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News Toshiba stellt MRAM für Mobilgeräte in dieser Woche vor
Seit etwa eineinhalb Jahren arbeitet Toshiba – teils gemeinsam mit Hynix – an sogenanntem Magnetoresistance Random Access Memory, kurz MRAM. …
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News Micron erforscht STT-MRAM als Alternative zu NAND-Flash
Auf der Suche nach neuen Speichertechnologien erforschen die in der Branche tätigen Unternehmen zur Zeit das so genannte Spin Transfer Torque …
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News Hynix und Toshiba kooperieren beim MRAM
Hynix und Toshiba haben heute eine strategische Zusammenarbeit zur gemeinsamen Entwicklung von sogenanntem Spin-Transfer Torque Magnetoresistance …
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News Infineon präsentiert MRAM-Prototypen
Der Halbleiterhersteller Infineon hat auf dem VLSI Symposium in Hawaii gemeinsam mit IBM den ersten 16-Mbit-Magnetoresistive-RAM-Prototypen (MRAM) …
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News IBM und Infineon stellen Speichertechnologie für 2005 vor
IBM und Infineon Technologies gaben heute die Entwicklung der bislang fortschrittlichsten MRAM (Magnetic Random Access Memory)-Technologie bekannt, …
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News Erste Samples des MRAM vorgestellt
Motorola hat auf der IEEE (Inernational Solid State Circuits Confernce) erste Samples eines 265K MRAM-Chips vorgestellt. Damit ist es dann möglich, …
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News Magnetischer RAM von IBM und Infineon
Nach IBMs und Infineons Meinung soll MRAM der Speicher der Zukunft werden. MRAM steht dabei für Magnetic Random Access Memory, also für einen …
