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Ich glaube da hörst du zu sehr auf die Marketingabteilung.
Denn wenn noch nicht einmal Taktraten an die Boardpartner weitergegeben wurden, warum sollte dann ein Spielehersteller es wissen?
Die finalen Taktraten sind unbekannt. Spielehersteller könnten eine Pre-beta-Karte zum Entwickeln bekommen haben, mit relativ kleinen Taktraten. Ob das tatsächlich so gehand habt wurde, weiß ich nicht, wie gesagt sie "könnten". Und wenn die dann das Spiel so hinbekommen hätten, dass es auf dieser Pre-beta-Karte läuft, dann können die auch ganz sicher hinschreiben, dass es auf der final laufen wird.
Je größer der K-Wert des Dielektrikum, desto dicker kann man es machen ohne die Schaltgeschwindigkeit des Transistors negativ zu beeinflussen. Je dicker das Dielektrikum desto kleiner der Tunnelstrom. Oder andersherum, bei gleichem Tunnelstrom kann man schnellere Transistoren machen.
Das Dielektia eines Transistors mit dem Tunnelstrom und der Schaltgeschwindigkeit in Verbindung zu bringen, finde ich sehr mutig und sind eigentlich zwei Baustellen.
1.) Durch eine höhere Dielektrizitätskonstante (High-k, mit k als amerikanische Abkürzung für der Dielektrizitätskonstante ε) kann man dünnere Isolationsschichten über dem Kanal zwischen Drain und Source auftragen, um so mit den bei kleineren Strukturgrößen immer kleiner werdenden Spannungen den Transistor noch schalten zu können. Mit der alten Siliziumoxid-Technik (SiO2 mit ε= ca. 4) waren es bei 65nm-Technologie nur noch 1,2nm (5 Atomlagen). Damit setzt der Tunnel-Effekt massiv ein, mit der Folge von hohen Leckströmen. Durch High-k-Dielektrikas wie Hafnium (ε= 20-25) sind somit dünnere Schichten möglich, ohne dass große Tunnelströme auftreten.
2.) Desweiteren hat die Schaltgeschwindigkeit eines Transistors nichts mit dem Tunnelstrom zu tun sondern ist indirekt nur von dem geschalteten Strom (Drain-Source) abhängig. Grundsätzlich hängt die Schaltgeschwindigkeit von den Sperrschichtkapazitäten des Transistors ab, die bei jedem Schaltvorgang auf- bzw. entladen werden müssen. Ist der geschaltete Strom hoch, geschieht dies schneller als bei einem kleinen Strom.
2.) Desweiteren hat die Schaltgeschwindigkeit eines Transistors nichts mit dem Tunnelstrom zu tun sondern ist indirekt nur von dem geschalteten Strom (Drain-Source) abhängig.
Wie du selbst sagst, hat sie indirekt doch was damit zu tun, denn du kannst keinen höheren Strom anlegen, wenn der Tunnelstrom dir Probleme bereitet. Du willst schließlich das Produkt für PCs verkaufen und es nicht als Heizplatte verwenden. Wenn du mit High-K den Tunnelstrom in den Griff bekommst, kannst du höheren Strom drauf legen und damit den Transistor schneller schalten.
Man kann also sehr wohl eine Verbindung zwischen Leakage und Performance herstellen und du machst es ja auch. Bei gleicher Leakage kann man höhere Performance erreichen, oder bei gleicher Performance kleinere Leakage/Tunnelstrom. Im Grunde ergänzt du meinen Beitrag um genauere technische Feinheiten, indem du hinzufügst, dass die Abhängigkeit indirekt besteht, aber letzten Endes dennoch immer so gegeben ist.
Laut meinen Informationen ist mit der GeForce 8800 deren lowest-Level Version gemeint, die 8800GS/384. Diese ist ungefähr mit einer GT220 gleichzusetzen.
Nun, so bitte ich um Verzeihung, da ich mich diesbezüglich geirrt habe.
Allerdings finde ich es schon komisch, dass man die 8800GS (9600GSO) empfiehlt und im selben Atemzug eine 40% schwächere Karte anführt. Ich könnte mir vorstellen, dass eine GT240 besser ins Konzept passen würde.
Strom wird nicht angelegt sondern eine Spannung. Dieser ist abhängig vom Widerstand. Außerdem fließt der Tunnelstrom über das Gate, während der geschaltete Strom von Drain nach Source fließt.
@Sgt.Speirs
Vielleicht erklärst du mir einfach, warum Intel behauptet, dass mit High-K der Transistor bei gleicher Leakage schneller wird, wenn das eine mit dem anderen angeblich nichts zu tun habe. Oder willst du gar nicht darauf hinaus, sondern auf etwas anderes?
Aber wenn es schon in zwei Wochen wäre, dann müsste nVidia schon die Samples auf den Weg schicken, damit die Tests zum Release verfügbar wären. Wenn ich jetzt nichts durcheinander gebracht habe.
volker hat und vor kurzem verraten, das es sogar vorgekommen sit, das hersteller erst einen tag vorher zugeschickt haben und das man 3 tage bis 1woche als "regel" ansehen könnte.
abgesehen davon das wir nicht wissen können, ob denn schon was draussen ist oder bald rausgeht ^^
Ich glaube kaum, dass da etwas kommt. Höchstens hat PCGH einen Fermikrüppel aufgetrieben wie beim Gulftown, was Volker ja schon erläutert hat wie man dazu kommt.
Falls ja würde dann das Problem seites Nvidia dann bestehen, die eine Veröffentlichung wohl kaum zulassen würden.
Das nVidia, die sich doch immer so um ihr Marketing bemühen, etwas derartiges leistet, fände ich aber doch recht unwahrscheinlich. Schließlich soll man als Tester (aus der nVidia'schen Sichtweise) ja sicher die volle Leistungsfähigkeit der Karte dem geneigten Leser nahebringen. soetwas geht aber nicht in ein, zwei Tagen. Zumindest nicht, ohne furchtbaren Stress. Und Stress hat bisher recht selten für eine Verminderung von Flüchtigkeitsfehlern oder von aus Zeitnot weggelassenen Tests geführt.^^
Nein, das war natürlich nicht eine wie auch immer geartete Anschuldigung, wenn das so rüber gekommen ist, tut mir das Leid. War wieder einmal eine gründlich missglückte Formulierung.
Ich hatte diese Überlegung eher bei nVidia angesiedelt. Wenn man davon überzeugt ist, das beste Produkt zu liefern, dann würde es doch Sinn machen, dass man die Möglichkeit dieses zu testen, für die Tester doch so ausgiebig wie nur möglich gestaltet. Das Naheliegenste wäre daher mehr Zeit zu geben.
Und ich möchte ausdrücklich nocheinmal festhalten, dass ich hier weder Volker noch Wolfgang Inkompetenz unterstellen wollte, nicht einmal im Traum.
