News Micron legt vor: 16-nm-NAND-Flash wird bemustert

[LundM]

sehr schön.
für den kunden am ende nur gut.

zu unsrem samsung freund.
wen samsung 17nm chips hat und micron 16nm ist micron technologie führer.

selbst wen sie 16,999nm hätten wäre samsung platz 2.

das ist PR! wird immer so sein.
Samsung ist aktuell somit auch theoretisch veraltet unterwegs.
Praktisch käse^^

 

[chb@]

Find ich gut. Ich habe keine Daten auf dem PC (Bilder oder Videos) daher benutze ich jetzt schon nur SSDs.
128GB Samsung 830 fürs System und Programme und eine Samsung 250GB Samsung 840 für Spiele. Alles Super schnell.

 

[Holt]

Ob ein Hersteller nun einen 15, 16 oder 17nm Prozess verwendet, spielt ebensowenig eine Rolle wie heute 19, 20 und 21nm. Samsung spricht nur von der 10nm Klasse, was eben alles von 10 bis 19nm beinhaltet und Samsung ist eben schon 2 Monate früher als Micron mit den NANDs des nächsten Shrinks in die Produktion gegangen. Samsung hat ja mit der 840er auch die aktuellen 21nm NAND ein paar Monate von Microns m500 mit den 20nm auf den Markt gebracht, war also auch bei den 20+-1nm NAND erster.

Übrigens ist bei Samsungs 21nm MLC der Transistor einer Zelle etwa 42 nm x 46 nm groß, also nicht 21x21nm. Das dürfte bei den anderen Herstellern auch nicht anders sein und neben der Verkleinerung der Fertigungsprozesse ist auch eine Verkleinerung der eigentlichen Bauteile für die Hersteller von Vorteil. Toshiba hat übrigens im Mai eine zweite 19nm NAND Generation (1y nm class) angekündigt, bei dem ein 64Gbit MLC NAND nur 94mm² groß ist. Was man da geändert hat um dies auch bei einer 19nm Fertigung zu erreichen, könnt ihr euch ja nun wohl hoffentlich denken.

Hynix hat schon im Dez. 2011 angekündigt die 20nm zu überspringen und von 26nm direkt auf 15nm zu wechseln. Andererseits schreibt hardocp.com hier von 22nm Hynix NAND in der Corsair Neutron Series 256GB SSD Refresh.

Ergänzung (17. Juli 2013)

Laut Anandtech erwartet Micron auch von den 16nm NAND wieder 3000 P/E Zyklen und möchte Anfang 2014 eine SSD mit dem NAND vorstellen. Damit wäre man auf dem Niveau der 20nm NANDs.

Interessant ist auch die Tabelle der NAND Evolution:

Man sieht deutlich, dass die 64GBit NANDs in 20nm 118mm² groß sind, die 128GBit 20nm NANDs aber nur 202mm² und damit deutlich weniger als doppelt so groß.

 

[enrico]

16nm in 2,5 Zoll Standart Festplatten

 

[JuggernautX]

aha und was willst Du uns jetzt damit sagen?

 

[olfbc]

@Holt
Danke für die Tabelle der NAND Evolution!

So ein Scheibchen mit fast 400 Käfern drauf hätt ich aber schon ganz gerne ;-)

 

[Holt]

Wenn man sich die Zahlen von 118mm² für ein 64GBit Micron Die in 20nm und 202mm² für eines mit 128GBit mal ins Verhältnis setzt, dann kommt man darauf, dass ein 64GBit Array 84mm² groß ist und die Steuerung 34mm², also 28% der Fläche ausmacht. Dies unter der Annahme, dass die Ansteuerung bei beiden gleich groß ist, was zwar nicht 100% aber doch fast stimmen dürfte. Damit wird auch klar, wie viel günstiger es ist Dies mit einer größeren Kapazität zu fertigen, sofern die Yieldraten stimmen. Wobei das bei NANDs wegen der Reservebereich ja weniger wichtig ist und man wohl bei eher bei schlechten Yieldraten größere NAND Dies fertigen wird, da damit das Risiko sinkt einen Fehler im Bereich der Steuerelektronik zu haben, wo er dann ggf. eben nicht kompensiert werden kann.