eastcoast_pete
Lt. Commander
- Registriert
- Juni 2020
- Beiträge
- 1.614
Eine Ankündigung wie diese wäre deutlich glaubhafter, wenn Rapidus bei ASML feste Bestellungen für high NA EUV Scanner hat; ohne die wird unter 3 nm wenig bis nichts gehen. Daran würde man sehen, daß sie hier nicht nur Pläne für eine nicht weiter spezifizierte fab haben.
Und, OT: das Bild der geplanten Anlage mit dem begrünten Dach sieht zwar sehr "Öko" aus, aber wäre es nicht mehr "Öko" wenn so ein großes Dach mit Solarzellen bestückt wird? So eine fab braucht nämlich richtig Strom, und wenn ein Solarzellen Dach auch nur 5-10% des Verbrauchs beitragen könnte, würde es schon einen Unterschied machen.
b. nichts zur Stromversorgung der fab beitragen.
Es würde mE mehr Sinn machen, wenn Dächer von großen Industrieanlagen wie dieser mit Solarzellen Panels bestückt würden; gerade bei einer fab, die nicht nur viel Wasser, sondern auch einiges an Strom braucht, könnte ein riesiges Solardach helfen, das Netz zu entlasten. Nicht so schön grün, aber wohl ökologischer.
Und, OT: das Bild der geplanten Anlage mit dem begrünten Dach sieht zwar sehr "Öko" aus, aber wäre es nicht mehr "Öko" wenn so ein großes Dach mit Solarzellen bestückt wird? So eine fab braucht nämlich richtig Strom, und wenn ein Solarzellen Dach auch nur 5-10% des Verbrauchs beitragen könnte, würde es schon einen Unterschied machen.
Ergänzung ()
So ein begrüntes Dach wie die angeblich geplante Rapidus fab zeigt mag zwar schön aussehen, aber wird a. sehr viel Wasser brauchen (zusätzlich zum großen Wasserbedarf der fab) undSSD960 schrieb:
b. nichts zur Stromversorgung der fab beitragen.
Es würde mE mehr Sinn machen, wenn Dächer von großen Industrieanlagen wie dieser mit Solarzellen Panels bestückt würden; gerade bei einer fab, die nicht nur viel Wasser, sondern auch einiges an Strom braucht, könnte ein riesiges Solardach helfen, das Netz zu entlasten. Nicht so schön grün, aber wohl ökologischer.
Ergänzung ()
Intel haben ihre Knoten Beschreibung dann auch an das Marketing Speak von TSMC and Samsung angepasst; Intel hat's wohl gestunken , daß sie immer als 2 Generationen hinterher gelabelt wurden. So wurde dann der 10 nm Knoten in Intel 7 umbenannt. Die Transistoren Dichte und Abstände für vergleichbare Strukturen auf den Chips (zB L1 Cache) ist ein besseres Maß dafür, wie gut so ein Knoten eigentlich ist. Da sind Intel 7 und TSMC 7 einigermaßen vergleichbar, Samsung 8 nm nicht so sehr (siehe Nvidias Ampere Karten). Allerdings sind die Dichte und Abstandsdaten nicht so ohne weiteres erhältlich, zumindest nicht von den Foundries selbst.Xiaolong schrieb:@BAR86: Ist das tatsächlich so? Ich hatte immer im Kopf, dass Intel den Namen des Fertigungsprozesses irgendwo vor einigen Jahren von der realen Strukturgröße abgekoppelt hat um eben immer kleine Zahlen auf die Produkte draufpinseln zu können.
Edit: OK habe eben ein wenig recherchiert, Intel scheint hier tatsächlich nicht der Bad-Boy zu sein, wieder was gelernt
Zuletzt bearbeitet:
