S.Kara schrieb:
Es geht nicht darum jeder Änderung gerecht zu werden, sondern dem Namen eine Bedeutung zu geben. Und da ist alles besser als die heutigen.
Das Problem mit den Namen für die Nodes und die Prozesse ist dass man sie nach einer bedeutungsvollen Größe benannt hat.
Zu erst lagen Metallisierungspitch und Gatelänge bei ungefähr demselben Wert. Dann man man im Wettrennen um höhere Frequenzen die Gatelänge schneller verringert als den Metallierungspitch.
Also war es nun nur noch die Gatelänge. Aber dann ist man vor ca. 20 Jahren an den Punkt gekommen, an dem man die Gatelänge nicht mehr verkürzen konnte.
Und trotzdem konnte man die Dichte weiter steigern. Von nun an hat man einfach um den Namen des nächsten Nodes zu bekommen den aktuellen Namen mit dem Faktor 0,7 multipliziert.
Es gab einige Ausreden, dass einige Maße auf die Angabe des Nodes passen würden, aber es hat meist nur für einen Node gepasst.
S.Kara schrieb:
Wie willst du Dinge wie Leistung und Effizienz im Namen unterbringen. Strukturgrößen o.Ä. sind da schon besser umzusetzen.
Das einzige was die nächsten Jahre ganz sicher skalieren wird ist die Transistordichte.
Die IRDS Roadmap schlägt seit Jahre die Kombination von Gate und Metalliesierungspitch vor und wird seit Jahren zu recht ignoriert, G48M24 anstatt N3 bzw. 3 nm wird garantiert Freunde finden. Vor allem wenn mit CFET die noch eine dritte Komponente in den Namen aufnimmt wird ganz großer Jubel ausbrechen G38M16/T4 wird als Name wahre Begeisterungstürme auslösen.
INTERNATIONAL ROADMAP FOR DEVICES AND SYSTEMS™ 2023 IRDS -- Seite 20
Da Finde ich was IMEC vorschlägt sehr viel praktikabler:
Der weitere Grund warum die Strukturbeiten als Name ungeeignet sind, sieht man im ersten Blick bei Wikipedia und WikiChip. Während bei den alten Nodes die Tabellen ziemlich vollständig sind, sind sie ab 7 nm spärlich besetzt. Der Grund ist, dass sie Fabs die Maße ihrer Standardzellen nicht mehr veröffentlichen. Und Firmen wie TechInsights streuen auch nur Brotkrumen und nennen die Werte die sie gemessen haben nur in Reports die zu 4-stelligen Beträgen in USD Verkauft werden.
daVinci schrieb:
Lässt sich bei all dem PR Quatsch denn irgendwie noch durchblicken, wie weit die Technologie und deren reale Leistung im Alltag UND die Serienreife nun wirklich ist?
Bei allen Meldungen und Ankündigungen von Samsung Semiconductor ist allergrößte Vorsicht angebracht.
Man muss immer die Produkte abwarten.
Aber auch bei TSMC läuft nicht alles rund. N3 bringt erst mit der Einführung von FinFLEX auch bei Performance und Power Vorteile. Und eigentlich geht es deshalb mit N3 so richtig erst 2024 mit N3E los. 4 Jahre nach N5.
daVinci schrieb:
Ansonsten kann man sich die Meldungen doch komplett sparen.
Finde ich nicht. Es gab nun Mal die Meldungen aus Asien.
Volker hat die Meldungen und die Konkurrenzsituation in den richtigen Kontext gestellt.