Lübke schrieb:
als weiteres thema sind übrigends auch gerüchte über atis kommende hd6k herzlich willkommen. diese ist zwar erst für q1 2011 angekündigt, aber ich habe auch schon gerüchte gelesen, dass ati diese vllt noch in 2010 bringen will (ggf. in 40nm statt 28nm)...
NI kommt definitiv in 28nm, also frühestens Q1/11. Leider.
Denn mein nächstes Graka-Update mach ich frühestens bei 28nm, der 40nm Prozess ist mir zu heikel und bringt auch nicht so große Vorteile, als das sich der Aufwand für mich lohnen würde.
Am liebsten wär mir ne 6670 mit den Specs der 5770, aber logischerweise ohne Stromstecker.
Auf jeden Fall bedeutet das, dass AMD dieses Jahr noch maximal eine 5890 in 40nm bringen wird.
Fetter Fettsack schrieb:
Und woraus ziehst du aus diesen Informationen den Schluss, dass bei 28nm weniger Probleme auftreten? Der gordische Knoten ist noch immer nicht zerschlagen.
Die Problematik im aktuellen TSMC 40nm Prozess liegt (u.a) bei der "Leakage", also konstanter Stromverlust trotzdem die Transistoren "ausgeschaltet" sind.
IMO ist das auch der Grund, warum die Grakas immer noch relativ viel Saft im idle ziehen.
Das andere Problem sind zu große Schwankungen bei der "Länge" der Transistoren.
Bei 28nm steigt TSMC allerdings auf HKMG um, womit zumindest mal das Problem der Leakage so gut wie beseitigt sein dürfte. Siehe die guten Ergebnisse von INTEL.
Bei dem anderen Problem kann man bloß hoffen, das durch die verbesserten Materialien eine Verbesserung eintritt, INTELs 32nm Fertigung macht mir da ebenfalls Hoffnung.
Wär noch interessant zu erfahren, inwiefern sich die von TSMC verwendete Gate-Last-Technik und die wohl von GloFo angwandte Gate-First Technik im Ergebnis unterscheiden.
Hier ist ein Artikel dazu, der (zufällig) prinzipiell Charlies Aussage bestätigt
http://www.electroiq.com/index/disp.../transistors/2009/12/hkmg_-gate-first_vs.html
"Due to compatibility issues with standard polysilicon gates revolving around defects that cause "Fermi pinning" which prevents transistors from switching properly at low threshold voltages, high-k gate dielectrics must be paired with a metal gate electrode. "These defects in the bandgap prevent gate voltage swing.
The end result is a high Vt," Hoffman said"
EDIT: Fudo bestätigt was Charlie (480=5% schneller als Cypress) sagt:
http://www.fudzilla.com/content/view/17851/1/
Wenn man sich das
CB-PR anschaut (1920 Quali) , läge eine 470 dann bei 110% der 5850.
Da ne 480 höchstens nochmal 12,5% schneller sein wird als die 470 (Differenz der Shader, außer NVIDIA beschneidet die 470 so wie AMD die 5830) landet die 480 ziemlich genau 5% vor der 5870.
Ich geh jede Wette ein, das es das ein oder andere Spiel gibt, wo die 5870 sogar vorne liegt. Dies hätte wohl so keiner erwartet.