Multivac
Lt. Junior Grade
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Nein, diese schwankt je nach dem welche Logik du auf den Chip hast SRAM-zellen für den L3$ werden dichter gepackt sein als L1$. Design Richtlinien machen einen Direkten vergleich unmöglich. Es gibt sehr klare Unterschiede so bietet GlobalFoundries einen extra Prozess für IoT mit dem ziel geringer leakage current andere Nodes erreichen mehr Transistor speed (Höheren Takt) Transistoren pro flaeche ist nur ein Parameter auf den optimiert wird. Selbst die kosten pro Flaeche variieren je nach Node. Es gibt Reference Chips mit denen die Flaeche verglichen werden kann. Nur stimmt es halt nicht mehr wenn deine GPU nicht dem Reference chip entspricht.dasbene schrieb:Können wir nicht endlich immer die Transistorendichte für alle Fertigungsstufen angeben?
10_nm_lithography_process