dasbene schrieb:
Können wir nicht endlich immer die Transistorendichte für alle Fertigungsstufen angeben?
Ob die Angabe soviel besser wäre? Denn im Endeffekt kann bereits bei der gleichen Fertigung da schon ein paar Klasse dazwischen liegen.
Der GA100 kommt bei 7nm auf ca. 65 Millionen pro mm². Der Navi21 kommt auf ca. 50 Millionen pro mm². Gerade wenn es um viel Takt geht kann es manchmal von Vorteil sein, wenn man nicht die maximale Packdichte ausnutzt.
Und gerade bei Prozessen, die sich "ähnlich" sind, kann man die Verwirrung auch nicht mehr verhindern als jetzt, weil dann vielleicht die Schaltfreudigkeit der Transistoren bei höhere Packdicht steigt, aber die Packdichte an sich nicht. Könnte man zwar durch Suffixe lösen, aber so perfekt ist da die Packdichte auch nicht.
DarkInterceptor schrieb:
muss nicht. es gibt jenseits der NM auch noch eine skala. alternativ halt dann mit 0,x NM benennung.
Klar gibt es jenseits der NM noch eine Skalar, man könnte ja wie bei Speicher auf 1X, 1Y, 1Z usw umsteigen. Gehen tut das alles.
Ansonsten: Klar kann man auch 0,x NM nennen, wird dann nur lustig, weil man sich dann innerhalb der Gräße von Atomen bewegt und spätestens ab 0,3 nm sind wir dann unterhalb der Atomkernen-Silizium aber der Transistor braucht ja mindesten 3.
Mir ging es also bei der Ansage nicht darum, dass ich nicht weiß, dass es alternative gibt oder das man ewig so weiter machen könnte, sondern darum: Es wird mal Zeit sich von diesen "nm"-Angaben zu lösen, weil das ohnehin nicht mehr wirklich stimmt.