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Auf dem Flash Memory Summit hat Samsung eine neue Variante des dreidimensionalen Flash-Speichers V-NAND vorgestellt. Nach der unter anderem in der 850 Pro eingesetzten MLC-Variante mit 2 Bit pro Speicherzelle startet nun die Produktion von TLC-V-NAND mit 3 Bit pro Zelle. Dieser wird voraussichtlich in der 850 Evo SSD eingesetzt.
Zur News: Samsung produziert TLC-V-NAND für „850 Evo“-SSD
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